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[发明专利]柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收层的制备方法-CN200710151040.6有效
发明人：方小红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明属于柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收层的制备方法，柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池，为多层膜结构，包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极，其特点是：衬底层为柔性金属材料或聚酰亚胺；柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的吸收层制备方法，其特点是：衬底用柔性金属或聚酰亚胺膜，磁控溅射沉积0.5-1.5μm厚的底电极Mo，再在Mo薄膜上制备金属预制层，真空密封，放入炉中升温，固态硒源所在区域温度控制在180-300℃，进行硒化处理，使金属预制层转变半导体薄膜通过采用在真空密封石英管中的硒或硫的饱和蒸汽压下进行硒化或硫化，工艺过程可控重复性好，减少了硒或硫的用量，过程可控，设备简单。
柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收制备方法

[发明专利]铜铟镓硫硒太阳能电池、薄膜吸收层及其制备方法-CN201310198708.8有效
发明人：徐东;徐永清;汤珅 -专利权人：徐东
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种铜铟镓硫硒薄膜吸收层制备方法，包括以下步骤制备前驱体溶液;制备前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行热处理；制备具有Ga梯度分布的CuIn1‑xGaxS2薄膜；将Ga梯度分布的CuIn1‑xGaxS2薄膜在硒化炉中进行硒化处理，制得CuIn1‑xGax(S,Se)2薄膜吸收层。本申请还公开一种铜铟镓硫硒薄膜吸收层和包括铜铟镓硫硒薄膜吸收层的电池。由于前驱体溶液组分可调，通过调整溶液中In︰Ga摩尔比，实现Ga在吸收层中的梯度分布；同时利用硒化过程中Se原子部分取代S原子的体积膨胀效应，使铜铟镓硫硒薄膜的结构致密化，且通过Se原子取代S原子可以调节吸收层的禁带宽度
铜铟镓硫硒太阳能电池薄膜吸收及其制备方法

[发明专利]太阳能电池CIGS靶材的制备方法-CN201310740633.1有效
发明人：陈进中;莫经耀;吴伯增;林东东;甘振英 -专利权人：柳州百韧特先进材料有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池的CIGS吸收层，具体说是太阳能电池CIGS靶材的制备方法,其包括制取铜铟镓粉末；将铜铟镓粉末与硒粉得到铜铟镓硒混合料；将混合料置于钢模中加压制成坯体；点燃坯体反应生成烧结体；将其球磨粉碎本发明采用先制备铜铟镓粉末，再与硒粉混合的方式，不仅解决硒与镓或铟直接混合可能产生剧毒或爆炸的问题，而且制得的粉末粒径均匀，为生产高质量的靶材提供强有力的物质基础。
太阳能电池 cigs 制备方法

[实用新型]一种铜铟镓硒薄膜电池控制系统-CN201220734675.5有效
发明人：于素豪 -专利权人：汉能科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铜铟镓硒薄膜电池控制系统，尤其涉及一种共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜工艺中的控制系统，其包括真空室、蒸发源、基片、加热模块和控制系统，所述控制系统仅包括温度控制系统。本实用新型通过温度变化为控制特征的控制系统实现了铜铟镓硒薄膜电池制备工艺低成本，以及通过控制系统直接影响系统制备CIGS薄膜的质量。
一种铜铟镓硒薄膜电池控制系统

[发明专利]铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法-CN200510011858.9无效
发明人：张弓;庄大明;丁晓峰;韩东麟;查杉 -专利权人：清华大学
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，是在钠钙玻璃Mo衬底上，先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层，再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuIn合金靶和CuGa合金靶，或采用CuInGa合金靶；硒化反应或硫化反应在真空中进行，先将硒源或硫源均匀升温，在金属预制层表面蒸发上一层硒或硫，再通过卤钨灯照射加热金属预制层，发生硒化或硫化反应，最终得到铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层。本发明在硒源或硫源预蒸发完成后不必保持充足的硒或硫气氛，设备简单，能源消耗小，适用于工业化生产。
铜铟镓硒铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒废料的回收方法-CN201810475806.4在审
发明人：刘凯华;李胜春;潘勇进;谭明亮 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒废料的回收方法。所述方法包括：对铜铟镓硒废料进行破碎，得到铜铟镓硒颗粒；将第一硫酸溶液与所述铜铟镓硒颗粒按照第一液固比混合，加热并通入富氧空气，经过第一次浸出得到第一混合浸出液；在所述第一混合浸出液中依次加入强碱、还原剂，经过第二次浸出得到镓酸钠溶液和混合浸出渣；将第二硫酸溶液与所述混合浸出渣按照第二液固比混合，加热并通入富氧空气，经过第三次浸出得到第二混合浸出液；稀释所述第二混合浸出液，加入调配试剂得到预设电解液；对所述预设电解液进行电沉积，得到铜铟硒薄膜。
铜铟镓硒混合浸出液浸出富氧空气硫酸溶液电解液浸出渣液固比预设加热强碱铜铟硒薄膜镓酸钠溶液回收回收工艺电沉积还原剂稀释回收率破碎调配

