专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN202010406781.X有效
  • 董明;曾凡清 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-05-14 - 2021-05-18 - H01L27/1157
  • 一种3D NAND存储器及其形成方法,所述形成方法,在第一沟道孔中填充牺牲层之前,进行扩孔步骤,使得第一沟道孔的开口的宽度增大。通过扩孔步骤,使得第一沟道孔的开口的宽度增大,后续在第一堆叠结构上形成第二堆叠结构,即使第二堆叠结构中形成的第二沟道孔的位置相对于第一沟道孔存在一定的位置偏移,第二沟道孔的底部位置仍能落在第一沟道孔扩宽后的开口内,减小了在第一沟道孔和第二沟道孔中形成存储结构的难度,并且由于扩孔步骤是在第一沟道孔中填充牺牲层之前进行,因而后续形成第二堆叠结构之前只需要进行一次填充牺牲层的步骤,简化了工艺步骤。
  • nand存储器及其形成方法
  • [发明专利]球笼式等速万向节-CN201811597510.6在审
  • 石光宗;刘雷 - 镇江诺兴传动联轴器制造有限公司
  • 2018-12-26 - 2020-07-03 - F16D3/224
  • 本发明涉及球笼式等速万向节,包括钟形壳、保持架、钢球及星形套;其特征在于:钟形壳的内沟道选用圆弧沟道,星形套的外沟道选用双心弧沟道,且双心弧沟道的左弧线与右弧线的交点所在位置交汇于O1线上,星形套的相邻两个外沟道中钢球的圆心所在位置不同,部分钢球的圆心所在位置交汇于O1线上,部分钢球的圆心所在位置交汇于O2线上,且O1线与O2线之间的直线距离为L;通过将钟形壳的内沟道选用圆弧沟道,而将星形套的外沟道选用双心弧沟道,通过提供一种钢球以三点接触的沟道截面形式的球笼式等速万向节
  • 球笼式等速万向节
  • [发明专利]掩膜版及显示面板-CN202210992979.X在审
  • 梁海霞;孙立志 - 苏州华星光电技术有限公司
  • 2022-08-18 - 2022-11-25 - H01L21/308
  • 本申请公开了一种掩膜版及显示面板,所述掩膜版设置有多个显示单元图案,所述显示单元图案包括:源极图案与漏极图案,所述源极图案与所述漏极图案之间形成有沟道图案;其中所述掩膜版上不同区域内的所述显示单元图案的所述沟道图案的宽度不同所述掩膜版上的所述沟道图案的宽度为预设宽度,在显示面板制备过程中,刻蚀液浓度较高的位置对应预设宽度较小的位置,以使该位置的所述沟道的实际宽度大于预设宽度;刻蚀液浓度较低的位置对应预设宽度较大的位置,以使该位置的所述沟道的实际宽度小于或等于预设宽度;从而在显示面板上制备出沟道宽度均匀的所述显示单元图案。
  • 掩膜版显示面板
  • [发明专利]止逆装置-CN200810144228.2无效
  • 罗杰·托马斯;斯科特·基恩里斯德 - 百得有限公司
  • 2008-07-25 - 2009-01-28 - B23D45/16
  • 一种止逆装置,其用于阻止容纳在细长沟道内的轨道运动,并包括:滑动表面,其位于轨道和沟道中的一个中,并相对于轨道和沟道中的另一个的相对侧壁倾斜;滑动件,其布置成沿着滑动表面在伸出位置和比伸出位置更远离侧壁的缩回位置之间滑动;以及弹性件,其沿着滑动表面朝向伸出位置偏压滑动件并将其偏压成抵靠侧壁,其中沟道相对于轨道沿纵向向前方向的运动使滑动件与侧壁之间的摩擦沿滑动表面朝缩回位置推动滑动件,其中沟道相对于轨道沿与向前方向相反的纵向向后方向的运动使滑动件与侧壁之间的摩擦沿滑动表面朝伸出位置推动滑动件,从而消除轨道与沟道之间的间隙以使轨道静止楔靠沟道,其特征在于,弹性件至少部分地被容纳在细长中空套管内。
  • 装置
  • [发明专利]连轴轴承主轴内沟道加工方法-CN201410466720.7无效
  • 陈关武;张声健;李蜀黔;陈恒书 - 贵州汇强科技有限公司
  • 2014-09-15 - 2014-12-10 - B23P15/00
  • 本发明的一种连轴轴承主轴内沟道加工方法,在连轴轴承主轴(1)相应位置车出沟道圆弧、表面中频淬火、粗磨、细磨、探伤、精磨沟道、超精研沟道,其特征在于:所述在主轴相应位置粗车内沟道(3)圆弧、粗车过渡圆弧A(2)、过渡圆弧B(4),直径方向预留0.5~0.6mm加工余量;中频淬火后,粗磨沟道,直径方向预留0.15~0.20mm细磨余量,细磨沟道后直径方向预留0.05~0.07mm精磨余量;再精车过渡圆弧A和过渡圆弧B达到工艺要求后,进行探伤,然后精磨沟道、最后超精研磨沟道达到工艺技术要求。
  • 连轴轴承主轴沟道加工方法
  • [发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN201310407723.9有效
  • 赵猛 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-09-09 - 2018-08-14 - H01L21/336
  • 本发明提出一种半导体器件结构及其形成方法,在半导体衬底上依次形成缓冲层、拉应力层以及沟道层;接着在沟道层上形成栅介质层和栅极;接着刻蚀所述拉应力层,使所述拉应力层凹陷预定深度并位于沟道层和缓冲层的中间位置;接着形成外延层以及源/漏极;由于所述拉应力层凹陷预定深度并位于沟道层和缓冲层的中间位置,从而能够对所述沟道层中间位置有顶起的作用,能够增加所述沟道层中的拉应力,进而可以增加载流子的迁移率,提高半导体器件的性能
  • 半导体器件结构及其形成方法
  • [发明专利]耗尽型MOS管的制造方法及结构-CN201510025270.2有效
  • 杨文清 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2015-01-19 - 2017-06-06 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种耗尽型MOS管的制造方法,沟道调节注入区由一系列沟道调节注入并退火推进形成;一系列的沟道调节注入中的第一次沟道调节注入的注入能量最大、注入剂量最小,后续每一次沟道调节注入的注入能量递减、注入剂量递加,使每一次沟道调节注入的峰值位置浅于前一次沟道调节注入的峰值位置,最后一次沟道调节注入的峰值位于硅和屏蔽氧化层的界面处或位于屏蔽氧化层内部,使得沟道调节注入区表面浓度最高且浓度向硅体内方向递减,且使得截止状态时在整个沟道调节注入区耗尽前都不会在沟道调节注入区表面形成反型层。本发明能实现截止状态下对沟道调节注入区完全耗尽,降低截止状态时漏电。
  • 耗尽mos制造方法结构

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