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[发明专利]一种防错层装置-CN201811024429.9在审
发明人：秦富军 -专利权人：西南铝业（集团）有限责任公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： B65H23/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种防错层装置，包括：承载轴；设置在所述承载轴上的限位片，两个所述限位片形成的、位于所述承载轴下方的空隙供带材穿过，两个所述限位片阻止所述带材轴向窜动，两个所述限位片形成防错层单元，用于支撑所述承载轴的机架本发明中的防错层装置包括承载轴、限位片以及机架。限位片设置在承载轴上。承载轴设置在机架上。两个限位片之间形成间隙，该间隙中位于承载轴下方的部分共带材穿过。两个限位片形成了防错层单元。防错层单元的防错层原理如下：两个限位片阻止带材轴向窜动，迫使带材按照预定的路线卷入到卷轴上，那么就防止了带材卷到卷轴上后发生错层，从而提高了收卷质量。
限位片承载轴错层带材轴向窜动卷轴穿过带材卷收卷卷入支撑

[发明专利]硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法-CN201110375564.X有效
发明人：赵丽霞 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法，包括下述步骤：（1）设定表面颗粒测试仪的颗粒直径测试区间；（2）将待测试的抛光片或外延片放在测试台上，开始依次测试，并记录下每个区间的颗粒数据；（3）将颗粒数据进行分档，然后从颗粒多的档位开始分别对每个档位的最高值抽取一片腐蚀看缺陷，直至腐蚀到没有见缺陷的档位，记录这个档位数值为A；（4）抽测2-3片A档位的抛光片或外延片，确认未见层错及位错缺陷；（5）把A减10设定为分检层错及位错缺陷的标准；（6）检验其它的抛光片或外延片，高于标准的标为层错及位错缺陷不合格。
抛光外延片层错缺陷无损检测方法

[发明专利]局部错层复合片材加工方法-CN202110751161.4有效
发明人：赖焜;尉晓东;杨权平;刘志坚 -专利权人：麦格磁电科技（珠海）有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B32B37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种局部错层复合片材加工方法，包括如下步骤：a)模切复合多层材料；b)覆盖第一片状材料；c)模切第一片状材料；d)压合。本发明通过模切及压合等工艺形成具有小轮廓的第一片状材料，从而加工出复合片材所需的局部错层，进而形成具有局部错层的复合片材。
局部复合加工方法

[实用新型]刹车片防错涂胶装置-CN201721641355.4有效
发明人：岳磊;黄明哲;何宗仁 -专利权人：国泰汽车零部件有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B65G47/256 文献下载
摘要：本实用新型涉及刹车片技术领域，具体地，涉及一种刹车片防错涂胶装置，包括支撑架和滑动设置在支撑架上的运输带，所述的支撑架上布置带有凸部的防错组件，所述的凸部低于凸起高度，如此，通过设有带有凸部的防错组件，当摩擦材料层朝上放置的刹车经过防错组件时，此时的刹车片是紧贴输送带放置的，防错组件的凸部直接阻挡刹车片通过防错组件，当钢背朝上放置时，摩擦材料层两端设有的凸起高于防错组件上设有的凸部，刹车片的底部形成的间隙能够容纳凸部，从而保证钢背朝上放置的刹车片顺利通过防错组件，解决了现有技术中通过人工检查时无法避免错涂导致浪费加工材料且效率低下的问题。
防错刹车片凸部朝上放置支撑架摩擦材料层涂胶装置钢背凸起输送带本实用新型滑动设置加工材料人工检查运输带紧贴刹车容纳阻挡保证

[发明专利]利用层错减少位错和应力的方法、LED外延片及应用-CN202011136251.4在审
发明人：周圣军;唐斌;宫丽艳 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用层错减少位错和应力的方法、LED外延片及应用，适用于半导体技术领域。本发明利用所述方法生长的LED外延片结构包括蓝宝石衬底以及由下至上依次生长的层错诱导层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层。本发明利用层错诱导层在外延生长的未掺杂GaN材料中形成基面层错，可以弥补GaN与蓝宝石的晶格常数失配，从而降低GaN外延薄膜的位错密度和残余应力，尤其适用于在未掺杂GaN层上构建高铟组分InGaN/GaN
利用减少应力方法 led 外延应用

