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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]树脂膜形成用片及树脂膜形成用复合片-CN201680003816.7有效
发明人：小桥力也;佐伯尚哉;米山裕之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面
树脂形成复合

[发明专利]树脂膜形成用片及树脂膜形成用复合片-CN202011201640.0有效
发明人：小桥力也;佐伯尚哉;米山裕之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面
树脂形成复合

[发明专利]外延片形成方法及使用该方法形成的外延片-CN200910196119.X有效
发明人：吴小利;许丹 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提出一种外延片形成方法及使用该方法形成的外延片，所述外延片形成方法，包括如下步骤(a)形成第一外延层，其掺杂率随所述外延层的厚度而变化；(b)在所述第一外延层上形成第二外延层，其掺杂率恒定。本发明的外延片具有两层不同的外延层。其中第二外延层的掺杂率保持恒定，而第一外延层的掺杂率随厚度的变化而变化。
外延形成方法使用

[发明专利]细胞片形成构件、细胞片形成构件的制造方法、及细胞片的制造方法-CN201880053662.1在审
发明人：得能寿子;本乡弘毅;筱塚启 -专利权人：王子控股株式会社
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：一种细胞片形成构件，其具备用于形成细胞片的表面，表面具备多个平坦部和多个凹凸部。各平坦部具有在第1方向延伸的形状，且多个平坦部在整个表面沿着与第1方向交叉的第2方向排列。
细胞形成构件制造方法

[发明专利]石墨烯片的形成装置与形成方法-CN201310129331.0无效
发明人：黄昆平;张志振;寇崇善;谢宇泽 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供的石墨烯片的形成装置，包括：气导管；碳氢气体源，连接至气导管前段以提供碳氢气体通过气导管；微波源，提供微波经导波管通过气导管中段，使碳氢气体形成微波等离子体火焰，其中微波等离子体火焰使碳氢气体裂解后并形成石墨烯片；以及收集管，连接至气导管后段以收集石墨烯片。
石墨形成装置方法

[发明专利]树脂膜形成用片材-CN201710463373.6在审
发明人：久保田新;村上幸范;野村秀一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： B32B7/06 文献下载
摘要：本发明的课题为提供一种可抑制卷成卷筒状时在树脂膜形成层上产生卷痕的树脂膜形成用片材。本发明的树脂膜形成用片材由将支撑片、树脂膜形成层及剥离膜依次层叠而成，剥离膜的厚度为50μm以上。
树脂形成用片材

[发明专利]纳米片及其形成方法-CN202211685832.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种纳米片及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面形成初始堆叠层，所述初始堆叠层包含交替堆叠的多层牺牲氧化层和多层牺牲氮化层；形成多个沟槽，所述沟槽贯穿所述初始堆叠层并暴露出所述半导体衬底的表面，且所述沟槽将所述初始堆叠层划分为多个区域；在所述沟槽内形成氧化层；在每个区域内形成一个或多个贯穿槽，所述贯穿槽贯穿所述初始堆叠层并暴露出所述半导体衬底的表面；去除与所述贯穿槽接触的初始堆叠层中的牺牲氮化层；在所述贯穿槽内以及去除所述牺牲氮化层后暴露出的空间形成外延生长结构，以得到纳米片堆叠层。
纳米及其形成方法

[发明专利]保护膜形成用片-CN202180020576.2在审
发明人：根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。其中，该课题通过形成下述的保护膜形成用片而得到了解决：所述保护膜形成用片具有固化性树脂膜(x)与支撑片(Y)的层叠结构，其用于在具有多个凸块、且满足表示具有经窄间距化了的凸块的特定要件的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(X)，所述保护膜形成用片满足以拉伸模量E’限定的特定要件。
保护膜形成

[发明专利]形成滤光片的方法-CN200710097157.0有效
发明人：蔡馥娟;连水池;李淑琴;陈文龙;王薇雅;林永茂;林永龙;曹俊杰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：在此揭示一种形成滤光片的方法，包含下列步骤：提供一基板；形成黑矩阵于基板上，以定义出至少一像素区域；使用一喷头，沿着第一方向将喷头相对地由至少一像素区域的一端朝向另一端移动，在喷头相对于基板移动时，通过一预定程序控制
形成滤光方法

[发明专利]形成滤光片的方法-CN200810174303.X有效
发明人：蔡馥娟;连水池;李淑琴;陈文龙;王薇雅;林永茂;林永龙;曹俊杰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：在此揭示一种形成滤光片的方法，包含下列步骤：提供一基板；形成黑矩阵于基板上，以定义出至少一像素区域；使用一喷头，沿着第一方向将喷头相对地由至少一像素区域的一端朝向另一端移动，在喷头相对于基板移动时，通过一预定程序控制
形成滤光方法

[发明专利]形成滤光片的方法-CN200810174304.4有效
发明人：蔡馥娟;连水池;李淑琴;陈文龙;王薇雅;林永茂;林永龙;曹俊杰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：在此揭示一种形成滤光片的方法，包含下列步骤：提供一基板；形成黑矩阵于基板上，以定义出至少一像素区域；使用一喷头，沿着第一方向将喷头相对地由至少一像素区域的一端朝向另一端移动，在喷头相对于基板移动时，通过一预定程序控制
形成滤光方法

[发明专利]保护膜形成用片-CN201680063564.7有效
发明人：山岸正宪;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护膜形成用片(1)，其是在第1支撑片(101)上层叠热固性树脂层(12)而成的，其中，热固性树脂层(12)是用于粘贴于半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在所述表面形成第1保护膜的层，热固性树脂层(12)的第1支撑片(101)侧表面在热固化前的表面自由能与第1支撑片(101)的热固性树脂层(12)侧表面的表面自由能之差为10mJ/m2以上。
保护膜形成

[发明专利]树脂膜形成用复合片-CN201910163992.2有效
发明人：吾妻祐一郎;土山佐也香;加太章生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：在粘着片上形成有树脂膜形成用膜的这一结构的树脂膜形成用复合片中，提高使用树脂膜形成用膜形成树脂膜的元件(例如半导体芯片)的可靠性，并提高带有树脂膜形成用膜的元件从粘着片上的拾取适应性。本发明的树脂膜形成用复合片，具有在基材上具有粘着剂层的粘着片、及设置在该粘着剂层上的热固化性树脂膜形成用膜，该树脂膜形成用膜含有具有反应性双键基团的粘合剂成分，该粘着剂层由能量线固化型粘着剂组合物的固化物或非能量线固化型粘着剂组合物构成
树脂形成复合

[发明专利]转写片及其形成方法-CN200910160874.2无效
发明人：上田贤司;蚁坂裕一 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明披露了一种转写片及其形成方法。该转写片包括支撑基板、设置在支撑基板上的光热转换层以及设置在光热转换层上的钝化层。
转写及其形成方法

[发明专利]外延片及其形成方法-CN201110149740.8无效
发明人：李园;赵东晶 -专利权人：王楚雯;赵东晶
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种外延片，包括：Si晶圆；形成在所述Si晶圆之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列；形成在所述多个凸起结构顶部的第一半导体材料薄层，且所述第一半导体材料薄层中的一部分相对于所述Si晶圆悬空；和形成在所述第一半导体材料薄层之上的过渡层和氮化物系化合物半导体材料层。通过多个凸起结构可以有效释放Si晶圆和氮化物系化合物半导体材料层之间的热失配应力，从而有利于形成大尺寸的外延片。
外延及其形成方法

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