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[发明专利]一种以氧化铯为助熔剂的β-BBO晶体生长方法-CN202210959686.1在审
发明人：张婷婷;谭云东;方治文 -专利权人：山东重山光电材料股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B9/06 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，包括以碳酸钡、硼酸为原料，以氧化铯为助熔剂，将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中，升温至第一温度化料，降温至第二温度后向熔体中下入籽晶本发明提供的以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，采用氧化铯为助熔剂，可以降低熔体的粘度，降低β‑BBO晶体的饱和点，获得高质量的β‑BBO晶体；本发明提供的以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法可制得尺寸为
一种氧化熔剂 bbo 晶体生长方法

[发明专利]一种以氟化铯为助熔剂的β-BBO晶体生长方法-CN202210959833.5在审
发明人：谭云东;张婷婷;方治文 -专利权人：山东重山光电材料股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种以氟化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，包括以碳酸钡、硼酸为原料，以氟化铯为助熔剂，将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中，升温至第一温度化料，降温至第二温度后向熔体中下入籽晶本发明提供的以氟化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，采用氟化铯为助熔剂，可以降低熔体的粘度，降低β‑BBO晶体的饱和点，获得高质量的β‑BBO晶体；本发明提供的以氟化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法可制得尺寸为
一种氟化熔剂 bbo 晶体生长方法

[发明专利]溶液法生长SiC单晶的方法-CN202211356676.5在审
发明人：陈小龙;王国宾;郭建刚;李辉;王文军;盛达 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种溶液法生长SiC单晶的方法，包括：(1)将原料块置于坩埚底部，并且将助熔剂置于原料块的上方；其中所述原料块的组成满足Si和C的摩尔比为1:1；(2)将坩埚置于生长炉中，将SiC籽晶固定在坩埚上方的提拉杆上，然后对所述生长炉抽真空；(3)通入功能性气体以控制生长炉内的气压，然后加热坩埚使得所述助熔剂完全熔化以形成助熔剂熔体并且使所述助熔剂处于特定的温场；(4)下推所述提拉杆使得所述籽晶与助熔剂熔体接触，并且对所述籽晶和坩埚进行旋转和提拉以及动态调整热源、坩埚及籽晶之间的相对位置，使得晶体生长界面、助熔剂熔体、原料块上表面之间的相对位置和温度保持不变。
溶液生长 sic 方法

[发明专利]发光二极管与衬底的键合-CN201980066512.9在审
发明人：丹尼尔·布罗多塞亚努;波亚·萨克提;亚历山大·乌多·梅;蒂亚戈·马丁斯阿马拉尔;帕特里克·约瑟夫·休斯;卡斯滕·莫;奥斯卡·托伦茨阿巴德 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2019-10-03 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：实施例涉及使用助熔剂或底部填料作为捕获层，用于将发光二极管(LED)暂时附接到衬底上，并加热以同时将多个LED键合到衬底上。在将LED放置在衬底上之前，可以在LED的电极末端选择性地涂覆助熔剂或底部填料。由于助熔剂或底部填料的粘合属性，在执行键合过程之前，可以将多个LED放置并附接到衬底上。一旦LED被放置在衬底上，助熔剂或底部填料有助于在键合过程中在LED的电极和衬底的触点之间形成金属触点。通过使用助熔剂或底部填料，即使不施加压力也可以形成金属触点。
发光二极管衬底

[发明专利]一种改善粉煤气化灰渣熔融的助熔剂-CN201110226212.8有效
发明人：李凡;张庆庚;崔晓曦;左永飞;白永辉;郝巧铃 -专利权人：太原理工大学;赛鼎工程有限公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C10L10/06 文献下载
摘要：一种改善粉煤气化灰渣熔融的助熔剂是以秸秆灰作为助熔剂，所述助熔剂的组成和含量按重量比为5.00%～40.00%的碱金属氧化物、≥23.48%的SiO2、≤2.63%的TiO2、≤14.14%的Fe203其助熔剂具有两个典型特性：一是具有较高的硅铝比值：7.00～80.00；二是碱金属氧化物的含量较高：5.00%～40.00%。该助熔剂能够改善粉煤气化灰渣熔融的特性，降低煤灰熔点，有效地解决了高灰熔点煤无法用于液态排渣气化炉气化的技术难题，实现了灰渣液态排出，而且以作物秸秆为原料，价格低廉。
一种改善粉煤气化熔融熔剂

