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- [发明专利]遮蔽构件和具备该遮蔽构件的单晶生长装置-CN201910369851.6有效
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藤川阳平
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昭和电工株式会社
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2019-05-06
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2021-06-22
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C30B29/36
- 本发明的遮蔽构件配置于单晶生长装置内，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器、原料收纳部、基板支持部和加热装置，所述原料收纳部位于所述晶体生长用容器内的下部，所述基板支持部配置在所述原料收纳部的上方，且以与所述原料收纳部相对的方式支持基板，所述加热装置配置在所述晶体生长用容器的外周，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华而在所述基板上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件是在所述原料收纳部与所述基板支持部之间配置使用的，所述遮蔽构件由至少1个结构体构成，所述结构体具有非平板形状，所述非平板形状是将所述结构体配置于所述装置内时，所述基板支持部侧的面为倾斜面的形状。
- 遮蔽构件具备生长装置
- [实用新型]一种单晶生长炉-CN202020215338.X有效
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李海峰;夏俊超;吴思;朱英浩;周鹏飞;涂保
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澳门大学
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2020-02-26
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2020-09-18
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C30B15/00
- 本实用新型涉及晶体生长设备领域，提供了一种单晶生长炉，包括炉本体和提拉控制机构，炉本体包括耐高压外壳、保温盒体，保温盒体内具有晶体生长内腔，耐高压外壳套设于保温盒体外，耐高压外壳和保温盒体之间以及保温盒体内部充有高压气体，高压气体连通有耐高压气体进气管；提拉控制机构包括穿过耐高压外壳和保温盒体用于与位于晶体生长内腔内的籽晶连接的提拉杆。该单晶生长炉可有效抑制熔体挥发，提高晶体生长质量，适合用于生长具有高挥发性材料以及易与空气或空气中的水蒸气发生反应的材料，如金属、合金等化合物。
- 一种生长
- [实用新型]一种层架式光照植物生长箱-CN202121294345.4有效
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伍晋平;成石良
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广东泰宏君科学仪器股份有限公司
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2021-06-09
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2021-12-14
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A01G9/16
- 本实用新型公开一种层架式光照植物生长箱，包括生长箱，及安装在所述生长箱内的植物种植架，所述生长箱为长方体设置；所述植物种植架设置有若干块，并为倾斜设置，所述植物种植架依次在所述生长箱内自上往下进行组合，且呈Z字形分布安装，所述植物种植架包括倾斜设置的板体，以及通过将钢板通过螺钉固定在板体上的、内部填充土壤的种植槽；通过将植物种植架依次在生长箱内自上往下进行且呈Z字形分布安装，能够配合光照灯对种植槽内的植株进行均匀照射，同时也使得喷雾头能够对植株进行均匀喷雾灌溉，因此有效促进植株的光合作用，使栽培在该层架式光照植物生长箱内的植株稳定生长。
- 一种架式光照植物生长
- [发明专利]自动控制种植柜种植空间大小的系统及方法-CN201610615529.3在审
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马姣
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深圳前海弘稼科技有限公司
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2016-07-29
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2016-11-09
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A01G9/16
- 本发明公开了一种自动控制种植柜种植空间大小的系统，包括柜体，还包括：信息采集装置，用于采集柜体内植物的生长信息；伸缩支架，用于控制种植柜的顶层或底层上下移动；控制装置，用于接收信息采集装置采集的生长信息，并根据生长信息控制伸缩支架伸缩。还公开一种自动控制种植柜种植空间大小的方法，包括：信息采集装置获取种植柜内植物的生长信息，并将生长信息发送给控制装置；判断生长信息是否满足预设条件；若否，则控制伸缩装置调节种植柜内的种植空间大小。控制装置通过信息采集装置采集的生长信息判断柜体的空间是否可以满足植物的生长，若否，则自动控制伸缩支架来调节柜体的空间大小，不仅可以提高空间利用率，还有利于植物生长。
- 自动控制种植空间大小系统方法
- [发明专利]一种可升降的MPCVD生长台-CN202310593020.3在审
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徐丰;周健泉
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佛山市海光智能科技有限公司
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2023-05-24
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2023-09-05
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C23C16/458
- 本发明公开了一种可升降的MPCVD生长台，包括底板、盖板升降驱动装置、上密封盖、下密封板、第一水冷组件和生长台升降驱动装置；上密封盖与盖板升降驱动装置连接；上密封盖与下密封板围成反应腔；下密封板设有金刚石生长台，金刚石生长台设有升降通槽和定位环；定位环套设于升降通槽；生长台升降驱动装置与定位环连接，第一水冷组件用于冷却定位环。本申请将样品金刚石放置于钼托上进行生长后，随着样金刚石的不断生长，样品金刚石会与等离子体越来越近，所以可以通过生长台升降驱动装置驱动定位环在升降通槽内升降，调节样品金刚石与等离子体之间的距离，避免样品金刚石太靠近等离子体而导致过热，保证金刚石不断生长，确保金刚石沉积质量。
- 一种升降mpcvd生长
- [发明专利]一种氧化锌单晶薄膜的制备方法-CN201510533156.0有效
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王惠琼;李亚平;郑金成;李晓军
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厦门大学
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2015-08-27
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2017-11-07
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H01L21/02
- 1)衬底预处理；2)衬底表面处理；3)缓冲层的生长；在377℃温度条件下，同时通入无等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第一层缓冲层的生长；在255℃温度条件下，同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第二层缓冲层的生长；4)氧化锌薄膜的生长；同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行氧化锌薄膜的生长，即完成氧化锌单晶薄膜的制备。在立方相衬底上，通过调节氧化锌生长过程中初始生长时氧气的活性，极大改善了由于晶格不匹配导致结晶质量差的问题，同时抑制了缺陷发光强的缺点，也克服高温生长对设备和生长条件的苛刻要求。
- 一种氧化锌薄膜制备方法
- [发明专利]外延结构的制备方法-CN201410118380.9有效
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魏洋;范守善
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清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
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2014-03-27
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2017-11-14
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H01L33/00
- 本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤提供一基底，该基底具有一外延生长面；在该基底的外延生长面设置一碳纳米管膜，该碳纳米管膜与所述基底的外延生长面接触，该碳纳米管膜具有多个间隙，使得部分所述外延生长面通过所述多个间隙暴露；在该基底的外延生长面沉积一掩模预制体层覆盖所述碳纳米管膜，该掩模预制体层的厚度小于该碳纳米管膜的厚度，且所述掩模预制体层部分沉积于所述碳纳米管膜的表面，部分沉积在所述暴露的部分外延生长面；去除所述碳纳米管膜得到一图案化掩模，该图案化掩模具有多个开口从而使得该外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。
- 外延结构制备方法
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