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[发明专利]一种基于镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法-CN201310740552.1无效
发明人：高义华;张翔晖;王玉梅;李璐颖;苏俊;刘逆霜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-28 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：本发明公开一种镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管包括p型导电基片，位于p型导电基片上的镓掺杂氧化锌纳米线阵列和底电极，以及位于镓掺杂氧化锌纳米线阵列上的顶电极。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列波长可调节发光二极管的制备方法包括：提供一p型导电基片；在p型导电基片上通过控制镓掺杂氧化锌纳米线阵列的镓掺杂量，进行镓掺杂氧化锌纳米线阵列生长；在生长的镓掺杂氧化锌纳米线阵列上旋涂一层阻挡层；刻蚀去除包裹在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部的阻挡层；在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部沉积顶电极；去除部分区域的镓掺杂氧化锌纳米线阵列，露出p型导电基片，在露出的p型导电基片上制作底电极。
一种基于掺杂氧化锌纳米阵列波长调节发光二极管及其制备方法

[发明专利]基于氧化锌纳米线的全光开关的制备方法及全光开关-CN201010127038.7有效
发明人：穆丽璇;师文生 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明涉及氧化锌纳米线有序阵列及单根氧化锌纳米线的全光开关的制备方法，及由该方法得到的基于氧化锌纳米线有序阵列或单根氧化锌纳米线的全光开关。本发明的方法是将由电化学沉积法、水热法或化学气相沉积法得到的在基底上生长的氧化锌纳米线有序阵列进行氧等离子体表面处理；然后再对表面处理过的氧化锌纳米线有序阵列的表面进行修饰，在其表面共价修饰光控的螺吡喃衍生物，得到基于氧化锌纳米线有序阵列的全光开关，及进一步得到从在基底上制备得到的基于氧化锌纳米线有序阵列上刮下的单根氧化锌纳米线的全光开关。本发明制备的氧化锌纳米线有序阵列及单根氧化锌纳米线全光开关，在全光器件的小型化及模块化中有广泛的应用前景。
基于氧化锌纳米开关制备方法

[发明专利]纳米超声振动机-CN201210262012.2有效
发明人：李泽堂 -专利权人：纳米新能源（唐山）有限责任公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： A61B17/225 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米超声振动机。该超声振动机包括：碳纤维，氧化锌纳米线阵列和高分子绝缘层；碳纤维的表面包括氧化锌纳米线生长区和裸露区；在氧化锌纳米线生长区，所述氧化锌纳米线阵列垂直生长在碳纤维表面上，形成以碳纤维为核，氧化锌纳米线阵列作为圆柱壳体的核壳结构；所述氧化锌纳米线阵列上覆盖有所述高分子绝缘层。在电场作用下，氧化锌纳米线能够产生超声波（超声振动），用于在体腔和血管中驱动异物或血栓。
纳米超声振动

[发明专利]一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米阵列的制备方法及应用-CN202111190422.6在审
发明人：徐春祥;董秀秀;王茹;石增良 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米阵列的制备方法及应用。属于纳米光电功能材料领域，具体步骤：1、将预处理后的导电基底置于磁控溅射仪中，采用氧化锌靶材在高纯氧气和高纯氩气的混合气体中溅射得到氧化锌种子层；2、然后将其加入到醋酸锌和六次甲基四胺的水溶液中，水热合成制备得到氧化锌纳米线阵列；3、随后将所得产物经洗涤、干燥后进行等离子体纳米金溅射；得到金‑氧化锌纳米线阵列；4、最后将金包裹的氧化锌纳米线阵列(金‑氧化锌纳米线阵列)置于磁控溅射仪，进行氧化镍的再修饰，最终得到氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列本发明的氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列具有形貌可控、光电协同、可重复性好等特点。
一种氧化氧化锌同轴纳米阵列制备方法应用

