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[实用新型]G7+多晶硅锭开方用晶锭座-CN202023008571.X有效
发明人：周晓康;陈发勤 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种G7+多晶硅锭开方用晶锭座，包括晶锭座台面基板，晶锭座台面基板呈四方形结构，晶锭座台面基板上表面设有49个台面支撑柱，49个台面支撑柱呈正方形阵列排布，台面支撑柱上设有硅锭硅块粘胶台面，晶锭座台面基板四条边均设有7个硅锭边皮粘胶台面，硅锭边皮粘胶台面上设有边皮保护插销孔；晶锭座台面基板边长为1324mm，硅锭硅块粘胶台面的边长为125mm，相邻两个硅锭硅块粘胶台面之间的间距为44mm，硅锭边皮粘胶台面的长度为125mm，硅锭边皮粘胶台面的宽度为50mm。本实用新型设计了用于G7+硅锭开方的晶锭座，使正常G7开方机在不改变开方机内部结构尺寸的情况下具备切割G7+硅锭的能力。
g7 多晶开方用晶锭座

[发明专利]一种高效率的热交换法蓝宝石省胶粘锭方法及其装置-CN201911284676.7在审
发明人：杨瑜锋;陈涛;周林 -专利权人：广东富源科技股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率的热交换法蓝宝石省胶粘锭装置，包括支撑座和固定耳；所述的支撑座上设有凹槽；所述的固定耳数量为二，对称焊接在支撑座两侧。本发明还公开了一种高效率的热交换法蓝宝石省胶粘锭方法。本发明涉及晶锭加工领域，能够减少粘锭工艺中AB胶的使用量，增加粘锭强度，避免了晶锭脱胶，方便晶锭进一步加工。
一种高效率热交换蓝宝石胶粘方法及其装置

[实用新型]一种开方机的晶锭错位结构-CN202221394968.3有效
发明人：卢嘉彬;钟杨波;王金荣;叶阿康;张航;王凯;邱文杰;周锋;朱亮 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本申请涉及开方机设备领域，尤其是涉及一种开方机的晶锭错位结构，作用于承载于第一座上的晶锭，包括：错位机构，所述错位机构包括：作用单元，所述作用单元相对于晶锭具有移动自由度，所述作用单元作用于晶锭上，使得晶锭切割后形成的晶砖受所述作用单元带动而发生位移解决了如何减少蓝宝石晶锭边缘废料的技术问题；达到减少蓝宝石晶锭边缘废料的技术效果。
一种开方错位结构

[实用新型]切割晶锭用钻石线-CN201922397655.8有效
发明人：黄文瑞;颜光甫;黄颂修;巫纪禹 -专利权人：硕禾电子材料股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型通过一种切割晶锭用钻石线，基本上由绞合线、包覆绞合线的钻石颗粒以及连结所述钻石颗粒与所述绞合线的连结层所构成。所述绞合线可为单芯绞线或者由数条绞线所组成。所述切割晶锭用钻石线具有高强度与高张力。因此，本实用新型的切割晶锭用钻石线可维持甚至加强切割晶锭用钻石线本身的韧性，以延长切割晶锭用钻石线的使用率，并符合目前钻石线细线化的发展，藉此降低切割所致的晶锭损耗量。
切割晶锭用钻石

[实用新型]晶锭冲洗机-CN200820216075.3无效
发明人：王仁杰;韩红江 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶锭冲洗装置，尤其是用高压水流冲洗表面杂质的晶锭冲洗机。它具有放置晶锭的晶托，晶锭周圈设置有对晶锭冲洗的高压水路和对晶锭吹干的压缩气路，高压水路中依次设置有高压水泵和水路调压阀并由管道连通输送，压缩气路内充由气路调压阀调节的压缩气源并通过管道连通输送，压缩气路管道与高压水路管道交汇连通，并通过自动喷头对晶锭整个表面依次进行冲洗、吹干，晶托下方设置有排水装置。用高压水清洗能快速除去表面杂质，用压缩气体可快速吹干表面水残留；冲洗水压可调，冲洗点分布均匀，覆盖整个可能的有沙浆的表面；有手动气喷头和手动水喷头，可局部清洗。
冲洗

