专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]具有盖体的保护元件-CN202221253924.9有效
  • 邱鸿智;邱柏硕 - 功得电子工业股份有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-09-27 - H01H85/08
  • 本实用新型为一种具有盖体的保护元件,包含有基座及盖体,基座上设有低熔点合金层,盖体上设有容置槽及引道,引道对应于低熔点合金层的熔断区,助熔剂点设于该盖体的容置槽上,则当助熔剂熔融时,沿容置槽流入引道,而使得助熔剂能维持于低熔点合金层的熔断区上,故制造时仅须点设助熔剂于容置槽即可,可有效减少制造步骤进而降低生产成本。
  • 具有保护元件
  • [发明专利]碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统-CN202211566479.6在审
  • 陈小龙;王国宾;郭建刚;李辉;王文军;盛达 - 中国科学院物理研究所
  • 2022-12-07 - 2023-06-23 - C30B11/00
  • 生长方法包括:将碳化硅籽晶置于坩埚的底部;将原料块覆盖在碳化籽晶上;其中原料块包括硅元素和碳元素;将助熔剂装到原料块和坩埚内壁之间的区域;对坩埚进行加热,以使助熔剂熔化;向上提拉原料块,使熔化后的助熔剂流入碳化硅籽晶和原料块之间,且使原料块的底面与助熔剂接触;经第一预设时长后,向上提拉原料块,使其与熔化的助熔剂分离;将坩埚的温度降低至指定温度,得到基于碳化硅籽晶生长的碳化硅单晶。本发明不存在或可大大减小籽晶掉落的可能性,生长前SiC籽晶被上方的原料块覆盖,阻碍了助熔剂熔体挥发物在籽晶表面上的沉积,防止了生长初期产生的大量缺陷。
  • 碳化硅生长方法坩埚系统
  • [发明专利]一种高MgO型烧结矿的复合熔剂及制备方法、及其应用-CN201310611864.2有效
  • 郭兴敏;韩冬;姚君豪 - 北京科技大学
  • 2013-11-26 - 2014-03-26 - C22B1/16
  • 本发明涉及一种高MgO型烧结矿的复合熔剂及制备方法、及其应用,属于铁矿粉烧结领域,所述复合熔剂由MgO源和水溶性添加剂组成,所述水溶性添加剂为氧化硼、氯化钙、草酸铁、硝酸铁、草酸铁铵中的一种或几种的组合物;其制备方法为,首先将水溶性添加剂溶于水中,然后倒入MgO源物质,使MgO源颗粒表面均匀附着添加剂,将其放于烘箱内95℃以下烘干,得到高MgO型烧结矿的复合熔剂。烧结时,这种复合熔剂与铁矿粉、石灰熔剂一起混合,作为MgO质熔剂,可以增加烧结矿中MgO含量到4%;同时,利用添加剂自身熔点低,提高了烧结矿化速率,以获得合理的矿物组成和矿相结构,从而提高烧结矿强度和高温冶金性能
  • 一种mgo烧结复合熔剂制备方法及其应用

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