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[发明专利]半导体装置以及相关联的方法-CN201610685412.2有效
发明人：马塞厄斯·罗斯;简·雄斯基 -专利权人：耐智亚有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：半导体装置(200)包括管芯源极端(222)、管芯漏极端(224)和管芯栅极端(226)；半导体管芯(202)；提供于该半导体管芯上的绝缘栅极耗尽型晶体管(203)，该绝缘栅极耗尽型晶体管包括耗尽源极端(204)、耗尽漏极端(206)和耗尽栅极端(208)，其中该耗尽漏极端耦合到该管芯漏极端且该耗尽栅极端耦合到该管芯源极端；增强型晶体管(213)，该增强型晶体管(213)包括增强源极端(214)、增强漏极端(216)和增强栅极端(218)，其中该增强源极端耦合到该管芯源极端，该增强栅极端耦合到该管芯栅极端并且该增强漏极端耦合到该耗尽源极端；以及箝位电路(230)，该箝位电路(230)耦合在该耗尽源极端与该耗尽栅极端之间
半导体装置以及相关方法

[发明专利]数字模拟转换单元电路-CN02147962.3有效
发明人：高学武 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2002-10-30 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H03M1/08 文献下载
摘要：一种用于半导体集成电路的数字模拟转换单元电路，可藉由控制其输出电流的延迟率，使电压源信号干扰与输出电流干扰降低。该电路包含恒定电流源；第一电阻与第二电阻；第一MOS晶体管，其源极端接到该恒定电流源，其漏极端接到第一电阻，以及其栅极端接收第一电压信号；第二MOS晶体管，其源极端接到该恒定电流源以及第一MOS晶体管的源极端，其漏极端接到第二电阻，以及其栅极端接收第二电压信号；至少第三MOS晶体管，其源极端与漏极端分别连接到第一MOS晶体管的源极端与漏极端，以及其栅极端接收第三电压信号；以及至少第四MOS晶体管，其源极端与漏极端分别连接到第二MOS晶体管的源极端与漏极端，以及其栅极端接收第四电压信号。
数字模拟转换单元电路

[发明专利]使用共源共栅功率级提高功率转换器效率的系统和方法-CN202211617772.0在审
发明人： R·尼科尔森;F·元 -专利权人：予力半导体公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：在一个方面，所述电路包括第一功率级和第二功率级，所述第一功率级包括具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子的第一开关，以及具有第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子的第二开关，所述第一源极端子耦合到所述第二漏极端子，所述第二功率级包括具有第三栅极端子、第三漏极端子和第三源极端子的第三开关，以及具有第四栅极端子、第四漏极端子和第四源极端子的第四开关，所述第三源极端子耦合到所述第四漏极端子，其中所述第二功率级并联耦合到所述第一功率级，使得所述第一漏极端子耦合到所述第三漏极端子，并且所述第二源极端子连接到所述第四源极端子。
使用共源共栅功率提高转换器效率系统方法

[发明专利]单次可编程内存单元及编程和读取内存数组的方法-CN201410209800.4有效
发明人：吴孟益;黄志豪;陈信铭 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：所述选择性闸极晶体管具有第一闸极端，第一汲极端，第一源极端，以及两第一源/汲极延伸区域分别耦接于所述第一汲极端及第一源极端。所述跟随性闸极晶体管具有第二闸极端，第二汲极端，第二源极端耦接于所述第一汲极端，以及两第二源/汲极延伸区域分别耦接于所述第二汲极端及第二源极端。所述反熔丝变容器具有第三闸极端，第三汲极端，第三源极端耦接于所述第二汲极端，以及第三源/汲极延伸区域耦接于所述第三汲极端及第三源极端之间以形成短路。本发明内存单元可以进行正向及反向读取操作。
可编程内存单元编程读取数组方法