[发明专利]蓝宝石晶锭制造用长晶炉侧盾-CN201210283961.9无效
发明人：朴钟仁;洪荣坤;金玹洙;李钟赞 -专利权人： BIEMT株式会社;BIAM株式会社
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及蓝宝石晶锭制造用长晶炉侧盾。本发明的蓝宝石晶锭制造用长晶炉侧盾，其包括重叠摆放，以多层结构环抱蓝宝石晶锭长晶炉的两个以上圆筒形隔热板；介于各圆筒形隔热板之间，维持各圆筒形隔热板之间间隔的隔圈；贯穿组装两个以上圆筒形隔热板的组装部件本发明的蓝宝石晶锭制造用长晶炉侧盾易于提高蓝宝石晶锭长晶炉内的影响温度分布的侧盾形状精密度和摆放精密度。
蓝宝石制造用长晶炉侧盾

[发明专利]一种晶锭切割工装-CN201510401580.X有效
发明人：戴佳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶锭切割工装，包括切割装置，用于对晶锭进行切割；工作台，用于承载和定位晶锭；升降装置，用于对工作台进行升、降操作；动力装置，用于对升降装置提供动力；其特征在于所述工作台包括底部座板（1）和若干有序排列的用于承载晶锭的上托板（3），底部座板（1）与升降装置连接，底部座板（1）和上托板（3）通过底部托架（2）连接，上托板（3）具有向上倾斜的工作面（3a），上托板的末端形成与工作面垂直的挡板（3b）；每一上托板（3）上分别承载一块晶锭。本发明具通过切割工装中工作台的结构，使放置晶锭的上托板向上倾斜设置，有效地利用了空间，提高了产能和生产效率，降低了晶块的制造成本。
一种切割工装

[实用新型]一种晶硅棒晶硅锭切割用锯床承接台-CN201020591711.8无效
发明人：钱其峰;钱鹏飞 -专利权人：浙江芯能光伏科技有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶硅棒晶硅锭切割用锯床承接台。包括M型承接座和L型承接座，所述M型承接座设置于所述L型承接座之上。多晶硅块的切割时，可取下M型承接座，利用L型承接座；单晶硅棒切割时，可以重新将M型承接座安装于L型承接座上。采用本实用新型，能分别完成单晶硅棒和多晶硅锭的切割，使切割车间对于单晶硅棒、多晶硅块的生产安排更加灵活。
一种晶硅棒晶硅锭切割锯床承接

[发明专利]一种半绝缘型SiC晶锭的水射流激光滚圆系统-CN202111407816.2在审
发明人：郭辉 -专利权人：郭辉
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种半绝缘型SiC晶锭的水射流激光滚圆系统包括：旋转装置以及晶锭籽晶部位夹具，晶锭籽晶部位夹具位于所述旋转装置之上，与旋转装置同步转动，激光微水射流对所述SiC晶锭滚圆过程中，水导激光头垂直于旋转装置的旋转平面或平行于旋转平面沿着滚圆轨迹的切线方向，伺服电机驱动小齿轮，小齿轮带动大齿轮旋转，大齿轮上方安装座与卡盘体连接从而驱动晶锭籽晶部位夹具旋转，带动SiC晶锭做圆周运动以使SiC晶锭的切割点位于激光微水射流的切割区域的核心区域。本发明通过加紧放松装置控制软爪手动或者自动精确固定SiC晶锭的滚圆切削点位置，实现材料的快速滚圆，因此可以提高SiC晶锭的加工效率以及精度。
一种绝缘 sic 水射流激光滚圆系统

[发明专利]单晶锭的制造方法和单晶晶片的制造方法-CN202011188769.2在审
发明人：森山隼;阿部淳;丹野雅行;桑原由则 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供能够以良好的成品率制造结晶性优异的单晶锭的单晶锭的制造方法、和能够制造器件特性优异的晶片的单晶晶片的制造方法。本发明的单晶锭的制造方法包括：准备第一单晶锭的步骤；从第一单晶锭切出评价用基板102和晶种用锭103，在晶种用锭上形成投影面104的步骤；对评价用基板102测定局部音速，在评价用基板上的测定的音速的测定值为规定范围内的位置配置正常点105的步骤；在投影面上配置正常点105的映射107的步骤；从晶种用锭切出包含通过正常点105的映射107且与晶体生长轴平行的直线的晶体片109的步骤；和将晶体片109用作晶种制作第二单晶锭的步骤。本发明的单晶晶片的制造方法包括将通过本发明的单晶锭的制造方法制造的第二单晶锭切片制作单晶晶片的步骤。
单晶锭制造方法晶片

