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[发明专利]门氧化膜形成用硅化铪钯及其制造方法-CN02811705.0有效
发明人：入间田修一;铃木了 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及由HfSi_1.02－2.00构成的门氧化膜形成用硅化铪靶。得到了适合形成可代替SiO₂膜作为高介电率门绝缘膜使用的HfSiO和HfSiON膜，加工性和耐脆化性卓越的硅化铪钯及其制备方法。
氧化形成用硅化铪钯及其制造方法

[发明专利]一种二硅化铪的生产工艺-CN202010719585.8有效
发明人：张洪涛 -专利权人：辽宁中色新材科技有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：一种二硅化铪的生产工艺，将二氧化铪粉和硅粉真空条件下球磨混料，用液压机压块后，放入真空烧结炉中进行烧结，精整，去除包覆铪表面的白色二氧化硅粉体，然后放入真空球磨机中球磨制粉，投入氢氧化钠加入60℃蒸馏水清，烘干，得到含硅铪粉；检测含硅铪粉中硅含量，并根据铪粉中硅含量投入硅粉，在真空球磨机中在惰性氩气保护下球磨5小时，放入真空自蔓燃炉中，抽真空，加热点火电极，引燃铪粉，铪粉和硅粉自蔓延化合反应，获得二硅化铪以二氧化铪粉为原料，原料成本相对于海绵铪成本低廉；硅粉为还原剂，不引入其它杂质，该方法整个过程工艺合理，适合工业化生产，获得的二硅化铪产品纯度高，合金化程度可以达到100％。
一种二硅化铪生产工艺

[发明专利]一种高弹性材料用复合金属制品-CN201611118533.5在审
发明人：李文君 -专利权人：常熟市隆通金属制品有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明揭示了一种高弹性材料用复合金属制品，包括表层的第一金属层和内层的第二金属层，所述第一金属层由铜、铍、锆、铑、硅以及钼组成，各成分所占重量份数分别为所述铜占82‑88份，所述铍占8‑12份，所述锆占5‑9份，所述铑占3‑6份，所述硅占1‑4份，所述钼占2‑5份，所述第二金属层由铜、铍、钴、铬、钯以及铪组成，各成分所占重量份数分别为所述铜占89‑96份，所述铍占11‑15份，所述钴占5‑8份，所述铬占6‑9份，所述钯占3‑7份，所述铪占2‑6份。
一种弹性材料复合金属制品

[发明专利]一种二硅化钼包覆硼化钽-碳化铪球形粉体及其制备方法-CN202110664756.6有效
发明人：柳彦博;马壮;刘玲;高丽红;朱时珍;委思豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及复合粉体材料技术领域，提供了一种二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体及其制备方法。本发明通过球磨和喷雾干燥造粒制备硼化钽‑碳化铪团聚粉体，然后将团聚粉体进行感应等离子球化处理，实现粉体的烧结致密化，之后在所得硼化钽‑碳化铪球形粉体表面包覆一层二硅化钼包覆层，得到核壳结构的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体。本发明制备的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体致密度以及内聚力高，球形度高，流动性好，满足等离子喷涂对于粉体的要求，且二硅化钼的熔点低于硼化钽，在等离子喷涂过程中，可以熔化的更加充分，提高涂层的致密性，二硅化钼包覆层还可以抑制等离子喷涂过程中碳化铪的挥发，降低碳化铪的损失。
一种二硅化钼包覆硼化钽碳化球形及其制备方法

[发明专利]一种二硼化铪-二硅化钽复合粉体及其制备方法-CN202111315077.4有效
发明人：柳彦博;谢明劭;刘少璞;王一帆 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硼化铪‑二硅化钽复合粉体及其制备方法，属于复合粉体材料技术领域。本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体为熔融共晶态，成分包括二硼化铪与二硅化钽，所述二硼化铪与二硅化钽的质量比为2～11:1。本发明使用二硅化钽作为二硼化铪的改性成分，一方面，二硅化钽的高温氧化产物SiO2能够作为很好高温封填相，对二硼化铪涂层的孔洞缺陷进行封填；另一方面，二硅化钽的另一高温氧化产物因此，本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体具有良好的高温抗氧化烧蚀特性。
一种二硼化铪二硅化钽复合及其制备方法

