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[发明专利]柔性氮化铝薄膜及其制造方法-CN201811604531.6有效
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种柔性氮化铝薄膜及其制作方法，包括铝基底及氮化铝膜层，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述铝基底上，所述第一氮化铝膜层为由铝基底的表面经过氮化处理而形成的膜层该柔性氮化铝薄膜中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
柔性氮化薄膜及其制造方法

[发明专利]气相生长方法-CN201610218148.1有效
发明人：高桥英志;佐藤裕辅 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制在硅基板上形成氮化镓时产生裂纹的气相生长方法。实施方式的气相生长方法为，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在第一氮化镓膜上形成第二氮化镓膜
相生方法

[发明专利]柔性声表面波传感器及其制作方法-CN201811605608.1有效
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种柔性声表面波传感器及其制作方法，包括柔性氮化铝薄膜及设置于所述柔性氮化铝薄膜上的电极层，所述柔性氮化铝薄膜包括铝基底及氮化铝膜层，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述铝基底、所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次层叠设置，所述电极层包括输入电极及输出电极，所述输入电极及所述输出电极间隔设置于所述第二氮化铝膜层上，所述第一氮化铝膜层为由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成的膜层。该柔性声表面波传感器中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
柔性表面波传感器及其制作方法

[发明专利]具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层及其形成方法-CN201310566294.X有效
发明人：陈韦廷;黄家琦;黄俊杰;胡友元 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，包括：第一氮化硅膜；设置于第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜；设置于第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中第一氮化硅膜与第三氮化硅膜的厚度小于第二氮化硅膜的厚度，第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于第二氮化硅膜中的N‑H键含量，且第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N‑H键含量之差不小于5%。此外，本发明的三层氮化硅膜在同一腔室中以相同原料气体一次性连续形成，工艺简单、成本低，且三层均为氮化硅膜，具有良好的界面性能。
氮化硅膜蚀刻栅极绝缘层三层斜坡状侧面界面性能连续形成同一腔室原料气体一次性致密性

[发明专利]制造具有钨栅电极的半导体器件的方法-CN200510136225.0无效
发明人：郑哲谟;赵挥元;金正根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括步骤：在半导体衬底上形成栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜；构图栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜以形成多晶硅栅极；在多晶硅栅极的侧面形成分隔体；在整个表面上形成牺牲氮化物膜；然后在整个表面上形成层间绝缘膜；抛光在层间绝缘膜上形成的牺牲氮化物膜及多晶硅栅极从而暴露氮化物膜；在去除氮化物膜时去除牺牲氮化物膜的顶部部分；在通过氮化物膜的去除而暴露的侧面形成绝缘膜分隔体；利用绝缘膜填充从其去除了牺牲氮化物膜的部分；以及在从其去除了氮化物膜的部分中形成钨栅极。
制造具有电极半导体器件方法

[发明专利]一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法-CN202011090280.1有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;洪学鹍;魏青竹;倪志春;王书昶;郝明辉;张德宝 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。
一种具备微结构三层氮化硅减反层及其制备方法

[发明专利]柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法-CN201811605620.2有效
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：一种柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法，包括下电极、氮化铝膜层及上电极，所述下电极包括铝基底，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述下电极上，所述上电极形成于所述第二氮化铝膜层上，所述第一氮化铝膜层由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成。该柔性日盲型紫外光探测器中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法

[发明专利]一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法、制得的二维氮化镓膜-CN202110822741.8有效
发明人：于欣欣;张起瑞;吴长征;周扬;王大军;杨广 -专利权人：安徽泽众安全科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜；金属镓经过膜氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面，使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物；将硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理，冷却后得到氮化镓膜。本发明的有益效果在于：本发明基于氮化硼的稳定性、绝缘性和对激子发光性能的促进作用，以二维氮化硼与衬底为模板，在二维氮化硼与衬底间限域性生长氮化镓，钝化氮化镓的高能面，形成稳定二维氮化镓结构。
一种二维氮化模板制备方法

[发明专利]一种氮化镓外延层的制备方法-CN202310751770.9在审
发明人：常娟雄;王一;黄永;杨林安;卢灏;邵语嫣;陈兴;吴勇;王东;陆俊;王亦飞;台运涛;何祺伟;张畅;解靖飞;龚子刚;薛荣宇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延层的制备方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长第一氮化铝掩膜层，第一氮化铝掩膜层内包含若干第一氮化铝柱；在第一氮化铝掩膜层上生长第二氮化铝掩膜层，第二氮化铝掩膜层中的第二氮化铝柱为在第一氮化铝柱上成核生长，且相邻第二氮化铝柱之间的间距随着远离第一氮化铝柱逐渐减小；第二氮化铝掩膜层的生长温度高于第一氮化铝掩膜层的生长温度；在第二氮化铝掩膜层上生长氮化镓外延层；将氮化镓外延层自衬底上剥离。本发明中的方法，能够有效减少了衬底向外延层贯穿的穿透位错，缓解氮化镓外延冷却过程中的拉应力，且实现难度较低、时间较短、成本较低。
一种氮化外延制备方法

