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[实用新型]结晶器振动台的三维位移检测装置-CN201320322196.7有效
发明人：曹铁军;刘和兴;王鹏 -专利权人：上海重矿连铸技术工程有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结晶器振动台的三维位移检测装置，包括激光位移检出装置，激光位移检出装置安装在一固定装置上并确保在检测过程中无任何方向的位移；激光位移检出装置的测量区域内设置有运动体检测头，运动体检测头通过曲柄刚性连接运动体固定支架；运动体固定支架安装在被测结晶器振动台上并跟随振动台的运动而运动；激光位移检出装置上设置有三个激光位移传感器，三个激光位移传感器同时检测运动体检测头的三个方向的位移值。本实用新型通过激光位移传感器对连铸机的结晶器振动台的三维位移进行检测，能够快速、真实、精确、直接地捕捉到振动台各方向细微的位移变化。
结晶器振动三维位移检测装置

[实用新型]一种准分子激光退火装置-CN201620660437.2有效
发明人：李辉 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本实用新型的准分子激光退火装置，包括激光头和反射装置，激光头产生的激光光束照射基板形成入射光束和出射光束，在出射光束方向上设置反射装置，反射装置的反射面朝向基板。通过光路反射，充分利用了准分子激光的反射能量，对低温多晶硅的基板形成二次甚至多次照射，充分利用激光束的能量，使得多晶硅的基板产出耗时降低。进一步使得晶硅的结晶速率得以调整，可以形成更合理的结晶晶粒规格。
一种准分子激光退火装置

[发明专利]硅的结晶方法-CN200410038353.7有效
发明人：俞载成 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-05-24 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种硅的结晶方法包括制备一其上形成有非晶硅薄膜的基板；在形成于基板上的非晶硅薄膜的第一区域上方对准具有第一能量区域和第二能量区域的掩模；将激光束穿过掩模的第一和第二能量区域照射到非晶硅薄膜的第一区域上；穿过掩模的第一能量区照射激光束，使非晶硅薄膜的第一区域结晶；以及穿过第二能量区照射激光束来激活结晶的第一区域。
结晶方法

[发明专利]采用斜坡型激光束的硅结晶方法-CN200510115452.5有效
发明人：俞载成 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种结晶方法，包括：在基板上形成非晶硅层；通过由具有沿扫描方向降低的斜坡型横截面的激光束照射非晶硅层形成第一结晶区域；通过在扫描方向上移动预定长度执行第二结晶以与由第一结晶形成的第一结晶区域局部重叠。
采用斜坡激光束结晶方法

[发明专利]一种稀土离子掺杂光热敏折变激光玻璃陶瓷及其制备方法-CN201811056282.1有效
发明人：程光华;李玮楠;张云婕;王旭 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种稀土离子掺杂光热敏折变激光玻璃陶瓷及其制备方法，实现PTR玻璃的功能扩展。本发明向光热敏折变玻璃中添加稀土氧化物制备激光玻璃陶瓷，其主要组分为SiO2、Na2O、Al22O3、NaF和KBr等，制备方法为：配料混料，经高温熔融、搅拌澄清、均化后，浇铸成型，成型后的玻璃进行退火处理，再经超短脉冲激光曝光后热处理，得到激光玻璃陶瓷样品。采用超短脉冲激光曝光稀土离子掺杂的PTR玻璃，可对玻璃的空间有选择性地进行结构改性，从而实现PTR玻璃的功能扩展；曝光后无需进行“两步法”热处理，只需要在结晶温度进行热处理即可，大大简化了制备工艺，且可得到能直接探测到的纳米结晶颗粒
一种稀土离子掺杂热敏折变激光玻璃陶瓷及其制备方法

[发明专利]硼酸盐系结晶的制造方法和激光振荡器-CN200480004188.1有效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;西冈志行;福本悟;松井知代;佐治隆司 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-02-13 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及硼酸盐系结晶的制造方法和激光振荡器。所述方法如下，通过将水溶性的原料溶解于水成为水溶液，使该水溶液的水分蒸发，然后通过烧结或不烧结成为培养原料，熔解得到的培养原料培养硼酸盐系结晶，可在短时间内、低成本且简便地、并且作为更均匀性、可靠性好地制造作为波长变换光学器件使用的硼酸盐系结晶另外，通过使用这些的结晶作为波长变换光学器件，可实现可靠性高的激光振荡器。
硼酸盐结晶制造方法激光振荡器

[发明专利]结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、薄膜晶体管-CN201080008734.4无效
发明人：加藤智也;尾田智彦;大高盛 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2010-05-10 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、以及薄膜晶体管。结晶性半导体膜的制造方法，包括：第1工序，对非结晶性半导体膜照射在短轴和长轴上具有向上凸的连续的光强度分布的连续振荡型激光，使得非结晶性半导体膜的温度成为600℃～1100℃的范围；第2工序，使该非结晶性半导体膜对应于所述600℃～1100℃的温度范围结晶化；以及第3工序，利用通过照射连续振荡型激光而使非结晶性半导体膜结晶化时产生的潜热，使非结晶性半导体膜的面内的预定的温度成为1100℃～1414℃，与1100℃～1414℃的温度范围对应，使结晶化了的非结晶性半导体膜的结晶粒径扩大，所述向上凸的连续的光强度分布具有在所述长轴方向上为预定的强度以上的区域范围，所述区域范围与利用潜热而成为1100℃～1414℃的温度范围的非结晶性半导体膜上的区域对应由此制造具有面内均匀性良好的结晶组织的结晶性半导体膜。
结晶半导体制造方法薄膜晶体管

