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[发明专利]从EUV掩模去除污染物-CN202210202118.7在审
发明人：廖本男 -专利权人：杜邦电子公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：含有磺酸和氯离子源的水性清洁组合物用于清洁半导体制造中使用的EUV掩模中的污染物。任选地，该水性清洁组合物可以包含氧化剂和表面活性剂。该水性清洁组合物从该掩模去除锡以及其他污染物。此类其他污染物包括但不限于氧化铝、蚀刻和光致抗蚀剂残留物。
euv 去除污染物

[发明专利]一种水源污染处理方法-CN202210548290.8有效
发明人：方利生;马康;渠顺奇;冯文倩;李伟丽;刘亚洁;王瑞佳;方彦化 -专利权人：中科威客科技（河南）有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01D35/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种水源污染处理方法，涉及水源污染治理技术领域，本发明在一个中部区域设置中排水管，中排水管的一端封闭，另一端连接水泵，通过抽水使中排水管内处于低水势，其两侧的污染物由于水体流动持续向中部的中排水管处自然流动，并利用过滤网来过滤污染物，使污染物留置并积累在侧面的输送带上，而输送带为持续运转作业，能够将积累的污染物向外侧持续排出，同时在两侧的区域边侧设置了分割围挡，并将水泵的出水与其内部的水管连接，水管的流动在两侧为污染物向中部流动提供了助力，并结合中部的低水势实现污染物自然向中部流动聚集，无须人们在河面全覆盖作业，减低了湖泊表面污染物清理打捞的难度，为水源污染处理提供了便利。
一种水源污染处理方法

[发明专利]一种梯次修复氯代有机物污染土壤方法-CN201410608808.8无效
发明人：毛旭辉;高顺;尹盘基 -专利权人：武汉大学
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B09C1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种梯次修复氯代有机物污染土壤方法，该修复方法采用含生物表面活性剂的水溶液淋洗有机污染土壤，使土壤中大部分的难降解有机污染物分配到淋洗液中；淋洗完成后，再加入微生物降解菌，实现低浓度有机物的持续降解残留的生物表面活性剂不对后续的有机污染物生物降解起到负面作用，而且还可以作为碳源，被微生物利用。本发明以生物表面活性剂为淋洗剂，通过微生物法梯次降解有机污染物，解决了高浓度氯代有机物污染土壤修复困难、传统表面活性剂产生残留毒性等难题。
一种梯次修复有机物污染土壤方法

[发明专利]通过向清洁溶液施加周期性的切变应力清洁半导体晶片表面的方法-CN200880018416.9有效
发明人：埃里克·M·弗里尔;约翰·M·德拉里奥斯;迈克尔·拉夫金;米哈伊尔·科罗利克;弗里茨·C·雷德克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供用于清洁粘着于晶片表面的微粒污染物的系统和方法。包括悬浮于清洁剂中的分散的耦合组分的清洁剂被施加到晶片表面上。外部能量被施加到该清洁剂以在该清洁剂内产生周期性的切变应力。该周期性的切变应力在该耦合组分上施加力，使得该耦合组分与该微粒污染物互相作用以从该晶片表面除去该微粒污染物。
通过清洁溶液施加周期性切变应力半导体晶片表面方法

[发明专利]于外延生长之前预清洁基板表面的方法和设备-CN201910885972.6在审
发明人：克里斯托弗·S·奥尔森;特里萨·克莱默·瓜里尼;杰弗里·托宾;劳拉·哈夫雷查克;彼得·斯通;洛志威;乔普拉·索拉布 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体涉及从基板表面移除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包括利用等离子体工艺移除设置于基板表面上的污染物，并接着通过利用远程等离子体辅助干式蚀刻工艺清洁基板表面。
基板表面移除污染物等离子体工艺清洁基板表面远程等离子体原生氧化物干式蚀刻