[发明专利]一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用-CN201610042189.X有效
发明人：谢一兵;田芳 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01G11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括氮化钼纳米膜、氮化钛纳米管阵列和氮化钛纳米膜；所述氮化钼纳米膜作为表面层，氮化钛纳米管阵列作为中间层，氮化钛纳米膜作为基底层，氮化钼纳米膜完全覆盖在氮化钛纳米管阵列的表面，氮化钛纳米管阵列垂直生长在氮化钛纳米膜的表面，形成一体化结构的氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料；所述氮化钼纳米膜具有微孔膜结构，氮化钛纳米管阵列具有管壁相连的长纳米管或者管壁独立的短纳米管结构，氮化钛纳米膜具有凹坑膜结构。
一种氮化纳米阵列复合材料及其制备方法应用

[发明专利]III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板-CN202080092360.2在审
发明人：久保田芳宏;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的III族氮化物基板的制造方法包括以下工序：在基板的两面形成表面为III族元素面的III族氮化物膜，制作III族氮化物膜担载体；对III族氮化物膜担载体的III族氮化物膜进行离子注入，在III族氮化物膜上形成离子注入区；将已进行离子注入的III族氮化物膜与主要成分为III族氮化物的多晶基底基板贴合，将III族氮化物膜担载体接合于基底基板；使III族氮化物膜担载体从基底基板上分离，将离子注入区转印至基底基板，在基底基板上形成表面为N面的III族氮化物膜；以及利用THVPE法在基底基板的表面为N面的III族氮化物膜上形成III族氮化物膜，制作III族氮化物膜的厚膜。本发明的III族氮化物基板是利用本发明的III族氮化物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供：可制造大口径和高品质的III族氮化物基板的III族氮化物基板的制造方法；以及利用该制造方法制造的III族氮化物基板。
iii 氮化物制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201610022377.6有效
发明人：桥本良知;广濑义朗;松冈树;原田胜吉 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：可提高形成于衬底上的氮化膜的组成的控制性、膜质等。具有下述工序：对在表面形成有含氧膜的衬底供给第一原料和第一氮化剂、在含氧膜上形成初始膜的工序；对初始膜进行等离子体氮化，由此将初始膜改质为第一氮化膜的工序；和对衬底供给第二原料和第二氮化剂，在第一氮化膜上形成第二氮化膜的工序
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202011002086.3在审
发明人：高木聪;北村和也;蔡秀林 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。成膜方法包括以下工序：对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟形成于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。
方法装置

[发明专利]一种多功能层氮化物低辐射节能玻璃-CN201510435390.X有效
发明人：庄志杰;周钧;刘战合 -专利权人：赛柏利安工业技术（苏州）有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能层氮化物低辐射节能玻璃，所述多功能层氮化物低辐射节能玻璃包括镀膜玻璃基片(1)，镀膜玻璃基片上由内到外依次设置有用于Na+离子阻挡的沉积阻挡层、第一功能层、第二功能层、第三功能层和保护层；所述沉积阻挡层为氮化硅膜层(2)；第一功能层为三个连续的膜层组成，包括氮化铝膜层(31)、氮化钛膜层或金属钛膜层(32)、氮化铝膜层(33)；第二功能层为氮化锆膜层(41)；第三功能层为氮化铝膜层(51)、氮化钛膜层(52)和氮化铝膜层(53)；所述保护层为氮化硅膜层(61)。本发明的耐候性好、耐腐蚀性好、机械性能好、膜层分布均匀，色彩更加柔和、膜层致密性好。
一种多功能氮化物辐射节能玻璃

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202010842303.3在审
发明人：小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置及成膜方法。本发明的课题是：在以填充形成于基板的表面的凹部图案的方式成膜为硅氮化膜时，无间隙地填充凹部图案。在表面形成有凹部图案的基板上成膜为硅氮化膜的成膜方法中，包括如下工序：向存储前述基板的处理容器内分别供给包含硅的原料气体和对前述原料气体进行氮化的氮化气体，沿着前述基板的表面形成保形的硅氮化膜的工序；在停止向前述处理容器内供给硅原料气体的状态下，向前述基板供给用于对前述硅氮化膜进行整形的等离子体化的整形用气体，以使前述硅氮化膜的膜厚自凹部图案的底部侧向上部侧变薄的方式使前述硅氮化膜收缩的工序；和，交替地重复进行形成前述硅氮化膜的工序与使前述硅氮化膜收缩的工序，将硅氮化膜嵌入于前述凹部图案的工序。
装置方法

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