“用非晶硅膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5113962个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN99126727.3无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体电路及半导体器件-CN99110391.2无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
半导体电路半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN94104267.7无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： H01L29/768 文献下载
摘要：本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种金属元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将金属元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体电路及其制造方法-CN01116633.9无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手,然后,如此形成含至少一种催化元素的第二层,以便与非晶硅膜紧密连接,或将催化元素掺入非晶硅膜中,用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射,再使该非晶硅膜晶化
半导体电路及其制造方法

[发明专利]硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟的清洗方法-CN202010448482.2在审
发明人：张梦葛;张胜军;沈梦超;绪欣;吴智涵;顾振华;黄海冰 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B08B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟的清洗方法，包括碱洗步骤：通过碱液清除石墨舟上的非晶硅。本发明采用碱液清洗硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟，能清除石墨舟上沉积的非晶硅，避免石墨舟上沉积的非晶硅影响硅片PECVD镀非晶硅膜的效果，避免出现镀膜不均，硅片及舟壁表面爆膜、脱膜，镀膜速率下降，甚至出现无法继续镀膜的情形
硅片 pecvd 镀非晶硅用石墨清洗方法

[发明专利]应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法-CN200910116082.5有效
发明人：陈良范;罗毅;李晨 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，它包括以下步骤：用绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干等宽的凹槽；在透明导电膜上沉积出非晶硅膜或微晶硅膜；在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用绿激光分别刻出一条凹槽；在非晶硅或微晶硅膜上沉积负电极膜；再使用绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的凹槽的同向旁侧，三次刻槽在同一台激光刻膜机的平台上完成。
应用激光制备薄膜太阳能电池方法

[发明专利]制造互补MOS半导体器件的方法-CN98100382.6无效
发明人：伊藤浩 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-01-24 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制备互补MOS半导体器件的方法，其步骤为在半导体衬底的主表面上形成栅绝缘膜；在所说栅绝缘膜上形成第一非晶硅膜；在所说第一非晶硅膜的表面上形成约1nm厚的氧化物膜；在所说氧化物膜上形成第二非晶硅膜；退火所说第一和第二非晶硅膜，以便所说第一和第二非晶硅膜结晶；将所说第一非晶硅膜和所说第二非晶硅膜形成为栅极，同时将n型杂质离子注入到nMOSFET区中，将p型杂质离子注入到pMOSFET区中；用快速热退火激活所说n和p型杂质。
制造互补 mos 半导体器件方法

[发明专利]应用红、绿激光制备薄膜太阳能电池的方法-CN200910116083.X无效
发明人：陈良范;宁海洋;沈峰 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：应用红、绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，为：用红外激光在衬底玻璃的透明导电膜上刻出多条等宽的凹槽；采用等离子体增强化学气相沉积法在导电膜上沉积非晶硅膜或微晶硅膜；在非晶硅膜或微晶硅膜上位于导电膜上的每条凹槽的同向旁侧处用绿激光分别刻出一条凹槽；采用磁控溅射法在非晶硅膜或微晶硅膜上沉积负电极膜；再用绿激光对负电极膜、非晶硅膜或微晶硅膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的每条凹槽的同向旁侧处。
应用激光制备薄膜太阳能电池方法

[实用新型]一种具备钝化介质氧化膜的HJT电池结构-CN202222237935.4有效
发明人：杨飞;倪志春;连维飞;张景洋 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种具备钝化介质氧化膜的HJT电池结构，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述硅衬底正面的非晶硅本征层的外侧设有N型非晶硅掺杂层，硅衬底背面的非晶硅本征层的外侧设有P型非晶硅掺杂层，所述N型非晶硅掺杂层的外侧设有一层正面TCO导电膜，所述P型非晶硅掺杂层的外侧设有一层背面TCO导电膜；所述正面TCO导电膜外侧的电极之间设有一层钝化介质氧化膜，所述正面TCO导电膜和背面TCO导电膜的外侧均设有若干电极。本实用新型用铝浆料预烧结方式实现了局部的P++层，实现了对硅片热处理及吸杂处理，提高了硅片内在品质。
一种具备钝化介质氧化 hjt 电池结构

[发明专利]多晶硅型太阳能电池板及其制造方法-CN201210560046.X无效
发明人：山西齐;中山一郎;奥村智洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅型太阳能电池板，通过用少工序且短时间形成形成有pn结的多晶硅膜，降低成本。具体而言，提供多晶硅型太阳能电池板的制造方法，该方法具有：使用由掺杂为n型或p型的硅构成的蒸镀材料，通过蒸镀在基板表面形成非晶硅膜的工序；对所述非晶硅膜的表层，用p型或n型掺杂剂进行等离子体掺杂的工序；以及在所述等离子体掺杂后的非晶硅膜上扫描等离子体，使非晶硅膜熔融且再晶化的工序。
多晶太阳能电池板及其制造方法

[发明专利]一种高效HJT电池结构及其制备方法-CN202211022623.X在审
发明人：杨飞;倪志春;连维飞;张景洋 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及的一种高效HJT电池结构及其制备方法，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述硅衬底正面的非晶硅本征层的外侧设有N型非晶硅掺杂层，硅衬底背面的非晶硅本征层的外侧设有P型非晶硅掺杂层，所述N型非晶硅掺杂层的外侧设有一层正面TCO导电膜，所述P型非晶硅掺杂层的外侧设有一层背面TCO导电膜；所述正面TCO导电膜外侧的电极之间设有一层钝化介质氧化膜，所述正面TCO导电膜和背面TCO导电膜的外侧均设有若干电极本发明用铝浆料预烧结方式实现了局部的P++层，实现了对硅片热处理及吸杂处理，提高了硅片内在品质。
一种高效 hjt 电池结构及其制备方法

[发明专利]晶体管和半导体电路-CN94102725.2无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;竹村保彦;山本睦夫 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。
晶体管半导体电路

[发明专利]晶体管、半导体电路及其制造方法-CN98116320.3无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;竹村保彦;高山彻;山本睦夫 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 1999-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触,或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜,使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT,从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。
晶体管半导体电路及其制造方法

[发明专利]非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201410764284.1有效
发明人：高桥和也;古泽纯和;冈田充弘;米仓大雅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化
非晶硅结晶方法化硅膜半导体装置制造

[发明专利]柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910198262.2无效
发明人：彭祥军;杨英颖;刘远祥;程琳 -专利权人：彭祥军;杨英颖
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅薄膜柔性光伏电池，由如下膜层依次排列组成：不锈钢箔-铝-氧化锌铝膜-非晶硅或微晶硅n1层-非晶硅或微晶硅i1层-非晶硅或微晶硅p1层-非晶硅b1层-非晶硅n2层-非晶硅i2层-非晶硅同时提供了一种上述柔性光伏电池的制备方法，依次包括如下步骤：不锈钢箔抛光清洗；PVD真空镀铝膜；PVD真空镀氧化锌铝膜；PECVD真空镀非晶硅膜或非晶硅-微晶硅膜系；PVD真空镀氧化铟锡膜；PVD镀银浆栅线本发明采用双结非晶硅-非晶硅或非晶硅-微晶硅电池结构，可大大提高良品率，耗能与耗材都非常少，可大幅度降低制造成本。
柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top