[发明专利]一种制备白光LED荧光粉的助熔剂及方法-CN200810218672.4有效
发明人：黎广才 -专利权人：黎广才
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备白光LED荧光粉的助熔剂及方法，助熔剂包括至少一种化合物，该化合物中所含有的金属离子与荧光粉化合物所具有的金属离子相同，制备白光LED荧光粉的方法是利用所述助熔剂配合原材料进行烧制，本发明的助熔剂能够降低烧结温度，提高结晶度，烧结更均匀。利用该助熔剂来制备白光LED荧光粉，其荧光粉后处理容易，亮度高，光衰低，通过适当调整荧光粉原料的种类和配比，合成的荧光粉具有宽带激发光谱，能更好的适合封装要求。
一种制备白光 led 荧光粉熔剂方法

[发明专利]钢连铸结晶器助熔剂、评价方法及试验用铸模、连铸方法-CN97125394.3无效
发明人：松尾晶;松山利雄;益尾典良;谷口秀久 -专利权人：日铁建材工业株式会社
申请日： 1997-12-12 - 公布日： 1999-06-16 - 主分类号： B22D11/00 文献下载
摘要：本发明提供在中碳钢、SUS420、SUS的连续铸造中,能得到表面无裂纹的表面性状好、无缺陷铸片的结晶器助熔剂、其评价方法及评价用铸模、连续铸造方法。本发明的结晶器助熔剂,能再现流入铸模与铸片之间的结晶器助熔剂凝固时的微细结晶和高结晶率。本发明的方法能实现结晶器助熔剂在铸模内缓冷却化并减少局部的热流束的变动。本发明的评价方法和评价用铸模,能准确观察结晶器助熔剂的熔融状态,找出观察结果与铸片表面性状良否的相互关系。
钢连铸结晶器熔剂评价方法试验铸模

[发明专利]钢的连铸方法-CN01121664.6无效
发明人：松尾晶;松山利雄;益尾典良;谷口秀久 -专利权人：日铁建材工业株式会社
申请日： 1997-12-12 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： B22D11/11 文献下载
摘要：本发明提供在中碳钢、SUS420、SUS的连续铸造中,能得到表面无裂纹的表面性状好、无缺陷铸片的结晶器助熔剂、其评价方法及评价用铸模、连续铸造方法。本发明的结晶器助熔剂,能再现流入铸模与铸片之间的结晶器助熔剂凝固时的微细结晶和高结晶率。本发明的方法能实现结晶器助熔剂在铸模内缓冷却化并减少局部的热流束的变动。本发明的评价方法和评价用铸模,能准确观察结晶器助熔剂的熔融状态,找出观察结果与铸片表面性状良否的相互关系。
方法

[发明专利]一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法-CN202010262173.6有效
发明人：徐家跃;潘芸芳;李志超;冯海威;周鼎;田甜 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)助熔剂Li5U(BO33、H3BO3和UO2粉末进行混合研磨3h；(2)将步骤(1)中的混合粉末装入铂金坩埚中，通过三段温度烧结；(3)将助熔剂Li5U(BO3)3与UO2按摩尔比83mol％:17mol％配料，充分混合研磨后，装入铂金坩埚中，通Ar/5％H2，放置管式电阻炉中，升温至1235℃，利用Li5U(BO3)3助熔剂将UO
一种利用硼酸盐熔剂生长氧化晶体方法

[发明专利]掺杂纳米粉体助熔剂的低温烧结微波介质材料-CN201710871182.3在审
发明人：李玲霞;乔坚栗;于仕辉;孙正;杜明昆 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-09-24 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂纳米粉体助熔剂的低温烧结微波介质材料，以MgMoO4为基料，掺杂质量百分比为1～4％的纳米粉体助熔剂；先将17％的Bi(NO3)3·5H2O与30％的Zn(NO3)2·6H2O溶解于乙二醇溶液将两种溶液混合，85℃水浴形成溶胶，溶胶烘干后形成干凝胶，再于600℃煅烧、过筛，制得纳米粉体助熔剂。另将MgMoO4于600～650℃预烧，按计量比与纳米粉体助熔剂配料，经球磨、造粒、压制成生坯，生坯750℃～900℃烧结，制得微波介质材料。
掺杂纳米粉体助熔剂低温烧结微波介质材料

[发明专利]一种铜添加剂及其制备方法-CN202310775947.9在审
发明人：付黎;付博文;陈晓健;陈远君;邹云钢;刘军 -专利权人：重庆润际远东新材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及合金冶炼领域，公开了一种铜添加剂及其制备方法，铜添加剂，以质量百分比计，包括如下原料：铜粉90‑96％、表面活性剂1‑3％、助熔剂0.1‑3％，余量为铝粉，铜粉与铝粉的粒径均为梯度混合。本发明在添加剂体系内添加助熔剂与表面活性剂，在表面活性剂的作用下可降低下沉速度，在助熔剂的作用下可提高融化速度，保证添加剂完全融化、高效发挥作用；且通过对表面活性剂和助熔剂的种类、配方及添加量进行进一步研究
一种添加剂及其制备方法

