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[发明专利]熔体本征对流波动的原位探测方法、控制方法及控制系统-CN201810149828.1有效
发明人：朱允中;王彪;林少鹏 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种熔体本征对流波动的原位探测方法，通过实时采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电信号，对所述界面相电信号进行傅里叶变换处理，提取其中的长周期信号作为熔体本征对流波动信号，根据所述熔体本征对流波动信号的波动规律获得熔体本征对流数据，以反馈晶体生长界面的对流状态。本发明还涉及一种熔体本征对流波动的控制方法，根据本发明反馈的对流状态调整晶体生长条件，以控制晶体生长界面的对流波动。本发明还涉及一种熔体本征对流波动的控制系统，包括电信号采集系统、电信号处理系统和对流调控系统。通过本发明可实时、精确的反馈晶体生长界面的熔体对流波动情况，并实现闭环控制。
对流波动原位探测方法控制控制系统

[发明专利]用于铝合金复合铸锭的包覆铸造装置和包覆铸造方法-CN201310021421.8有效
发明人：张海涛;崔建忠;秦克 -专利权人：东北大学
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： B22D19/16 文献下载
摘要：用该装置进行包覆铸造时，利用皮材结晶器带分流的热顶使皮材熔体同水平分流，到达界面各处温度相同，界面稳定；利用芯材结晶器将芯材熔体先形成一层凝固壳，然后利用皮材熔体与凝固壳的接触位置无空气存在的特点和通过工艺控制使皮材熔体与芯材凝固壳的接触高度保持5-15mm，以及控制界面两侧的芯材熔体和皮材熔体的液面差小于10mm等措施实现界面金属扩散，获得具有冶金结合界面的复合铸锭。
用于铝合金复合铸锭铸造装置方法

[发明专利]一种界面结构表征方法、系统、电子设备及存储介质-CN202311002028.4在审
发明人：刘锋;薛冬峰;陈昆峰 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本申请提供的界面结构表征方法，通过构建固‑液平衡体系，获取所述固‑液平衡体系的界面原子数密度分布，根据所述界面原子数密度分布获取界面分层，相较于之前的定性表征方法，本申请基于界面层内径向分布函数的计算结果，开发了界面结构变化的表征参数，该参数可以定量的表征界面结构的变化特征，避免了只能定性表征界面结构的局面，可以用于定量表征界面结构，可表征不同晶体取向与熔体接触时由于晶格周期场导致的界面结构的差异大小、从熔体到晶体熔体需要做多大的结构调整、从熔体到晶体结构的变化过程(突变或渐变)。
一种界面结构表征方法系统电子设备存储介质

[发明专利]用于制造半导体材料的单晶的方法-CN200910165767.9有效
发明人： W·V·阿蒙;L·阿尔特曼绍夫尔;H·里曼;J·菲舍尔 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造半导体材料的单晶的方法，该方法包括：在具有由半导体材料组成的排出管的圆盘上利用第一感应加热线圈熔化半导体材料的颗粒；由熔化的颗粒形成熔体，其由该排出管以熔体颈和熔体腰的形式延伸至相界面；利用具有开口的第二感应加热线圈将热量输入熔体，该熔体颈穿过该开口；及熔体在相界面处结晶；其特征在于，将冷却气体送至该排出管及该熔体颈，以调节该排出管与该熔体颈之间界面的轴向位置。
用于制造半导体材料方法

[发明专利]一种多层熔体高度的测量方法-CN201410304220.3有效
发明人：周萍;李家栋;石朋雨;宋彦坡 -专利权人：中南大学
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G01F23/24 文献下载
摘要：本发明提供一种液位测量方法，用以测量多层熔体中每层熔体的高度。本发明在传感器上设置多个测点，获得被测熔体不同高度区间的电阻值；基于电阻值与区间高度之间的关系，识别出分层熔体界面所在区间；利用单层熔体的电阻值，推算出分层熔体界面的准确位置，进而计算出每层熔体的高度。本发明使用多个环形测点一次性测出分层熔体的分界面高度，以及各层电阻率，简化了测量过程，提高了测量的效率，适用范围广，可用于高温、腐蚀等介质的特殊场合，可以广泛应用于石油、化工、冶金等行业中。
一种多层高度测量方法