[发明专利]于外延生长之前预清洁基板表面的方法和设备-CN201480043644.7有效
发明人：克里斯托弗·S·奥尔森;特里萨·克莱默·瓜里尼;杰弗里·托宾;劳拉·哈夫雷查克;彼得·斯通;洛志威;乔普拉·索拉布 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体涉及从基板表面移除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包括利用等离子体工艺移除设置于基板表面上的污染物，并接着通过利用远程等离子体辅助干式蚀刻工艺清洁基板表面。
基板表面移除污染物等离子体工艺清洁基板表面远程等离子体方法和设备原生氧化物干式蚀刻外延生长预清洁

[发明专利]通过移动具有污染物处理表面的车辆通过大气清洁环境空气的方法-CN96191519.6无效
发明人： J·B·霍克;J·R·诺瓦克;J·J·斯迪格;T·C·泼里斯;L·M·魁克;R·M·赫克;Z·胡;F·M·阿兰;P·W·比罗瑟;M·德巴 -专利权人：恩格尔哈德公司
申请日： 1996-01-19 - 公布日： 1998-05-06 - 主分类号： B01D53/88 文献下载
摘要：处理大气的方法与设备,其中包括移动具有至少一个大气接触表面与该表面上的污染物处理组合物的车辆通过大气。具体实施方案包括用污染物处理催化剂涂敷机动车散热器。
通过移动具有污染物处理表面车辆大气清洁环境空气方法

[发明专利]封闭式光触媒载体结构及其污染物处理系统-CN200610147269.8有效
发明人：杨小明 -专利权人：杨小明
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种封闭式光触媒载体结构及其污染物处理系统，该结构包括数片光触媒载体薄板和紫外光源，薄板均为光触媒载体多孔材料薄板，数片薄板围绕紫外光源排列组合，每一片薄板的表面均载有光触媒，各薄板之间留有供污染物流体流动的间隙，其中，所述的薄板之间形成供污染物流体流动的间隙呈封闭状或半封闭状。当污染物流体流经载体结构时，污染物流体在腔体中滞留后再从相应的薄板的孔隙中流过，改变了污染物流体的流通路径，滞留时间，能够与载体上的光触媒更加充分地接触，增加了污染物流体与光触媒载体的接触几率，从而加强了对污染物处理能力，大大提升了载体结构或由载体结构形成的污染物处理系统对污染物流体的净化效率。
封闭式触媒载体结构及其污染物处理系统

[实用新型]封闭式光触媒载体结构及其污染物处理系统-CN200620048993.0无效
发明人：杨小明 -专利权人：杨小明
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： B01J32/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种封闭式光触媒载体结构及其污染物处理系统，该结构包括数片光触媒载体薄板和紫外光源，薄板均为光触媒载体多孔材料薄板，数片薄板围绕紫外光源排列组合，每一片薄板的表面均载有光触媒，各薄板之间留有供污染物流体流动的间隙，其中，所述的薄板之间形成供污染物流体流动的间隙呈封闭状或半封闭状。当污染物流体流经载体结构时，污染物流体在腔体中滞留后再从相应的薄板的孔隙中流过，改变了污染物流体的流通路径，滞留时间，能够与载体上的光触媒更加充分地接触，增加了污染物流体与光触媒载体的接触几率，从而加强了对污染物处理能力，大大提升了载体结构或由载体结构形成的污染物处理系统对污染物流体的净化效率。
封闭式触媒载体结构及其污染物处理系统

[发明专利]用于CPM后清除配方的新抗氧化剂-CN201510651623.X有效
发明人：张鹏;杰弗里·巴尔内斯;普雷尔那·森塔利亚;埃马努埃尔·库珀;卡尔·博格斯 -专利权人：安格斯公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C11D3/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从其上带有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子装置中清除所述残留物和污染物的清除组合物和方法。该清除组合物含有新型缓蚀剂。该组合物实现了CMP后残留物和污染物材料从微电子装置表面上的高度有效的清除，而不损害低k介电材料或铜互连材料。
用于 cpm 清除配方抗氧化剂