[发明专利]一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法-CN201611124203.7有效
发明人：高飞;李晖;张弛;徐世海;王磊;王添依;张海磊;张颖武;司华青 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：步骤如下，用平面磨床将CdS晶锭的生长面磨平；用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向；对CdS晶锭进行滚圆，然后进行主参考面和副参考面制作；用真空吸附台将CdS晶锭吸附住，晶锭的主参考面朝下；调整电火花切割机切割参数，对晶锭进行切割；切割完成后，依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗，然后将卡具放在温度为80℃的热水中，使胶软化，将晶片取下，进行下一步操作。采用非接触式的电火花切割技术对n型CdS晶锭进行切割，可以大大的提高切割效率、减少碎片的产生。
一种采用电火花切割技术快速 cds 单晶体方法

[发明专利]一种导电型SiC晶锭的水射流激光滚圆系统-CN202111406440.3在审
发明人：郭辉 -专利权人：郭辉
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种导电型SiC晶锭的水射流激光滚圆系统包括：旋转装置以及磁吸盘，磁吸盘位于所述旋转装置之上，与旋转装置同步转动；在对SiC晶锭滚圆时，水导激光头垂直于旋转装置的旋转平面或沿SiC晶锭的滚圆轨迹切线方向，伺服电机驱动小齿轮，小齿轮带动大齿轮旋转，大齿轮上方安装座与磁吸盘连接，完成动力传动和减速，从而驱动磁吸盘旋转，带动SiC晶锭做圆周运动以使SiC晶锭的滚圆轨迹位于激光微水射流的切割工作区，完成SiC晶锭滚圆工艺。本发明能够在微水射流切割工作区内精确定位SiC晶锭的滚圆切削点位置，且通过一次磁吸和软爪辅助固定就可实现材料的快速滚圆，提高SiC晶锭的加工效率以及精度。
一种导电 sic 水射流激光滚圆系统

[实用新型]一种硅锭长晶用支撑装置-CN201721495628.9有效
发明人：刘耀峰 -专利权人：无锡荣能半导体材料有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C30B28/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅锭长晶用支撑装置，包括定向块，在所述定向块下方设置有支撑柱，在所述定向块上方设置有垫板，在所述定向块四周分别设置有隔热条，所述隔热条将所述定向块四周表面进行全部覆盖。本实用新型所公开的硅锭长晶用支撑装置，通过在定向块四周设置隔热条，使坩埚四边热量不容易散失，相对提高了硅锭边缘的温度，更好的保证硅锭长晶温度，保证硅锭晶柱笔直而且均匀往上生长，更有效的使硅锭边角的长晶稳定及定向
硅锭定向块支撑装置隔热条本实用新型四边四周表面支撑柱边角垫板晶柱坩埚保证生长覆盖

[实用新型]一种蓝宝石晶锭侧立式回转开方夹具-CN201621354019.7有效
发明人：卢敬中;杨瑜锋 -专利权人：广东富源科技股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型为一种蓝宝石晶锭侧立式回转开方夹具，包括夹具本体，所述夹具本体底面为平面，所述夹具本体上表面的一条侧边开设有向另一相对侧边延伸的凹槽，所述凹槽与蓝宝石晶锭的侧面相匹配，夹具本体底面为平面方便放置于回转工作台上，因为晶锭的形状为圆台形，即横截面均为圆形，为了配合带锯机切割需要将晶锭横置，夹具本体上表面开设的凹槽可以使晶锭垂直固定，并且凹槽与蓝宝石晶锭的侧面相匹配可以保证晶锭的垂直度，达到保证晶体A轴角度与晶体长晶的A轴角度相同；另外，横置的晶锭与凹槽的接触面积较小，需要将晶锭粘在夹具本体上所需要使用的胶量少减少了用胶成本，与此同时等待胶干的时间也短，减少了等待时间。
一种蓝宝石晶锭侧立式回转开方夹具

[发明专利]一种半导体级石英环的生产工艺-CN202110565286.8有效
发明人：杨军;房玉林;邹琴 -专利权人：江苏富乐德石英科技有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体级石英环的生产工艺，涉及半导体高纯石英加工环领域，该生产工艺中使用的石英材料是高纯石英母材，通过晶锭切割、水切割、平面研磨、MC加工、脱脂洗净、化学洗净、包装，最终得到半导体级石英环，该生产工艺的优点是工艺路线简单，石英加工制品尺寸精度高，表面洗净洁净度高，可批量制造，能够满足目前半导体行业需求；该生产工艺中通过使用晶锭切割设备对石英锭进行晶锭切割，该晶锭切割设备通过限位座、夹持机构将石英锭夹持，夹持稳定性高，避免了石英锭在切割时晃动导致切割不够平整，保证了晶锭切割的精确度，也降低了石英锭原料的损耗，自动化程度高，使用便捷。
一种半导体石英生产工艺

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