专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2115823个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]集成光源倾斜光栅耦合器件及其制备方法-CN201710657695.4有效
  • 杨青 - 浙江大学
  • 2017-08-03 - 2019-04-09 - G02B6/42
  • 本发明公开一种集成光源倾斜光栅耦合器件,包括衬底和镀设在衬底上的薄膜波导;在所述薄膜波导上进行倾斜刻蚀,获得倾斜刻蚀的光栅;所述薄膜波导内光栅的位置上方有竖立的纳米线阵列光源;所述的薄膜波导与纳米线阵列光源间有一覆层本发明还公开上述集成光源倾斜光栅耦合器件的制备方法。本发明中的器件旨在搭载电致发光光源,由于电致发光纳米线激光器体积小,可以将其集成到片上,形成片上集成光源,大大缩小器件体积。
  • 集成光源倾斜光栅耦合器件及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610028772.1有效
  • 农昊;蔡孟峰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-07-10 - 2008-01-16 - H01L21/822
  • 本发明公开了一种半导体器件制造方法,该方法结合了表面平坦化技术、湿法腐蚀技术与栅极刻蚀技术,按照不同类型器件对电参数的不同要求,灵活地控制阶梯高度,在后面进行的栅极刻蚀制造中,利用该阶梯高度的调整,调节了栅极刻蚀终点,也就调整了刻蚀的根部形状,得到了预计的器件电参数。本发明在不增加现有平坦化技术和栅极刻蚀技术的工艺难度的情况下,通过有效地控制STI结构的阶梯高度实现了对器件电参数的调整。
  • 半导体器件制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top