[实用新型]一种定向钻穿越FBE管外保护层结构-CN201922402474.X有效
发明人：郭文;卫明凯;邓会龙 -专利权人：西安思卓新材料科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： F16L9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种定向钻穿越管道FBE外保护层结构，FBE管外表面依次包覆有无溶剂环氧胶粘剂层、光固化预浸料片材层和阻隔层；至少两片所述光固化预浸料片材以错缝的形式叠层形成第一组片材，所述第一组片材缠绕在所述无溶剂环氧胶粘剂层上；第二组片材具有与第一组片材相同的结构，安装时所述第二组片材的错缝搭接在所述第一组片材的错缝上。本实用新型的定向钻穿越FBE管外保护层结构，光固化预浸料片材按错缝叠层的方式缠绕在所述FBE管外表面，使得安装完成后管道表面平整光滑无棱台，极大限度的避免了定向钻穿越过程中卡钻的事故风险。
一种定向穿越 fbe 保护层结构

[实用新型]一种双频毫米波天线-CN202022895894.9有效
发明人：戴令亮;侯张聚;唐小兰;赵伟;谢昱乾 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双频毫米波天线，包括地板及介质层，介质层的上表面设有第一辐射贴片及多个寄生贴片，介质层内具有与第一辐射贴片间隔设置的第二辐射贴片，第二辐射贴片上间隔设有环形的缝隙，第二辐射贴片与地板之间具有与第二辐射贴片间隔设置的邻近耦合金属片，第一辐射贴片与第二辐射贴片之间、第二辐射贴片与地板之间、邻近耦合金属片与地板之间分别设有错孔金属片，第一辐射贴片与错孔金属片之间、第二辐射贴片与错孔金属片之间、邻近耦合金属片与错孔金属片之间、相邻的两个错孔金属片之间、错孔金属片与地板之间分别设有馈电柱，多个馈电柱在垂直于地板的方向上交错设置，至少一个馈电柱设置在第二辐射片的缝隙围成的区域内。
一种双频毫米波天线

[发明专利]GaN基LED外延片及其制备方法、LED-CN202311133326.7在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种GaN基LED外延片及其制备方法、LED，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积外延层；所述外延层包括沿外延方向依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合位错阻挡层、N型GaN层及多量子阱层；所述复合位错阻挡层包括沿外延方向依次设置的位错阻挡基层、位错扭转层及晶格扭转层，所述位错阻挡基层为掺杂Mg的AlN层，所述位错扭转层为Si3N4层，所述晶格扭转层为掺杂Cr、Mg的GaN共掺层。
gan led 外延及其制备方法

[发明专利]GaN外延片及其制备方法-CN201910031467.5在审
发明人：陈弘;胡巍;马紫光;贾海强;王文新;江洋 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN外延片及其制备方法，所述GaN外延片从下至上依次包括：异质衬底；第一GaN层，所述第一GaN层的上表面具有多个位错坑；第一非晶态氮化硅颗粒，所述第一非晶态氮化硅颗粒中的至少一部分位于所述多个位错坑中；以及第二GaN层。GaN外延片的制备方法依次包括下列步骤：1)在异质衬底上形成第一GaN层；2)将第一GaN层的上表面进行湿法腐蚀以得到多个位错坑；3)在所述第一GaN层的上表面上沉积第一非晶态氮化硅颗粒；4)在所述第一GaN层的上表面和所述第一非晶态氮化硅颗粒上形成第二GaN层。本发明的制备工艺简单，成本低廉，且能极大地降低GaN外延片的位错密度。
gan 外延及其制备方法