[发明专利]驱动发光单元的驱动电路-CN202110644216.1在审
发明人：桥本和幸 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：驱动晶体管包括栅极端、源极端及漏极端。补偿晶体管包括源极端、与驱动晶体管的栅极端电连接的漏极端及栅极端。开关晶体管包括栅极端、源极端及与补偿晶体管的源极端电连接的漏极端。
驱动发光单元电路

[发明专利]麦克风传感器用读出电路-CN202211643302.1在审
发明人：成准济;朴永彩 -专利权人： FYD股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本发明一实施例的麦克风传感器用读出电路设置有用于从麦克风传感器接收检测信号的输入端子及用于输出检测信号的输出端子，包括：第一晶体管，第一栅极端与输入端子连接，第一源极端与输出端子及电源端子连接，第一漏极端与接地连接；第二晶体管，第二漏极端与输出端子及第一源极端连接，第二源极端与电源端子连接，第二栅极端与基准端子连接；第三晶体管，第三漏极端与第一源极端、第二漏极端及输出端子连接，第三栅极端与基准端子连接，第三源极端与接地连接；第四晶体管，第四漏极端与基准端子及电源端子连接，第四栅极端与输出端子、第三漏极端连接，第四源极端与第一漏极端连接；以及二极管部，与第四漏极端、第四源极端及第一漏极端连接。
麦克风传感器用读出电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110654837.8在审
发明人：乔治奥斯韦理安尼堤斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅极结构以及源极端子和漏极端子位于绝缘介电层中，并且源极端子和漏极端子分别位于栅极结构的两个相对端处。沟道区夹置在栅极结构与源极端子和漏极端子之间且环绕栅极结构。沟道区在源极端子与漏极端子之间延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电流源电路-CN200710109855.8无效
发明人：柯明道;陈荣升;许峻源 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流源电路，此电流源电路包括第一晶体管和至少一第二晶体管。第一晶体管的第一源/漏极端耦接一偏压，其第二源/漏极端则接收电流信号，而此第一晶体管的第二源/漏极端与栅极端彼此互相耦接。第二晶体管的第一源/漏极端接地，其第二源/漏极端耦接一电压源，并输出偏压电流，其栅极端则耦接第一晶体管的栅极端。本发明的电流源电路可降低临界电压对偏压电流的影响，使得电流源电路的偏压电流更为精确。
电流电路

[实用新型]高线性度可编程跨导放大器电路-CN201220365406.6有效
发明人：陈珍海;季惠才;吴俊;封晴;于宗光 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高线性度可编程跨导放大器电路，其包括PMOS电流镜电路及差分输入对；所述差分输入对包括第一MOS管及第二MOS管；所述第一MOS管的源极端通过第一源极电阻与第五MOS管的漏极端相连，且第二MOS管的源极端通过第二源极电阻与第五MOS管的漏极端相连；第五MOS管的栅极端与第六MOS管的栅极端、第六MOS管的源极端相连，第六MOS管的漏极端接地，第五MOS管的源极端与第八MOS管的源极端相连，第八MOS管的栅极端与第七MOS管的栅极端、第七MOS管的源极端相连，第七MOS管、第八MOS管的漏极端均接地；第五MOS管、第八MOS管的源极端对应连接后与电流输入DAC电路相连。
线性可编程放大器电路

[发明专利]记忆胞元-CN02815454.1无效
发明人： F·霍夫曼恩;J·威勒 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2002-07-26 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种记忆胞元，具有：一源极区，一汲极区，一源极端控制闸，一汲极端控制闸，被安置于该源极端控制闸及该汲极端控制闸间之一射出闸，被安置于该源极端控制闸中之一源极端储存组件，及被安置于该汲极端控制闸中之一汲极端储存组件
记忆

