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[发明专利]半导体器件和操作半导体器件的方法-CN200910206367.8无效
发明人：高桥弘行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：半导体器件包括：存储器单元(2)；预充电电路(8)；负电势施加电路(3)；以及传感放大器(6)。存储器单元(2)被连接至第一位线(BT)并且存储数据。预充电电路(8)被连接至第一和第二位线(BT、BN)并且将第一和第二位线(BT、BN)预充电到接地电势。负电势施加电路(3)被连接至第一位线(BT)并且将负电势施加给第一位线(BT)。传感放大器被连接至第一和第二位线(BT、BN)并且基于第一位线(BT)的第一电势和第二位线(BN)的第二电势之间的差读取数据。负电势的绝对值小于第一电势和第二电势之间的差。
半导体器件操作方法

[发明专利]用于LED背光显示的鬼影消除方法-CN202310422527.2在审
发明人：赵孝刚;王乃龙 -专利权人：天津芯格诺微电子有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于LED背光显示的鬼影消除方法，包括：在所述m条列扫描通道中的每一列通道的第一开关元件的高电势端处均设置一个低电势端钳位单元；在所述n条行扫描通道中的每一列通道的第二开关元件的低电势端处均设置一个高电势端钳位单元；每个低电势端钳位单元会在对应通道的第一开关元件处于关闭状态时设置为导通状态；而当第一开关元件处于开启状态时所述低电势端钳位单元设置为关闭状态；每个高电势端钳位单元会在对应通道的第二开关元件处于关闭状态时设置为导通状态；而当第二开关元件处于开启状态时所述高电势端钳位单元设置为关闭状态。
用于 led 背光显示消除方法

[发明专利]用于交流耦合的就地静电放电保护的方法和结构-CN200610057189.3无效
发明人：约翰·C·克利;戴维·D·埃斯克德森 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：在禁用模式中，第一电压电势和第二电压电势基本上等于参考电势，导致钳位电路向所述被保护电路提供极小的钳位电压，使得具有在所述第一电压电势和所述第二电压电势之间的电压的ESD事件经由第一和第二ESD轨被分流到所述参考电势
用于交流耦合就地静电放电保护方法结构

[发明专利]用于通过离子聚束进行离子转移的方法和设备-CN202111092550.7在审
发明人： P·尼耶托·拉莫斯;M·V·乌加罗夫 -专利权人：萨默费尼根有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：一种质谱法方法包括：在离子传输装置的入口端处接收离子流；使所述离子流的第一部分积聚在所述离子传输装置内的位于所述入口端与出口端之间的第一位置处的第一电势阱处；在所述离子传输设备内在第二位置与所述出口端之间产生总体上下降的电势分布，并且同时在所述离子传输设备内的第三位置处产生第二电势阱，所述第二位置安置在所述第一位置与所述入口端之间，所述第三位置安置在所述第二位置与所述入口端之间；以及在所述总体上下降的电势分布的推动下将所述离子流的所积聚的第一部分从所述第一位置传输到所述出口端，并且同时使所述离子流的第二部分积聚在所述第二电势阱处。
用于通过离子进行转移方法设备

[发明专利]高效开关电容器功率转换-CN201010246781.4有效
发明人： W·C·阿塞思;P·J·尤恩加 -专利权人：苹果公司
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：提供了在较低输入电压和较高输出电压之间转换的系统，包括：接收输入电压的输入以及提供输出电压的输出；具有较高电势端子和较低电势端子的第一电容器，及在输入电压、输出电压和基电压之间选择性地耦接第一电容器的较高电势端子和较低电势端子的第一组开关设备该系统还包括产生具有包括第一和第二相位的大体非重叠时钟相位的时钟信号的谐振时钟电路。该谐振时钟电路配置为控制第一组开关设备，使得在第一相位期间第一电容器的较高电势端子耦接到输入电压且第一电容器的较低电势端子耦接到基电压，以及在第二相位期间第一电容器的较高电势端子耦接到输出电压且第一电容器的较低电势端子耦接到输入电压
高效开关电容器功率转换

[发明专利]一种同步整流器件的驱动电路-CN201910482738.9有效
发明人：冯林;陈跃东 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：该驱动电路包括可控钳位电路，该可控钳位电路的第一端耦接至同步整流器件的第一端，其第二端耦接至同步整流器件的第二端，其第三端耦接至同步整流器件的控制端，其控制端用于接收该驱动电路的供电端的电势指示信号。该可控钳位电路在所述电势指示信号指示该驱动电路的供电端的电势未建立起来时，基于该可控钳位电路的第一端的电势将该可控钳位电路的第三端与该可控钳位电路的第二端接通，从而保持该同步整流器件关断，避免噪声信号被耦合至该同步整流器件的控制端而导致误导通
一种同步整流器件驱动电路

