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- [发明专利]溅射镀膜装置-CN202111204280.4在审
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杨鹏
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万津实业（赤壁）有限公司
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2021-10-15
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2022-03-01
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C23C14/35
- 本发明涉及一种溅射镀膜装置，包括具有容纳腔的壳体、至少两个带有磁性的喷射组件以及至少一个带有磁性的偏压组件。至少两个喷射组件沿壳体的周向固设于壳体的内侧壁，至少一个偏压组件沿壳体的周向收容于容纳腔中，每个偏压组件的磁极与一个喷射组件的磁极相反，每个偏压组件能够绕壳体的中心轴线相对于壳体旋转产生镀膜工艺所需要的负偏压从而不需增加额外的直流电源，只在每个偏压组件经过喷射组件与壳体的中心轴的连线，并且每个偏压组件相向面对喷射组件的时候才产生镀膜工艺所需要的负偏压，达到了精准偏压以及节约电资源的目的。
- 溅射镀膜装置
- [实用新型]溅射镀膜装置-CN201320159170.5有效
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陈罡;闫志博
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烟台金瑞石英晶体有限公司
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2013-04-01
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2013-11-13
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C23C14/34
- 本实用新型提出了一种溅射镀膜装置，包括：真空室，真空室底部敞口设置；底板，底板设于真空室底部敞口下方，且底板形状与真空室底部敞口形状相适应；夹具旋转机构，夹具旋转机构的转轴竖直贯穿底板中央，转轴的底部和顶部分别连接有动力装置和支撑盘，支撑盘水平设置且边缘竖直设有至少一个夹具支撑架，夹具支撑架上固定有被镀工件夹具；至少一个靶体，靶体与夹具支撑架平行设置，靶体内腔装有磁铁，靶体面对夹具支撑架的一侧设有靶材；水冷装置，水冷装置通过管道与靶体一端连通本实用新型涉及镀膜技术领域，解决了现有技术中镀膜材料一次性利用率低、镀膜牢固度不佳、镀膜时间长、被镀元件受力不均匀、镀膜沉积均匀性不佳的问题。
- 溅射镀膜装置
- [实用新型]磁控溅射镀膜装置-CN202020354281.1有效
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杜志游
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中微半导体设备（上海）股份有限公司
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2020-03-19
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2021-01-19
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C23C14/35
- 一种磁控溅射镀膜装置，包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，与所述待镀膜工件之间具有间隙，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒；位置调节装置，用于调整所述磁控溅射源的位置，当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源相对的位置由中心向边缘转动时，所述位置调节装置调节所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐变大利用所述磁控溅射镀膜装置制出的镀膜均一性好。
- 磁控溅射镀膜装置
- [发明专利]磁控溅射镀膜源及其装置与方法-CN201611232745.6在审
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王开安
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王开安
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2016-12-27
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2017-06-30
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C23C14/35
- 本发明涉及材料沉积技术领域，具体涉及磁控溅射镀膜源及其装置与方法。磁控溅射镀膜源包括一对可旋转的镀膜组件。每一镀膜组件包括溅射靶座和溅射靶座内部设置磁力产生件。在每一镀膜组件内的磁力产生件朝向镀膜组件中心轴线的极性相同，不同镀膜组件内磁力产生件朝向其各自镀膜组件中心轴线的极性相反。镀膜过程中，镀膜组件自转，而磁力产生件位置保持不变。磁控溅射镀膜装置采用磁控镀膜溅射源，能将过热的电子或其他携带能量的负离子被磁场束缚在两个镀膜组件之间，从而大大减少轰击工件的机会，并能有效地抑制工艺温度上升，实现低温镀膜。本发明还涉及磁控溅射镀膜方法，其采用上述磁控溅射镀膜装置。
- 磁控溅射镀膜及其装置方法
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