[发明专利]外加旋转磁场和电流复合控制金属凝固相组织的方法及其熔铸装置-CN201310276680.5无效
发明人：钟云波;李甫;郑天祥;王怀;李明杰;黄靖文;雷作胜;任维丽 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： B22D27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外加旋转磁场和电流复合控制金属凝固相组织的方法和专用熔铸装置，在金属凝固过程中，首先向金属熔体凝固界面前沿的金属熔体区域施加旋转磁场，同时通过外部电源对整个连铸坯的固液界面区域附近的金属熔体施加电流，在旋转磁场和电流的复合作用下，对金属熔体凝固界面附近的金属液进行电磁复合搅拌，使金属熔体中初生晶粒之间以及初生晶粒与金属熔体之间发生碰撞、摩擦和冲刷作用，造成大尺寸初生晶粒碎断，从而细化连铸坯凝固组织
外加旋转磁场电流复合控制金属凝固组织方法及其熔铸装置

[发明专利]氮化镓单晶生长装置-CN201810733556.X在审
发明人：孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：所述装置主要利用氮等离子挥发回流方法在晶体生长界面形成过饱和熔体的方法来制备氮化镓晶体的方法及装置。利用氮等离子体挥发助熔镓‑钠‑氮熔体，镓和钠元素在高温下挥发并在冷凝器上冷却为镓‑钠熔体，镓‑钠熔体回流至回流系统中，在回流系统中不断放入氮化钠，氮化钠受热分解使得熔体处于氮饱和状态，饱和熔体回流至高温固液界面处形成过饱和熔体进行晶体生长
熔体挥发氮化镓单晶回流系统生长装置氮化钠过饱和钠熔体半导体材料晶体生长界面氮等离子体氮化镓晶体固液界面处氮等离子晶体生长熔体回流制备装置受热氮饱和冷凝器钠元素放入助熔制备冷却饱和分解

[发明专利]氮化镓单晶生长方法-CN201810733580.3在审
发明人：孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：所述方法主要利用氮等离子挥发回流方法在晶体生长界面形成过饱和熔体的方法来制备氮化镓晶体的方法及装置。利用氮等离子体挥发助熔镓‑钠‑氮熔体，镓和钠元素在高温下挥发并在冷凝器上冷却为镓‑钠熔体，镓‑钠熔体回流至回流系统中，在回流系统中不断放入氮化钠，氮化钠受热分解使得熔体处于氮饱和状态，饱和熔体回流至高温固液界面处形成过饱和熔体进行晶体生长
熔体挥发氮化镓单晶回流系统氮化钠过饱和钠熔体半导体材料晶体生长界面制备方法技术氮等离子体氮化镓晶体固液界面处氮等离子晶体生长熔体回流受热氮饱和冷凝器钠元素生长放入助熔制备冷却饱和分解

[发明专利]一种适用于铝合金电弧-熔滴-熔池耦合数值模拟的界面动量处理方法-CN202111647752.3在审
发明人：赵文勇;张栩菁;金洪西;魏艳红 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于铝合金电弧‑熔滴‑熔池耦合数值模拟的界面动量处理方法，旨在解决铝合金电弧‑熔滴‑熔池一体化数值模拟过程中易出现的电弧等离子体‑熔滴金属相界面形态失真，计算不收敛的问题。该界面动量处理方法以流体体积分数法(VOF)追踪电弧等离子体‑金属相界面为应用前提，主要实施在一体化模型动量方程构建和求解环节。具体为：基于单元金属VOF值和VOF梯度值判定，实时提取相界面靠近电弧域的最外侧单元层L1和电弧域紧邻相界面的最外侧单元层L2，通过定义异常流体速度修剪阈值，对单元层L1内速度异常单元进行实时速度修正，通过统计单元层L2的轴向流体速度分布和熔滴尺寸对熔滴内部单元进行实时动量补偿。
一种适用于铝合金电弧熔滴熔池耦合数值模拟界面动量处理方法

[发明专利]第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法以及制备第Ⅲ族氮化物晶体的设备-CN200410089673.5有效
发明人：弘田龙;中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：制备方法包括：在反应容器(21)中，围绕晶种(2)形成包含至少一种第III族元素和一种催化剂的熔体(1)的熔体形成步骤；和将含氮物质(3)供给熔体(1)以便在晶种(2)上生长第III族氮化物晶体(4)的晶体生长步骤；该方法的特征在于，控制温度，以便在晶体生长步骤中，熔体(1)的温度从熔体(1)与含氮物质(3)之间的界面(13)朝熔体(1)与晶种(2)之间的界面(12)或熔体(1)与已生长在晶种(2)上的第III族氮化物晶体(4)之间的界面(14)递降。
氮化物晶体及其制备方法以及设备