[发明专利]一种无掩膜半导体外延片制作方法-CN200710030020.3无效
发明人：樊邦弘 -专利权人：鹤山丽得电子实业有限公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是一种无掩膜半导体外延片制作方法，先在蓝宝石衬底上用MOCVD方法生长出缓冲层，利用微影技术在缓冲层表面显影出一定图形再按照上述图形在缓冲层上刻蚀出图形窗口，然后在图形窗口上利用MOCVD方法外延生长衬底层，使衬底层完全覆盖图形窗口，最后在衬底层上继续生长形成N层、活性层和P层以得到完整的外延片，可降低外延片的位错密度，而得到低位错密度高质量的外延片。在缓冲层与N层之间可多次重复使用微影技术、刻蚀及MOCVD方法制作多层层叠的，且带有特定形状的图形窗口的衬底层形成的中间层，使最终的外延片位错密度进一步降低，外延片质量进一步提高。
一种无掩膜半导体外延制作方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202310332782.8有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片，包括：衬底，在所述衬底上依次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、位错密度控制层、n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述位错密度控制层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层上的SiN位错过滤层、AlaSibN1‑a‑b位错过滤层、In空位AlN位错湮灭层和GaN填平层，其中，沿着外延片的生长方向上AlaSibN1‑a‑b位错过滤层中Al组分逐渐增加。本发明可以降低GaN外延层位错密度，提高GaN外延层晶体质量，从而提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种三层密封垫装配防错检测方法-CN201910248235.5有效
发明人：胡云蔚;林新昌;张韬;蒋栋斌 -专利权人：上海兴盛密封垫有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G01V9/00 文献下载
摘要：本发明属于多层产品装配防错领域的一种防止产品装配错误的防错方法。技术方案为：三层密封垫包括上下叠合组装的上片密封垫、中片密封垫和下片密封垫，其中上片密封垫和下片密封垫相同，在上片密封垫和下片密封垫边缘的相同部位各加工一个防错缺口，中片密封垫在防错缺口的对应部位无缺口；在叠合后的三层密封垫下方设置防错检测装置，防错检测装置包括压阻式压力传感器和下端安装在压力传感器顶部、上端正对防错缺口的顶针；将三层密封垫向下移动至预定位置，并通过防错检测装置检测三层密封垫叠放顺序是否有误
一种三层密封垫装配检测方法

[实用新型]一种毫米波天线-CN202022891873.X有效
发明人：戴令亮;侯张聚;唐小兰;赵伟;谢昱乾 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种毫米波天线，包括地板及设置在地板上的介质层，介质层的上表面设有第一辐射贴片，介质层内具有与第一辐射贴片间隔设置的第二辐射贴片，第二辐射贴片与地板之间具有与第二辐射贴片间隔设置的耦合金属片，耦合金属片分别与第一辐射贴片和第二辐射贴片耦合，耦合金属片与地板之间具有多个间隔设置的错孔金属片，耦合金属片与错孔金属片之间、相邻的两个错孔金属片之间、错孔金属片与地板之间分别设有馈电柱，多个馈电柱在垂直于地板的方向上交错设置
一种毫米波天线

[发明专利]改善位错缺陷的外延方法及其外延片-CN202210427008.0在审
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种改善位错缺陷的外延方法及外延片。所述外延方法包括如下步骤：提供衬底；在衬底表面形成第一调制超晶格缓冲层，用于调节热失配；继续形成第二调制超晶格缓冲层，用于阻断位错；继续形成外延层。本发明通过依次衬底上方设置调节热失配和阻断位错的超晶格缓冲层，通过热膨胀系数调制和阻断位错，能够在衬底上方形成高质量外延层。
改善缺陷外延方法及其

[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法-CN202110164469.9在审
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次外延生长高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层为周期性结构，周期性结构包括交替层叠的AlN层和AlGaN层，沿外延片生长的方向，生长各个AlGaN层时的Ⅴ/Ⅲ摩尔比逐层降低。AlN层促使高温AlN缓冲层延伸上来的位错缺陷弯曲，增加位错相互湮灭几率，达到减少位错缺陷的目的，在较高的Ⅴ/Ⅲ摩尔比下AlGaN层呈现三维岛状生长，在较低的Ⅴ/Ⅲ摩尔比下AlGaN层二维生长，Ⅴ/Ⅲ摩尔比逐层降低使AlGaN层从三维生长过渡到二维生长，减小位错密度，提高晶体质量。
发光二极管外延及其制备方法

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