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[发明专利]一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜-CN201810753153.1在审
发明人：龚国华;何江 -专利权人：深圳通感微电子有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜，该方法包括：S1、旋涂转移涂层：选择表面满足光学级平整度的衬底，对衬底进行清洗烘干并在衬底表面上旋涂转移涂层；S2、固化：蒸发并冷却旋涂转移涂层后的衬底，以固化转移涂层；S3、沉积：选用金属材料，在固化的转移涂层表面沉积以生成预设厚度的金属薄膜；S4、剥离：在常温下将带有金属薄膜的衬底置于可溶解转移涂层的有机溶剂中，以分离金属薄膜；S5、转移：保持金属薄膜为展开状态并转移金属薄膜至无氧条件下烘干，以得到最终的独立金属薄膜。实施本发明能够获取满足要求的独立金属薄膜制备，方法简单易行，且成本低。
金属薄膜转移涂层独立金属薄膜衬底制备固化旋涂表面沉积衬底表面分离金属金属材料清洗烘干无氧条件有机溶剂展开状态常温下光学级可溶解平整度烘干上旋预设沉积薄膜冷却蒸发剥离

[发明专利]一种应变感应膜的制备方法、应变感应膜以及压力传感器-CN202180018080.1在审
发明人：陈之昀;吕少龙;黄拓夏;余锦波;李灏 -专利权人：深圳纽迪瑞科技开发有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种应变感应膜的制备方法、应变感应膜以及压力传感器，制备方法包括：对半导体晶圆进行减薄处理，形成半导体薄膜(S10)；在半导体薄膜上贴装芯片粘贴薄膜(102)(S20)；对半导体薄膜进行切割处理，形成独立应变膜(101)(S30)；将独立应变膜(101)转移到基板(100)上，并将独立应变膜(101)完全贴附到基板(100)上(S40)；对独立应变膜(101)上的金属焊垫与基板(100)对应的金属焊垫进行电连接处理(S50)；对独立应变膜(101)进行包封处理(S60)，从而在对传感器薄膜进行封装时存在的缺陷。
一种应变感应制备方法以及压力传感器

[发明专利]降低母板翘曲的成膜方法-CN201810622176.9有效
发明人：胡小波 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：所述降低母板翘曲的成膜方法包括如下步骤：提供一母板，所述母板包括阵列排布的多个面板区以及位于各个相邻的面板区之间的间隔区；在所述间隔区上形成分隔挡墙；在所述母板上沉积金属薄膜，沉积时所述金属薄膜在所述分隔挡墙处自然断开，使得所述金属薄膜包括分别对应所述多个面板区的多个金属独立区块，通过在成膜之前先在间隔区内形成分隔挡墙，以使得成膜过程中金属薄膜被分隔挡墙分隔成多个独立区块，从而释放金属薄膜的应力，降低母板翘曲，减少母板在移位过程中的破片风险
降低母板方法

[发明专利]一种金属/聚合物复合三维微纳米结构的制备方法-CN201710417321.5有效
发明人：王哲;付婷婷;王晓楠 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属/聚合物复合三维微纳米结构的制备方法，属于微纳米加工技术领域。所述方法包括在基底A上旋涂牺牲层，在牺牲层上旋涂非水溶性聚合物薄膜，形成双层聚合物薄膜；在双层聚合物薄膜的非水溶性聚合物薄膜上制备金属微纳米图案；将牺牲层溶解掉形成无支撑的独立薄膜；用基底B承接漂浮着的独立薄膜，形成复杂的金属/聚合物微纳米结构。通过上述方法制备得到的金属/聚合物微纳米结构分辨率可以达到纳米级别，十分适于低成本、大面积的三维立体结构加工。
一种金属聚合物复合三维纳米结构制备方法