[实用新型]一种电势诱导衰减修复电路及一种光伏逆变器-CN202020258539.8有效
发明人：陈鹏;徐清清;黄志锋 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H02S40/30 文献下载
摘要：本申请涉及电力电子技术领域，特别是涉及一种电势诱导衰减修复电路及一种光伏逆变器。该电势诱导衰减修复电路应用于TN接地系统的光伏逆变器，该电势诱导衰减修复电路包括整流桥、第一开关单元、电压钳位单元和处理控制单元。由于该电势诱导衰减修复电路可以在处理控制单元的控制下，通过第一开关单元和电压钳位单元向直流母线的负极施加补偿电压，进而通过逆变单元前级的BOOST模块来完成对光伏组串的电势诱导衰减修复，并且在此过程中不需要隔离型DCDC变换单元，所以本申请提供的电势诱导衰减修复电路的成本相比于现有技术得以降低。
一种电势诱导衰减修复电路逆变器

[发明专利]用于料位雷达的电势隔离-CN200780003392.5有效
发明人：卡尔·格里斯鲍姆;于尔根·莫策;托马斯·德克;约瑟夫·费伦巴赫;温弗里德·劳尔 -专利权人： VEGA格里沙贝两合公司
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G01F23/284 文献下载
摘要：在微波路径中电势隔离的情况下以及直接在双线回路与输出电路之间电势隔离的情况下，信号传输质量都会受到影响。根据本发明的一个实施例，提供了一种在电子单元内具有电势隔离的料位雷达，其中电势隔离并不隔离模拟信号，而是隔离数字信号或者不含直流分量的交流信号。例如，分界线通过数字信号连接或者交流信号连接。由此，可以降低用于电势隔离的开销并且提高传输质量。
用于雷达电势隔离

[发明专利]一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法-CN202010038547.6在审
发明人：黎大兵;开翠红;孙晓娟;贾玉萍;蒋科;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：S1，根据氮化物单体位错的缺陷选择刻蚀方法；S2，表征刻蚀坑的形貌，确定氮化物单体位错的类型；S3，表征氮化物单体位错暗态下表面电势；S4，表征氮化物单体位错紫外光下表面电势；S5，基于表面电势，建立能带模型，获得氮化物单体位错光电性能。本发明根据刻蚀坑的形貌辨别出螺位错、刃位错、混合位错，解决紫外光辅助开尔文探针力显微镜无法分辨单体位错的问题。本发明应用于半导体技术领域。
一种实现缺陷光电性能测评方法

[发明专利]一种基于智能刹车系统的反电势零位偏置角标定方法-CN201811534782.1在审
发明人：曹志远;唐文;金军;郑鸿云 -专利权人：上海拓为汽车技术有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H02P21/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于智能刹车系统的反电势零位偏置角标定方法，包括以下步骤：在采用永磁同步电机的FOC控制策略下，通过磁阻式传感器检测与电机转轴端磁钢的相对位置来获取当前的电机位置角度；利用ECU检测电机在高速条件下的三相反电势信号，利用三相反电势信号得到转子磁轴线与A相磁轴线的夹角；将磁阻式传感器检测的电机位置角度与三相反电势得到的夹角进行比较，得到电气角零位时对应传感器的偏置角。
偏置角零位三相反电势信号磁阻式传感器智能刹车系统电机位置磁轴线反电势标定检测电机永磁同步电机转子电机转轴高速条件控制策略刹车系统相反电势电气角传感器磁钢

[发明专利]铝槽熔池探测器、探测装置及方法-CN201910842377.4在审
发明人：胡狄辛;于目奎;曾宪文 -专利权人：中冶赛迪重庆信息技术有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种铝槽熔池探测器、探测装置及方法，该探测器包括：检量杆，用于静置在熔池中时获取温度分布数据，还用于在熔池中转动以获取电势分布数据；延伸臂，其首尾两端对应连接检量杆、手柄；延伸臂用于测量该检量杆插入熔池的深度；手柄，其内置处理器，用于综合分析接收的温度分布数据与电势分布数据得到熔池分层厚度；形成温度信息、电势信息与液位信息之间相互映射的熔池探测数据包。本发明综合分析获取的温度分布数据和电势分布数据，两者相互验证分辨出熔池内交界面位置，提供熔池分层内温度信息、电势信息、液位信息相互映射的熔池探测数据包，实现在线自动测量，消除了滞后及人为因素的影响，确保了探测数据的及时性和准确性
熔池温度分布数据电势分布量杆探测数据包手柄温度信息液位信息延伸臂映射综合分析探测器电势分层在线自动测量人为因素首尾两端探测数据探测装置交界面处理器铝槽分辨转动测量验证滞后