[发明专利]使用可变磁场控制生长的硅晶体的熔体－固体界面形状-CN200580048849.5无效
发明人： Z·陆 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：在晶体生长装置内施加磁场，并且在从熔体拉制晶锭的同时改变该磁场以控制熔体－固体界面的形状。熔体－固体界面的形状响应于根据晶锭的长度改变的磁场形成为预期的形状。
使用可变磁场控制生长晶体固体界面形状

[发明专利]用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片-CN200610156605.5无效
发明人：赵铉鼎 -专利权人：斯尔瑞恩公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在通过直拉法制造高质量硅单晶的方法中，单晶生长的固－液界面的下部分被分为中心部分和周围部分，并且中心部分的温度梯度和周围部分的温度梯度被分别控制。当位于单晶生长的固－液界面下部的硅熔体被分为中心部分熔体和周围部分熔体时，本方法通过直接控制熔体的温度分布来控制中心部分熔体的温度梯度，以及通过控制单晶的温度梯度来间接控制周围部分熔体的温度梯度，因此有效控制了熔体的全部温度分布
用于制造质量硅单晶锭方法以及晶片

[发明专利]一种测量金属熔体表面熔渣渣层厚度的方法-CN202210712161.8在审
发明人：杨鑫;何志军;韩啸;张军红;张媛媛;刘吉辉 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量金属熔体表面熔渣渣层厚度的方法，包括以下步骤：1)在金属熔体冶炼或提纯生产过程中，将传感器测试探头以设定的速度v垂直插入熔渣‑金属熔体界面；2)传感器探头在与熔渣接触，即渣‑气界面，产生一个瞬时的接触电位，此时对应的时刻为t1；随着传感器探头持续进入，直至与钢水接触，即熔‑金界面，又产生一个瞬时的接触电位，此时对应的时刻为t2；3)根据高精密仪表的电信号示数跳动间隔时间，并结合设定的速度v，计算传感器测试探头进入渣‑气界面和熔‑金界面的高度差，该高度差为熔渣渣层厚度H，H＝v×(t2
一种测量金属体表面熔渣渣层厚度方法

[实用新型]一种总线式手持工装一体激光熔覆设备-CN202122299920.6有效
发明人：朱文翰;陆荣鑑 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种总线式手持工装一体激光熔覆设备，包括手持激光熔覆机构，手持激光熔覆机构上设有HMI人机界面，HMI人机界面通过信号与云端数据库信号连接；HMI人机界面通过Ethernet总线与触控屏PLC一体机电性连接，触控屏PLC一体机对手持激光熔覆机构、旋转工作台的步进电机和XYZ轴工作台的XYZ伺服电机进行操控；本实用新型采用总线式控制，完成各熔覆模块的连接和控制，通过HMI人机界面的存在，可以控制多台工装同时工作，且可以上传到云端，实现工厂智能化监控和管理，在手持激光熔覆机构与将旋转工作台和XYZ轴工作台配合，通过触控屏PLC一体机插补控制，使得该设备具有更多的零件自动精密熔覆加工性能。
一种总线手持工装一体激光设备

[发明专利]一种降低钛铝基合金熔体与石墨铸型界面反应的方法-CN201310753716.4无效
发明人：刘鑫旺;刘富初;张兆龙;樊自田;孙锐 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B22D21/06 文献下载
摘要：一种降低钛铝基合金熔体与石墨铸型界面反应的方法，属于钛铝基合金铸件的制造方法，解决钛铝基合金熔体与石墨铸型的界面反应严重，钛铝基合金铸件性能降低的问题。本发明在钛铝基合金的熔炼浇注过程中通入氢气，通入氢气的分压不低于5kPa，氢气与钛铝基合金熔体作用时间不少于2分钟，然后将所得到的钛铝基合金熔体浇注到石墨铸型中。本发明工艺简单、能耗和成本均比较低、易于在生产中实现，有效地降低了钛铝基合金熔体与石墨铸型界面反应，适用于常见的非自耗电弧熔炼及水冷坩埚感应熔炼等熔炼方式。
一种降低钛铝基合金石墨铸型界面反应方法

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