[发明专利]内含植入物的独立气室夹层膜-CN200510023107.9无效
发明人：吴劲松 -专利权人：吴劲松
申请日： 2005-01-04 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： B32B27/18 文献下载
摘要：本发明属于塑料技术领域，独立气室夹层膜是在两层塑料薄膜中间夹有独立气室，独立气室可以设计成任意形状，但独立气室的隔膜垂直于内外两层塑料薄膜，并将两层塑料薄膜之间的空间分割成无数个独立气室。本发明是在独立气室夹层膜的制造过程中，在独立气室内植入粉状、颗粒状、糊状物体或者液体，制成品即为内含植入物的独立气室夹层膜。内含植入物的独立气室夹层膜的膜原料为任一种薄膜级树脂。同时，内含植入物的独立气室夹层膜、普通独立气室夹层膜、内含植入物的汽垫膜(另一项中国专利)、普通汽垫膜(原料为任一种薄膜级树脂)、金属膜、其他薄膜可以多重复合。
内含植入独立夹层

[发明专利]单层薄膜结构触控传感装置-CN202210829267.6在审
发明人：叶飞;郑琦林;刘月豹;石李武;晏竹冰 -专利权人：安徽方兴光电新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明给出了一种单层薄膜结构触控传感装置；包括薄膜载体、透明金属线路层和若干架桥单元；薄膜载体表面设为可视区域和外围走线区域，透明金属线路层的若干导电金属条状模块依次间隔分布在薄膜载体表面可视区域上，若干导电金属条状模块构成若干独立的导电金属驱动通道；每组感应金属模块组包括若干独立的导电金属块状模块；同组感应金属模块组中任意相邻两个导电金属块状模块之间通过所述架桥单元连通，架桥单元至的导电层两端分别搭接在对应的两个导电金属块状模块上；每组感应金属模块组与若干架桥单元共同构成导电金属感应通道
单层薄膜结构传感装置

[发明专利]金属化电容器的T型膜-CN201210102253.0无效
发明人：谭建国 -专利权人：安徽鑫阳电子有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01G4/015 文献下载
摘要：一种金属化电容器的T型膜，涉及电容器技术领域，包括薄膜体，其特征在于：所述薄膜体表面上镀有金属条，金属条镀成多个相互独立的T型结构，薄膜体为聚丙烯薄膜，金属条为锌铝合金。本发明结构设计更加合理，薄膜体上镀的金属条之间通过微型保险丝连接，微型保险丝动作后更容易开路失效，增强防爆效果，微型保险丝反应非常灵活，自愈可靠。
金属化电容器型膜

[发明专利]一种减小感压薄膜焊接应力的电容压力传感器-CN202011444346.2在审
发明人：裴晓强;成永军;孙雯君;丁栋;习振华;董猛;吴成耀;宋伊;高洁 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小感压薄膜焊接应力的电容压力传感器，通过增加了感压薄膜专用机架，并将感压薄膜与感压薄膜专用机架独立焊接，独立结构的感压薄膜机架与上下机架体接触部分少，受到机架体的热冲击及机械振动影响较小，因此消除了传统结构感压薄膜与机架之间的二次焊接应力，改善了因机械应力、温度等引起的感压薄膜与金属外壳之间的应力对测量的影响，显著减小了感压薄膜与金属外壳边缘之间产生的寄生电容，提高了电容薄膜压力计测量精度
一种减小薄膜焊接应力电容压力传感器

[实用新型]金属化电容器的T型膜-CN201220146934.2有效
发明人：谭建国 -专利权人：安徽鑫阳电子有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01G4/015 文献下载
摘要：一种金属化电容器的T型膜，涉及电容器技术领域，包括薄膜体，其特征在于：所述薄膜体表面上镀有金属条，金属条镀成多个相互独立的T型结构，薄膜体为聚丙烯薄膜，金属条为锌铝合金。本实用新型结构设计更加合理，薄膜体上镀的金属条之间通过微型保险丝连接，微型保险丝动作后更容易开路失效，增强防爆效果，微型保险丝反应非常灵活，自愈可靠。
金属化电容器型膜