[实用新型]铝槽熔池探测器、探测装置-CN201921486766.X有效
发明人：胡狄辛;于目奎;曾宪文 -专利权人：中冶赛迪重庆信息技术有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种铝槽熔池探测器、探测装置，该探测器包括：检量杆，用于静置在熔池中时获取温度分布数据，还用于在熔池中转动以获取电势分布数据；延伸臂，其首尾两端对应连接检量杆、手柄；延伸臂用于测量该检量杆插入熔池的深度；手柄，其内置处理器，用于综合分析接收的温度分布数据与电势分布数据得到熔池分层厚度；形成温度信息、电势信息与液位信息之间相互映射的熔池探测数据包。本实用新型综合分析获取的温度分布数据和电势分布数据，两者相互验证分辨出熔池内交界面位置，提供熔池分层内温度信息、电势信息、液位信息相互映射的熔池探测数据包，实现在线自动测量，消除了滞后及人为因素的影响，
熔池探测器探测装置

[发明专利]P+屏蔽层自钳位沟槽型碳化硅IGBT器件及其制备方法-CN202210753144.9在审
发明人：李轩;娄谦;赵汉青;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种P+屏蔽层自钳位的沟槽型碳化硅IGBT器件及其制备方法，通过引入增强型P沟道MOSFET结构实现P+屏蔽层电势自动钳位：在正向阻断区时，增强型P沟道MOSFET开启，P+屏蔽层自动钳位在低电势保护栅氧化层；在饱和区内，增强型P沟道MOSFET关断，P+屏蔽层保持浮空状态，提升近表面层载流子浓度；在有源区内，增强型P沟道MOSFET开启，屏蔽层电势钳位，降低饱和电流，提升器件短路能力。
屏蔽沟槽碳化硅 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种用于接地电阻测试仪的浪涌保护电路及装置-CN201810333565.X在审
发明人：张庭炎;陈冯进;谭胜淋 -专利权人：深圳远征技术有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明属于电子设备技术领域，提供了一种用于接地电阻测试仪的浪涌保护电路及装置，该浪涌保护电路包括：第一钳位模块、第二钳位模块、第三钳位模块，通过将所述第一钳位模块连接于所述接地电阻测试仪的接地极与电压辅助极之间，所述第二钳位模块连接于所述接地电阻测试仪的电压辅助极与电流辅助极之间，所述第三钳位模块连接于所述接地电阻测试仪的接地极与电流辅助极之间，将接地电阻测试仪的三电极之间的电势差钳位在预设区域，解决了目前采用三极法对接地电阻进行测试时，由于辅助极与大地连接，当发生雷击或者浪涌的情况时，三极中的任两极之间会产生电势差，当电势差达到一定程度时便会击坏接地电阻仪的问题。
接地电阻测试钳位模块浪涌保护电路电势差电流辅助电压辅助接地电阻接地极三极电子设备预设区域辅助极三电极雷击浪涌钳位两极测试

[实用新型]一种用于接地电阻测试仪的浪涌保护电路及装置-CN201820543608.2有效
发明人：张庭炎;陈冯进;谭胜淋 -专利权人：深圳远征技术有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型属于电子设备技术领域，提供了一种用于接地电阻测试仪的浪涌保护电路及装置，该浪涌保护电路包括：第一钳位模块、第二钳位模块、第三钳位模块，通过将所述第一钳位模块连接于所述接地电阻测试仪的接地极与电压辅助极之间，所述第二钳位模块连接于所述接地电阻测试仪的电压辅助极与电流辅助极之间，所述第三钳位模块连接于所述接地电阻测试仪的接地极与电流辅助极之间，将接地电阻测试仪的三电极之间的电势差钳位在预设区域，解决了目前采用三极法对接地电阻进行测试时，由于辅助极与大地连接，当发生雷击或者浪涌的情况时，三极中的任两极之间会产生电势差，当电势差达到一定程度时便会击坏接地电阻仪的问题。
接地电阻测试钳位模块浪涌保护电路电势差电流辅助电压辅助接地电阻接地极三极本实用新型电子设备预设区域辅助极三电极雷击浪涌钳位两极测试

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