[发明专利]新型PN型钙钛矿/铜铟镓硒双结薄膜电池制备方法-CN201510217903.X在审
发明人：马给民;保罗·比蒂;陈浩 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种双结“P‑N型钙钛矿/铜铟镓硒”电池，由上层P‑N型钙钛矿电池和下层铜铟镓硒电池构成。上层P‑N型钙钛矿电池包括透明基板、透明电极、N型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、P型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、透明后电极；下层铜铟镓硒电池包括基底、钼电极、铜铟镓硒光吸收层、硫化镉缓冲层上层P‑N型钙钛矿的禁带宽度约为1.8eV，与下层铜铟镓硒的1.1eV十分匹配，可充分利用太阳光谱。
新型 pn 型钙钛矿铜铟镓硒双结薄膜电池制备方法

[发明专利]一种室内应用的弱光型铜铟镓硒太阳能电池的制备方法-CN202011542727.4有效
发明人：胡煜霖;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种室内应用的弱光型铜铟镓硒太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：（1）在衬底上沉积Mo背电极；（2）在Mo背电极上共蒸法沉积CIGS光吸收层；（3）在CIGS光吸收层上沉积缓冲层；（4）在缓冲层上磁控溅射沉积高阻i‑ZnO层或ZnxMg(1‑x)O层，以及ITO层或AZO层；（5）利用气氛炉对铜铟镓硒太阳能电池进行退火；（6）制备CIGS柔光电池的上电极，获得弱光型铜铟镓硒太阳能电池；（7）对弱光型铜铟镓硒太阳能电池进行切割、封装，最终获得成品。本发明制备的弱光型铜铟镓硒太阳能电池在较低的光照度下具有良好的光电性能，属于环境友好型产品，非常适合作为室内弱光太阳能电池进行使用。
一种室内应用弱光型铜铟镓硒太阳能电池制备方法

[发明专利]一种高质量CIGS薄膜太阳能电池吸收层的制备方法-CN201610263497.5有效
发明人：杜祖亮;程轲;胡俊霞 -专利权人：河南大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于一种高质量CIGS薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，包括以下步骤：①提供基底，利用铜铟镓合金靶，采用磁控溅射法在基底上形成铜铟镓合金预制层，铜铟镓合金靶的原子数为Cu:In:Ga=50:35:15；②将铜铟镓合金预制层放入快速退火炉中，35~40s内升温至545~555℃，然后采用固态硒源在545~555℃下硒化20~30 min，自然冷却至室温，即可得到CIGS薄膜太阳能电池吸收层。本发明采用特定比例的铜铟镓三元合金靶，解决了多步溅射的生产成本较高的问题，并避免了高毒、高污染H2Se气体的使用，通过严格的硒化工艺条件得到电池级高质量的CIGS薄膜太阳能电池吸收层材料。 1
铜铟镓吸收层铜铟镓合金靶预制层基底硒化制备合金磁控溅射法快速退火炉吸收层材料工艺条件固态硒源三元合金电池级高污染原子数放入溅射生产成本