[发明专利]一种氧化锌掺杂气敏薄膜的制备方法-CN200810203888.3无效
发明人：刘延辉;周细应;何佳 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明属于磁控溅射沉积气敏薄膜技术领域，具体的说是一种氧化锌掺杂气敏薄膜的制备方法，在超高真空磁控溅射镀膜装置中采用金属锌作为靶材，或用金属锌作为靶材基质并将所要掺杂的呈独立块状的氧化物或呈独立块状的单质金属均匀分布在溅射刻蚀区组成的复合靶作为靶材；以管状绝缘材料或片状绝缘材料为基底，控制基底匀速转动进行磁控溅射沉积薄膜；然后进行热氧化处理，得到气敏薄膜。与现有技术相比，本发明工艺简单，制备的气敏薄膜厚度精确，成分均匀，结构稳定，生产效率高，制备的气敏薄膜厚度精确，成分均匀，结构稳定，生产效率高。
一种氧化锌掺杂薄膜制备方法

[发明专利]一种透明的独立二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法-CN201611024735.3有效
发明人：沈文浩;童欣;陈小泉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明的独立二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法。该方法以金属钛箔为基底，在金属钛箔表面经阳极氧化得到的二氧化钛纳米管阵列薄膜通过高温退火后，二氧化钛纳米管阵列膜自然脱落，得到透明的独立二氧化钛纳米管阵列薄膜。本发明方法操作简单，节约时间及成本，制备出可完整剥离的二氧化钛纳米管阵列薄膜，且不破坏二氧化钛管的形貌；独立完整的二氧化钛纳米管阵列薄膜方便转移及后加工，且具有透明特性，能更好地应用于光催化等研究中。
一种透明独立氧化纳米阵列薄膜制备方法

[实用新型]一种干式电容器-CN201220544318.2有效
发明人：易文锋;杜宝玉 -专利权人：佛山市顺德区胜业电气有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种干式电容器，包括芯子，芯子由金属化薄膜和网状金属化薄膜复合层叠卷绕成型，所述网状金属化薄膜上设有至少一条绝缘分隔带，绝缘分隔带将网状金属化薄膜分隔成互相独立的至少两部分的网状金属化薄膜层，使两部分的网状金属化薄膜层构成内串式结构；在网状金属化镀层上实现内串结构，能有效的减小两层电极间薄膜的厚度，提高薄膜的卷绕及热聚合性能，减少了由于薄膜间气隙造成网状镀层内导电桥提前失效的可能性，从而保证此类电容器寿命更长
一种电容器

[发明专利]金属化电容器的波浪分切边T型膜-CN201210102007.5无效
发明人：谭建国 -专利权人：安徽鑫阳电子有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：一种金属化电容器的波浪分切边T型膜，涉及电容器技术领域，包括薄膜体，薄膜体表面上镀有金属条，金属条镀成多个相互独立的T型结构，其特征在于：所述薄膜体的连接边设置成波浪形，薄膜体为聚丙烯薄膜，金属条为锌铝合金
金属化电容器波浪切边型膜

[实用新型]金属化电容器的波浪分切边T型膜-CN201220147128.7有效
发明人：谭建国 -专利权人：安徽鑫阳电子有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：一种金属化电容器的波浪分切边T型膜，涉及电容器技术领域，包括薄膜体，薄膜体表面上镀有金属条，金属条镀成多个相互独立的T型结构，其特征在于：所述薄膜体的连接边设置成波浪形，薄膜体为聚丙烯薄膜，金属条为锌铝合金
金属化电容器波浪切边型膜

[发明专利]声表面波双工器及多工器-CN202310156770.4在审
发明人：石海平;傅肃磊;窦韶旭;王为标;刘平 -专利权人：无锡市好达电子股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H03H9/72 文献下载
摘要：该声表面波双工器/多工器，包括压电基底以及位于所述压电基底上的金属薄膜图案，金属薄膜图案包括天线端子、独立端子、滤波器金属薄膜图案以及接地端子，通过在压电基底的上方设置金属屏蔽环，并且将金属屏蔽环围绕至少一个滤波器金属薄膜图案的部分或全部
表面波双工器多工器

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