[发明专利]化学机械研磨后调配物和使用方法-CN201880024133.9在审
发明人： D·弗赖伊;刘俊;D·怀特;M·怀特 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C11D1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种用于从其上具有化学机械研磨CMP后残余物和污染物的微电子装置清洗所述残余物和污染物的清洗组合物和方法。所述组合物在不损害低k介电材料或铜互连材料的情况下实现从所述微电子装置的表面高效清洗所述CMP后残余物和污染物材料。另外，所述清洗组合物与含钌材料兼容。
残余物清洗组合物微电子装置清洗污染物化学机械研磨低k介电材料污染物材料含钌材料铜互连兼容损害

[发明专利]用于CPM后清除配方的新抗氧化剂-CN200880016457.4有效
发明人：张鹏;杰弗里·巴尔内斯;普雷尔那·森塔利亚;埃马努埃尔·库珀;卡尔·博格斯 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C11D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从其上带有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子装置中清除所述残留物和污染物的清除组合物和方法。该清除组合物含有新型缓蚀剂。该组合物实现了CMP后残留物和污染物材料从微电子装置表面上的高度有效的清除，而不损害低k介电材料或铜互连材料。
用于 cpm 清除配方抗氧化剂

[发明专利]铜清洁及保护调配物-CN200980141809.3有效
发明人：杰弗里·A·巴尼斯;布莱恩·贝纳科;卡尔·E·博格斯;丰琳;刘俊;梅里萨·A·佩特鲁斯卡;颜晓冬;张鹏 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C11D1/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从其上含有化学机械抛光(CMP)后残留物及污染物的微电子器件清洁该残留物及污染物的清洁组合物及方法。该清洁组合物包括新的腐蚀抑制剂。该组合物实现高效清洁该微电子器件表面的CMP后残留物及污染物，且不会损及低k介电材料或铜互连材料。
清洁保护调配

[发明专利]一种河流水环境污染物实时监测方法-CN202210669406.3有效
发明人：刘斌;贺磊;武彦东;梁朝军;贾玉霞;李斌;刘建华;马金龙;许晶;龚杰夫 -专利权人：河北省水利工程局集团有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01N33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种河流水环境污染物实时监测方法，涉及河流污染物监测技术领域。该方法包括采用分布式布设方法在河流水域中布设污染物监测点；在布设的各个污染物监测点安装多种监测传感器采集水流信息和污染物监测指标信息；对采集的水流信息和污染物监测指标信息进行分类和去噪处理；根据不同污染物监测点采集的污染物监测指标信息中污染物浓度等级显示不同颜色，并采用贝塞尔曲线绘制方法生成污染物水体区域；根据采集的水流信息、污染物监测指标信息和生成的污染物水体区域计算污染物在河流水环境中的排放量。本发明能够提高水域污染的全面性和实时性，快速发现污染源以及排放量。
一种河流水环境污染物实时监测方法

[发明专利]清洁方法及蚀刻设备-CN202110356628.5在审
发明人：林育奇;廖志腾;谭伦光;杨怀德;罗唯仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种从蚀刻设备清洁碎屑及污染物的方法。蚀刻设备包括一处理腔室、一射频功率源、在处理腔室内的一静电吸座、一吸座电极、以及连接至吸座电极的一直流功率源。清洁方法包括放置一基板在静电吸座的一表面上；施加一等离子体至基板，借此在基板的表面上产生一带正电的表面；施加一负电压或一射频脉冲至静电吸座，借此使来自静电吸座表面的碎屑粒子及/或污染物带负电，且导致碎屑粒子及/或污染物附接至带正电的基板表面；以及从蚀刻设备移除基板，借此将碎屑粒子及/或污染物从蚀刻设备移除。
清洁方法蚀刻设备