[发明专利]一种含钛、锆、硼的铝合金系列添加剂及其制造方法-CN200810143167.8无效
发明人：陈建春;刘万库 -专利权人：湖南金联星冶金材料技术有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C22C1/06 文献下载
摘要：本发明的特点是：由钛、锆、硼的氟化盐粉末、铝粉、助熔剂组成，其中原料比例组成为氟钛酸钾0－100、氟锆酸钾0－100、氟硼酸钾0－100、铝粉0－100、助熔剂0－100；其中钛元素0－20、锆元素0－其制造方法包括：1)按照上述配方，设定要求的添加剂有效元素成份，称取各种物质的配料比例，其余为铝粉和助熔剂；2)将以上原料和铝粉，助熔剂粉末充分混合均匀；3)将称取一定的量要放入压机模具中压制，成饼状和其它块状形式
一种铝合金系列添加剂及其制造方法

[发明专利]一种泡沫玻璃结构及其制造方法-CN201710294155.4有效
发明人：蔡彦娟 -专利权人：青岛高智高新科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C03C11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种泡沫玻璃结构，该泡沫玻璃结构包括以下重量组份：玻璃粉40‑50份，碳酸钙15‑25份，发泡剂5‑9份，3‑5份发泡促进剂，3‑5份助熔剂，分散剂3‑7份和1‑3份泡沫稳定剂，本发明同时公开了一种泡沫玻璃结构的制造方法，该方法包括以下步骤，S1：称取原料，混合搅拌；S2：加入发泡剂和分散剂；S3：向加入泡沫稳定剂、助熔剂，最后加入发泡促进剂，组成发泡混合配料；S4：将混合配料入模置于发泡炉内，加热发泡烧制；S5：发泡结束后进行退火工艺本发明较传统工艺，加入了助熔剂和泡沫稳定剂，在泡沫玻璃的发泡过程中能够很好的稳定效果，保证发泡的稳定与均匀，得到的泡沫玻璃泡层的气泡是独立或者贯通的，形成的气泡致密性要高。
一种泡沫玻璃结构及其制造方法

[发明专利]一种单晶三元材料的制备方法和应用-CN201911057863.1有效
发明人：唐淼;吕菲;徐宁;吴孟涛 -专利权人：天津巴莫科技有限责任公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明首先制备了单晶前驱体，在制备前驱体的过程中加入了助熔剂，再配锂锂化后制备了单晶三元材料。制备步骤如下：1)称取一定量的前躯体A；2)按质量比1:0.001～1称取前驱体A和助熔剂B，混合均匀后，在含氧气氛下进行一次焙烧，焙烧产物粉碎后水洗除去助熔剂，烘干后得到单晶三元前驱体C；3)将单晶三元前驱体C和锂源按摩尔比1:1～1.1进行混合，混合均匀后，在含氧气氛下进行二次焙烧，焙烧产物经粉碎除磁后即为单晶三元材料产物。
一种三元材料制备方法应用

[发明专利]由金属氢氧化物和金属碳酸盐前体制备预助熔的金属氧化物的方法-CN200980113184.X无效
发明人： G·E·奥斯博恩;A·瓦赫德;S·W·马库森 -专利权人：维尔英科有限公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：由金属盐制备预助熔的金属氧化物的方法，所述金属盐选自氢氧化镍、氢氧化钴、混合的镍-钴氢氧化物、碳酸镍、碳酸钴、混合的镍-钴碳酸盐及其组合，所述方法包括：提供与粘合剂掺混，掺混入助熔剂添加剂以形成造渣混合物的至少一种造渣的氧化物与金属盐的混合物，所述金属盐选自氢氧化镍、氢氧化钴、混合的镍-钴氢氧化物、碳酸镍、碳酸钴、混合的镍-钴碳酸盐及其组合；使造渣的混合物形成预助熔的聚结物；煅烧预助熔的聚结物，以产生预助熔的金属氧化物。提供一种聚结物，所述聚结物包括金属盐、造渣的氧化物和助熔剂添加剂，所述金属盐选自氢氧化镍、氢氧化钴、混合的镍-钴氢氧化物、碳酸镍、碳酸钴、混合的镍-钴碳酸盐及其组合。
金属氢氧化物碳酸盐体制备预助熔氧化物方法