专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]SiC抛光液台面回收装置-CN202310450859.1有效
  • 林义复;林育仪;张炜国;余明轩 - 通威微电子有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-08-08 - B24B57/02
  • 本发明的实施例提供了一种SiC抛光液台面回收装置,涉及抛光技术领域,该SiC抛光液台面回收装置包括抛光台、抛光盘和流体搅拌机构,抛光台上设置有回收沟槽,抛光盘可转动地设置在抛光台上,流体搅拌机构设置在抛光台上;其中,回收沟槽的底壁上设置有多个第一流体喷孔,流体搅拌机构连通至多个第一流体喷孔,并通过多个第一流体喷孔朝向回收沟槽喷射流体,以搅拌回收沟槽中的抛光液。相较于现有技术,本发明提供的SiC抛光液台面回收装置,通过喷射流体的方式实现搅拌,使得抛光液始终处于流动状态,并且流体喷射口位于底壁上,避免了抛光液中的固体颗粒沉积,提升了抛光液中固体颗粒的均匀性,保证了抛光液的回收质量
  • sic抛光台面回收装置
  • [发明专利]一种基于磁场辅助的非牛顿流体增稠抛光方法及抛光系统-CN201811160460.5有效
  • 黄向明;明阳;周志雄 - 湖南大学
  • 2018-09-30 - 2020-06-05 - B24B1/00
  • 本发明公开了一种基于磁场辅助的非牛顿流体增稠的抛光方法,包括以下步骤:S1:将具有磁流变特性的非牛顿流体抛光液加入抛光液槽中,再通过一带驱动系统的夹持装置使抛光工件浸泡于上述非牛顿流体抛光液中,并开启磁场发生装置;S2:在上述驱动系统的作用下,夹持装置带动抛光工件转动使抛光工件与非牛顿流体抛光液发生相对运动,非牛顿流体抛光液中的磨粒对抛光工件表面进行切削,即完成抛光过程。本发明还相应提供一种基于磁场辅助的非牛顿流体增稠的抛光系统。本发明的耗材成本低、抛光效率高、抛光效果好、可以实现抛光工件的超精密抛光
  • 一种基于磁场辅助牛顿流体抛光方法系统
  • [发明专利]一种磁场辅助剪切增稠的刀具抛光装置及其抛光方法-CN202211389895.3在审
  • 黄向明;李希扬;周东栋;任莹晖 - 湖南大学
  • 2022-11-08 - 2023-01-24 - B24B1/00
  • 本发明公开了一种磁场辅助剪切增稠的刀具抛光装置,包括装有磁性增稠流体抛光槽,抛光槽连接有励磁机构,抛光槽内设有抛光筒,励磁机构套设于抛光筒的外侧,抛光槽与抛光筒连通并用于磁性增稠流体的流入和流出,抛光筒内设有浸泡于磁性增稠流体中的刀具并通过刀具的高速旋转以使磁性增稠流体在励磁机构的磁场作用下沿抛光筒和刀具之间的间隙循环流经刀具的表面本发明还公开了其抛光方法。本发明通过刀具在抛光筒内的高速旋转,磁性增稠流体在刀具和抛光筒之间的间隙处产生一定的剪切速率,使磁性增稠流体能循环流,并在磁场作用下粘度增大,以高剪切力滑擦刀具的表面,进而达到刀具在磁性增稠流体中高速旋转进行柔性抛光及刃口钝化的效果
  • 一种磁场辅助剪切刀具抛光装置及其方法
  • [实用新型]一种流体抛光装置-CN202120530235.7有效
  • 刘柠铨;刘顿 - 成都泽雅科技发展有限公司
  • 2021-03-15 - 2021-11-02 - B24B31/10
  • 本实用新型公开了一种流体抛光装置,包括架体,工件载体,固定安装于架体上端,具有容纳被加工工件和抛光流体的上开口的容纳腔;灌注件,固定安装于架体并位于容纳腔开口端,向容纳腔中高压加注抛光流体;以及回收件,安装于架体并连接于灌注件抛光流体出口端;本实用新型设计合理,结构简单,使用方便,用于工件的抛光,合理的设计工件载体,该工件载体开设有容纳腔为抛光流体和被加工工件听过相互摩擦的场所,利用高压进入的抛光流体抛光效率更高
  • 一种流体抛光装置
  • [发明专利]抛光设备和方法-CN200810178331.9有效
  • 安田穗积;福岛诚;户川哲二 - 株式会社荏原制作所
  • 2008-11-28 - 2009-06-03 - B24B29/02
  • 抛光设备用于抛光基片例如半导体晶片为平坦的镜面加工面。抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、具有至少一个设计成形成被供给加压流体的多个压力室的弹性膜的抛光头和设计成控制加压流体向压力室的供给的控制器。控制器控制加压流体的供给,这样当基片与抛光表面接触时,加压流体首先供给位于基片中央部的压力室,然后加压流体供给位于基片中央部的压力室的径向外侧的压力室。
  • 抛光设备方法

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