[发明专利]激光加工装置-CN201810839711.6在审
发明人：前田勉 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工装置，能够形成满足分割基点的要求精度的定向平面。激光加工装置(1)的控制单元(100)包含：检查用改性层形成部(102)，其检测裸晶片的临时定向平面，根据临时定向平面的朝向对裸晶片照射规定输出功率的激光束，在裸晶片的外周缘附近形成结晶方位检测用的改性层；以及龟裂检测部(103)，其在拍摄结晶方位检测用的改性层而得到的图像中，在设改性层的延伸方向为图像的X轴的情况下，检测从改性层向Y轴方向和裸晶片的露出面伸展的龟裂，在龟裂检测部(103)未发现龟裂的情况下，判定为结晶方位检测用的改性层与结晶方位平行。
改性层结晶方位检测裸晶片龟裂激光加工装置定向平面图像输出功率激光束露出面外周缘形成部伸展判定平行照射基点分割拍摄延伸检查发现

[发明专利]半导体设备的制造方法-CN02152955.8有效
发明人：山崎舜平;下村明久;大谷久;广木正明;田中幸一郎;志贺爱子;秋叶麻衣;笠原健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。
半导体设备制造方法

[发明专利]用于半导体器件的制造方法-CN200610005816.9有效
发明人：山崎舜平;下村明久;大谷久;广木正明;田中幸一郎;志贺爱子;秋叶麻衣;笠原健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。
用于半导体器件制造方法

[发明专利]一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法-CN202010355945.0有效
发明人：张晋新;郭红霞;付军;王玉东;欧阳晓平;潘霄宇;王信;孙静 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/556 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法，包括：在多个锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的锗硅异质结晶体管作为初选锗硅异质结晶体管；对初选锗硅异质结晶体管在预设偏置电压下进行伽马射线预辐照，以获取加固锗硅异质结晶体管；在多个加固锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的加固锗硅异质结晶体管作为抗单粒子效应锗硅异质结晶体管；根据相同激光脉冲能量且相同偏置电压条件下，初选锗硅异质结晶体管和抗单粒子效应锗硅异质结晶体的单粒子瞬态信号差异，获取最佳激光脉冲能量和最佳偏置电压。
一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应加固方法

[其他]绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法-CN85103942无效
发明人：林成鲁;邹世昌;沈宗雍 -专利权人：中国科学院上海冶金所
申请日： 1985-05-16 - 公布日： 1988-03-16 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明是一种制备SOI材料的激光加热再结晶方法，属于半导体器件及集成电路的制造工艺。本发明采用激光加热方法使两层SiO2中间的多晶Si再结晶，从而得到良好表面质量的SiO材料，可供制造器件和集成电路。本方法与常规的集成电路工艺相容，工艺简单，而且提高了激光能量的利用率。
绝缘多晶激光加热再结晶方法

[其他]绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法-CN101985000003942在审
发明人：林成鲁;邹世昌;沈宗雍 -专利权人：中国科学院上海冶金所
申请日： 1985-05-16 - 公布日： 1988-03-16 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明是一种制备ＳＯＩ材料的激光加热再结晶方法，属于半导体器件及集成电路的制造工艺。本发明采用激光加热方法使两层ＳｉＯ2中间的多晶Ｓｉ再结晶，从而得到良好表面质量的ＳｉＯ材料，可供制造器件和集成电路。本方法与常规的集成电路工艺相容，工艺简单，而且提高了激光能量的利用率。
绝缘多晶激光加热再结晶方法

[发明专利]一种结晶非晶硅的方法-CN02117592.6有效
发明人：尹溱模 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2002-05-09 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：掩模和该掩模在连续横向固化(SLS)的非晶硅结晶中的应用。所述掩模包括遮挡激光束的光吸收区和可使激光束通过的多个层叠形光透射区。每个光透射区具有多个相邻的矩形子区。相邻的矩形子区形成台阶。在操件中,使掩模相对于非晶硅薄膜横向移动,同时借助激光完成SLS结晶。通过光照区控制晶粒生长,从而形成高质量多晶硅。
一种结晶非晶硅方法

[发明专利]一种激光喷丸辅助制备金属纳米多孔材料的方法-CN201210109217.7无效
发明人：鲁金忠;钟金杉;程晓农;罗开玉;齐晗;罗密 -专利权人：江苏大学
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C21D1/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备金属纳米多孔材料的方法，特指一种激光喷丸辅助制备金属纳米多孔材料的方法；本发明先利用激光喷丸细化金属表层晶粒，然后将金属材料加热重结晶温度进行保温处理使之变形再结晶，最后采用激光辐射在水中的金属基体，利用激光诱导的氢化腐蚀效应实现金属材料纳米多孔的制备，该方法尤其适用于本身具有原子氢侵蚀效应的金属材料的表面纳米孔洞制备。
一种激光辅助制备金属纳米多孔材料方法

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