[发明专利]一种提高共源极运算放大器频率特性的方法-CN201110374948.X有效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提高共源极运算放大器频率特性的方法包括：对对应于源极端上方、对应于漏极端上方以及栅极上方进行等离子体侧墙薄膜沉积；对对应于所述源极端上方、对应于所述漏极端上方以及所述栅极上方沉积的侧墙薄膜进行等离子体刻蚀方向与衬底上表面的法线方向呈预定角朝对应于所述源极端的上方倾斜的刻蚀，以暴露对应于所述漏极端的第一LDD结构用于形成所述漏极端的部分和对应于所述源极端的第二LDD结构用于形成所述源极端的部分，使得刻蚀后的对应于所述漏极端上方栅极侧墙的厚度大于刻蚀后的对应于所述源极端上方栅极侧墙的厚度；对所述第一LDD结构和所述第二LDD结构的暴露部分分别进行重掺杂和退火工艺，形成与所述漏极端和所述源极端相对应的重掺杂离子区。
一种提高共源极运算放大器频率特性方法

[发明专利]共源共栅半导体器件及其制造方法-CN202010284962.X在审
发明人：里卡多·杨多克;马诺耶·巴拉克瑞南 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种离散共源共栅半导体器件以及相关的制造方法，该器件包括：高电压耗尽型器件管芯，其具有布置在其第一主表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子；低电压增强型器件管芯，其具有形成在其第一主表面上的栅极端子和源极端子以及形成在与第一主表面相对的第二主表面上的漏极端子；其中，高电压器件管芯的漏极端子安装在漏极连接上；低电压器件管芯的源极端子和高电压器件的栅极端子安装在共源极连接上；并且低电压器件管芯的漏极端子安装在高电压器件的源极端子上。
共源共栅半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种双向电机电流控制方法用的桥式拓扑电路结构-CN202222880037.0有效
发明人：郭辉;张家书;蔡大明 -专利权人：洛阳嘉盛电控技术有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H02P6/28 文献下载
摘要：一种双向电机电流控制方法用的桥式拓扑电路结构，包含电压源、电感L、电阻R、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4；所述MOS管Q1的漏极端和MOS管Q2的漏极端相连接、MOS管Q1的源极端和电感L的第一端相连接，电感L的第二端和电阻R的第一端相连接，电阻R的第二端和MOS管Q2的源极端相连接；MOS管Q3的漏极端和MOS管Q2的源极端相连接，MOS管Q4的漏极端和MOS管Q1的源极端相连接，MOS管Q4的源极端和MOS管Q3的源极端相连接，电压源的正极端和MOS管Q1的漏极端相连接，电压源的负极端和MOS管Q4的源极端相连接；所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4的栅极端均与控制电路对应连接
一种双向电机电流控制方法拓扑电路结构

[发明专利]半导体装置以及半导体结构-CN202011109391.2在审
发明人：杨竣杰;辛裕明;钟易男;赖育辰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司;中央大学
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：第一晶体管包括第一栅极端、第一源极端以及第一漏极端，第一栅极端耦接至第一源极端。第二晶体管包括第二栅极端、第二源极端以及第二漏极端，第二栅极端耦接至第一漏极端。
半导体装置以及结构

[发明专利]金属氧化物半导体装置和其构造方法-CN202111454329.1在审
发明人：约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特;阳昕;马克·皮特·范德海登;卢卡斯·弗雷德里克·蒂梅杰;亚历山德罗·巴亚诺 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：描述一种金属氧化物半导体MOS装置(405)，其包括栅极端、至少一个源极端和至少一个漏极端，其中至少一个源极端和至少一个漏极端由金属形成并且连接到数个相应触点通孔。多个局部互连层LIL(470)通过数个相应触点通孔分别连接到至少一个源极端和至少一漏极端，其中分别连接到多个LIL(470)的至少一个源极端和至少一个漏极端被配置成使得：至少一个源极端和至少一个漏极端在第一方向(602)和与第一方向(602)正交的第二方向(604)上不重叠；并且至少一个源极端和至少一个漏极端在第三方向(606)上不重叠或仅一定比例的至少一个源极端和至少一个漏极端重叠，其中第三方向(606)与第一方向
金属氧化物半导体装置构造方法

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