[发明专利]从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法-CN201810220315.5在审
发明人：马保中;王成彦;陈永强;邵爽;邢鹏 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法，属于资源二次利用技术领域。该方法将铜铟镓硒(CIGS)废电池芯片进行衬底剥离，将剥离后的有价金属层电溶解得到混合液；混合液通过萃取将有机相和水相分离；有机相经过反萃、电积得到阴极铜；往水相中通入SO2还原硒，过滤得滤液一；将滤液一进行除杂/分离，得到含锌、镉、钼、铝、锡的渣和滤液二；滤液二进行中和沉淀，得到中和沉淀液和中和沉淀渣；中和沉淀液还原得到粗铟，粗铟提纯得到高纯铟；中和沉淀渣进行碱浸，碱浸渣返回中和沉淀；碱浸液电解得到粗镓和电解贫液，粗镓提纯得到高纯镓，电解贫液返回碱浸。本发明能够实现铜、铟、镓、硒的高效选择性浸出，具有良好的应用前景。
中和沉淀铜铟镓硒废电池回收有价金属电解贫液芯片混合液提纯粗铟粗镓碱浸还原高效选择性衬底剥离二次利用有价金属返回电溶解高纯铟高纯镓碱浸液碱浸渣相分离阴极铜有机相除杂电积反萃浸出萃取电解过滤剥离应用

[发明专利]铜铟镓硒靶材金属化层制备方法-CN201510232814.2在审
发明人：吕宏;谢元锋;夏扬 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒靶材金属化层制备方法，在制备铜铟镓硒靶材的同时制备金属化层，属于有色金属加工领域。首先，将石墨垫板置于热压炉模具的下压头上，然后将金属片放在石墨垫板上，放入铜铟镓硒粉料，再放入上压头，将模具放于热压炉中进行热压烧结，在升温的同时加压，进行保温保压，然后冷却至室温；然后，将靶材从热压炉中取出本发明方法得到的铜铟镓硒靶材金属化层易于钎焊；导电、导热性能好；成本低，与靶材制备过程同步，大大降低生产成本。
铜铟镓硒靶材金属化制备方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置及其制备方法-CN201110418886.8有效
发明人：尹苓;肖旭东;张康 -专利权人：香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层，其中，背电极层为石墨烯薄膜。通过采用电学性能优异的石墨烯薄膜取代传统的Mo背电极，不仅能够节约Mo原料，而且由于电池的衬底和背电极透光，使得电池上下面都有光的吸收，进入电池中光通量增加，从而可以产生更多的电子空穴对，使得铜铟镓硒薄膜电池装置能够在相对较薄的光吸收层下仍保持很高的光电转换效率此外，本发明还涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置的制备方法。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池装置及其制备方法

[发明专利]一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法-CN201610266729.2有效
发明人：杜祖亮;程轲;薛明 -专利权人：河南大学
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为本底真空为4~5×10‑4Pa，工作压强0.5~0.6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒吸收层。该发明将所制备的CIG预制层在特定的真空条件下进行快速退火硒化处理，即可得到电池级的、高质量的CIGS吸收层薄膜。
一种直流溅射制备铜铟镓硒吸收方法

[发明专利]多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法-CN201010111482.X无效
发明人：陈文仁;杨益郎;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，为一种非真空制作方法，用以在非真空下一钼层上形成多层均匀的光吸收前驱层。其主要利用调配铜铟镓硒(硫)浆料时，除了原始使用正常比例的铜铟镓硒(硫)化合物以外，另外添加过量VIA族元素粉末，除可补充VIA族元素的含量外，也可以取代原使用的界面活性剂和接着剂，将浆料涂布成两层以上涂层可使含IB/IIIA/VIA的化合物易于进行扩散和反应，另将IA-IIIA族化合物(例如NaIn)加入铜铟镓硒(硫)吸收层中，可调整光吸收层的能带宽，以吸收更多光能。
多层铜铟镓硒光吸收前驱制造方法

[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜的方法-CN201010541572.2无效
发明人：王天兴;杨海刚;宋桂林;夏存军;李超;李苗苗;常方高 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，本发明涉及一种化合物半导体薄膜的制备方法，本发明目的是提供一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，该制备方法的路线短、容易操作且成膜质量好。本发明的技术方案是，一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，包括基片准备，预溅射，清除基片表面杂质，基片旋转速率，溅射气压，溅射功率，基片温度，后退火处理，铜、铟、镓和硒共溅射沉积，射频溅射的靶基距离为4-8cm，
一种制备铜铟镓硒薄膜方法