[发明专利]硅化铪靶及其制造方法-CN03801249.9有效
发明人：入间田修一;铃木了 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供由Hf_0.82－0.98组成的栅氧化膜形成用硅化铪靶，其中氧含量为500～10000ppm。制造了栅氧化膜形成用硅化铪靶，其中合成具有由Hf_0.82－0.98构成的组成的粉末，将其粉碎到100目或小于100目，然后在1700℃～2120℃和150～2000kgf/cm硅化铪靶，以及制造方法，适于形成可以作为耐脆化性优异的高介电栅绝缘膜的HfSiO和HfSiON膜，粒子的产生少，并且在其制造过程中不可能产生烧结粉的发火或粉尘的爆炸。
硅化铪靶及其制造方法

[发明专利]一种耐高温抗氧化金属陶瓷复合涂层及其制备方法-CN201210246195.9无效
发明人：陈照峰;吴王平 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C30/00 文献下载
摘要：所述的难熔金属为钼、钽、锆和铪中的一种或多种；所述的难熔碳化物组成为碳化硅，以及碳化钽、碳化锆和碳化铪中的一种或多种；所述的金属间化合物组成为硅化钼、硅化钽、硅化锆、硅化铪、碳硅化钽、碳硅化锆和碳硅化铪中的一种或多种
一种耐高温氧化金属陶瓷复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种自蔓延法生产高纯硅化铪的工艺-CN202110038809.3有效
发明人：张洪涛 -专利权人：辽宁中色新材科技有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：一种自蔓延法生产高纯硅化铪的工艺，将氧化铪和石墨粉加入粘合剂，放入真空球磨机中，混料，用油压机压成圆饼后，装入真空电阻烧结炉的石墨坩埚中；抽真空开始升温反应，反应完成后，停电随炉降温，得到高纯铪；将高纯铪和硅粉加入硝酸钠和粘合剂用油压机压成圆饼后，装入真空自蔓延炉中的石墨坩埚中，圆饼逐层堆放成锥形，放入镁粉作为点火剂，抽真空，升温，加热钨丝点燃镁粉，通过热传递逐步引燃所有圆饼，发生自蔓延反应，自蔓延反应完毕，随炉降温，得到高纯硅化铪优点是：工艺条件简单、可控，摆脱了用单质合成的高成本生产工艺，产品纯度高，可以大规模工业化生产。
一种蔓延生产高纯硅化铪工艺

[发明专利]一种二硼化铪-二硅化钽复合涂层及其制备方法-CN202111315092.9在审
发明人：柳彦博;谢明劭;刘少璞;王一帆 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硼化铪‑二硅化钽复合涂层及其制备方法，属于复合涂层技术领域。本发明使用二硼化铪‑二硅化钽复合粉体作为涂层原料，其中二硅化钽作为二硼化铪的改性成分，一方面，二硅化钽的氧化产物SiO2能够作为很好高温封填相，对二硼化铪涂层的孔洞缺陷进行封填；另一方面，二硅化钽的另一氧化产物Ta2O5能够与HfO2发生固溶反应形成HfTaO本发明采用大气等离子喷涂的方式制备涂层，二硼化铪‑二硅化钽粉体沉积效率高，在喷涂过程中能够充分熔融且不发生分解。
一种二硼化铪二硅化钽复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种基于硅衬底的氧化铪空心微针及制备方法-CN201610730862.9有效
发明人：张永华;斯蒂芬.A.坎贝尔 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底的氧化铪空心微针及制备方法，其制备方法包括：单晶硅片的准备；硅片表面形成二氧化硅；硅片正面甩光刻胶、烘胶并图形化；刻蚀二氧化硅层得到微针的刻蚀窗口；硅片各向异性刻蚀得到锥形尖端；硅片深反应离子刻蚀得到深孔；原子层沉积方法沉积氧化铪膜；硅上氧化铪的完全刻蚀；硅片背面的碱性溶液湿法刻蚀，露出氧化铪微针末端；Oxford刻蚀机刻蚀掉氧化铪微针末端；硅片背面继续碱性溶液湿法刻蚀得到裸露的氧化铪微针阵列所制得的氧化铪空心微针呈柱状空心结构，微针末端为开口或不开口；本发明微针既可用于TDD，也可用于生物医学取样分析、用做生物医学用微电极。
一种基于衬底氧化空心制备方法

[发明专利]一种铜-铪-磷中间合金及其制备方法-CN201510101747.0有效
发明人：左敏;赵德刚;王振卿;耿浩然 -专利权人：济南大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜-铪-磷中间合金及其制备方法，属金属材料的合金制备技术领域。本发明的铜-铪-磷中间合金，其中，铪：8.95–16.0%，磷：1.47–8.0%，铜：余量；磷以磷化铪和铜三磷的形式存在，磷化物性质稳定且磷的含量可高达8.0％。本发明的铜-铪-磷中间合金可将A390合金内初晶硅相由100μm细化至20μm以下。通过将本发明的中间合金的加入到铝-硅合金内，引入合金化元素铪，同步实现细化、合金化过程；向铝合金中引入铪元素，显著提高了合金的力学性能，特别是高温力学性能。本发明的制备方法工艺简单、绿色无污染，通过原料、工艺条件的搭配，可得到含磷量高达8.0%的铜-铪-磷中间合金。
一种中间合金及其制备方法

[发明专利]用于储氢和回收氢的组合物及方法-CN200410103188.9无效
发明人： J·P·莱蒙;W·P·明尼尔;L·N·布鲁尔;S·H·汤森 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：这里公开了一种储氢组合物，其包含分布在储存组合物上的催化剂组合物；其中该催化剂组合物包括钙、钡、铂、钯、镍、钛、铬、锰、铁、钴、铜、硅、锗、铑、铑、钌、钼、铌、锆、钇、钡、镧、铪、钨、铼、锇、铱的合金，
用于回收组合方法

[发明专利]树脂分散硼化铪碳化硼-碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014343.2有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：树脂分散硼化铪碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm³石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行树脂分散硼化铪填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得树脂分散硼化铪碳化硼‑碳纤维摩擦材料。本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充硼化铪、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，适应各种气候条件的摩擦材料。
硼化铪树脂分散碳化硼制备碳纤维摩擦材料摩擦材料埋入渗硅沉积石墨化碳纤维氮化氮化处理气候条件渗碳处理填充处理高摩擦高韧性石墨化碳化硅碳纤维渗碳填充

[发明专利]乙醇分散硼化铪碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014311.2有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：乙醇分散硼化铪碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行乙醇分散硼化铪填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得乙醇分散硼化铪碳化硼本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充硼化铪、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，能适应各种气候条件的摩擦材料。
乙醇分散硼化铪碳化碳纤维摩擦材料制备方法

[发明专利]一种含铪硅硼碳氮高温吸波陶瓷及其制备方法和应用-CN202210048349.7在审
发明人：孔杰;宋燕;刘子玉;朱润秋 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种含铪硅硼碳氮吸波陶瓷的制备方法，属于吸波材料技术领域。首先制备超支化聚合物，再与四(二乙基氨基)铪进行交联，将铪元素引入超支化聚合物中形成含铪聚硼硅氮烷前驱体，最后通过热解实现前驱体到陶瓷的转化。此方法获得的含铪聚硼硅氮烷前驱体结构可控，经热解得到的含铪硅硼碳氮陶瓷在高温退火时能够生成HfC相、SiC相、HfB2相。
一种含铪硅硼碳氮高温陶瓷及其制备方法应用

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