[发明专利]一种实现氧化锌纳米线阵列梯度掺杂的方法-CN201810320695.X有效
发明人：张翔晖;苏明明;娄猛;李岳彬;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C01G9/03 文献下载
摘要：本发明公开一种实现氧化锌纳米线阵列梯度掺杂的方法，包括：采用化学气相沉积法或液相合成法制成纯氧化锌纳米线阵列；将掺杂源蒸镀在纯氧化锌纳米线阵列上，制得掺杂氧化锌纳米线阵列；将蒸镀掺杂源后的氧化锌纳米线阵列，放置在设定的高温环境中，使被蒸镀的掺杂源与氧化锌发生固相扩散，实现纳米线掺杂量自上而下呈梯度分布方式；通过控制高温固相扩散时间，实现纳米线的浓度梯度控制；蒸镀时间小于80s，掺杂源质量≤0.1g；之后放入管式炉进行氩气环境下的本发明方法实现了梯度掺杂氧化锌纳米线阵列的可靠制备，拓宽了氧化锌纳米线在电子器件，电学性能调控以及发光性能调控的领域的应用。
氧化锌纳米线阵列掺杂源蒸镀梯度掺杂退火纳米线阵列纯氧化锌纳米线化学气相沉积氧化锌纳米线液相合成法电学性能电子器件发光性能高温固相高温环境固相扩散浓度梯度梯度分布氩气环境掺杂量管式炉氧化锌调控放入制备掺杂扩散应用

[发明专利]一种带有甲铵铅碘吸附层的氧化锌纳米线阵列及其制备方法-CN201510398207.3有效
发明人：张树德;李效民;高相东;丁旭坤;黄宇迪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有甲铵铅碘吸附层的氧化锌纳米线阵列及其制备方法，所述带有甲铵铅碘吸附层的氧化锌纳米线阵列包括氧化锌纳米线阵列和均匀沉积于所述氧化锌纳米线阵列中的纳米线的表面的甲铵铅碘薄膜。本发明在氧化锌纳米线阵列中的纳米线表面沉积了连续致密、厚度可控的甲铵铅碘吸附层，这种结构具有优异的吸光性能和电子传输性能，有望在太阳能电池、光电探测器等领域得到应用。
一种带有甲铵铅碘吸附氧化锌纳米阵列及其制备方法

[发明专利]氧化锌‑硫化锌异质结纳米线阵列及其制备方法和应用-CN201710079935.7在审
发明人：王舰;杨壮;高星星;赵通林;李洋;谢东东;黄雷明;姜效军 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及氧化锌‑硫化锌异质结纳米线阵列及其制备方法和应用，包括硫化锌纳米球和氧化锌纳米线，硫化锌纳米球生成于氧化锌纳米线的顶端形成异质结；氧化锌‑硫化锌异质结纳米线阵列基底为锌片，氧化锌纳米线垂直生长于基底锌片上，硫化锌纳米球生成于氧化锌纳米线的顶端。优点是制备过程简单，稳定性高，在光催化纳米材料等领域具有潜在的应用前景。通过简单的一步水热法并且不添加任何催化剂合成。
氧化锌硫化锌异质结纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]一种密度可控氧化锌纳米线阵列的激光烧蚀生长方法-CN201010011602.9无效
发明人：曹丙强;段广彬;郑少华;胡夕伦 -专利权人：济南大学
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锌纳米线材料的高压激光烧蚀制备方法，尤其是实现了对纳米线阵列生长密度的大范围调控。通过引入氧化锌缓冲层和调节靶材与衬底之间的距离来实现氧化锌纳米线阵列生长密度的大范围调控。通过高压脉冲激光烧蚀技术，不仅实现了高密度氧化锌纳米线阵列的生长，并且利用缓冲层技术实现了低密度氧化锌纳米线的生长，进而通过调节靶材和衬底之间的距离，实现了氧化锌纳米线生长密度的大范围调控。
一种密度可控氧化锌纳米阵列激光生长方法

[发明专利]一种在氧化锌铝导电薄膜上生长氧化锌纳米线阵列的方法-CN201010150281.0无效
发明人：阙文修;张进 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2010-04-19 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：一种在氧化锌铝导电薄膜上生长氧化锌纳米线阵列的方法，采用氧化锌铝透明导电薄膜作为籽晶层，并在其上水热生长氧化锌纳米线。首先，利用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃片上沉积氧化锌铝薄膜，其次采用水热自组装生长技术在氧化锌铝薄膜上生长氧化锌纳米线阵列，即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好C轴择优取向和紫外受激发光特性的氧化锌纳米线阵列
一种氧化锌导电薄膜生长纳米阵列方法

[发明专利]飞秒激光制备氧化锌纳米线阵列的方法及其装置-CN200810017839.0无效
发明人：陈烽;贺永宁;杨青;边浩 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞秒激光制备氧化锌纳米线阵列的方法及其装置，属于微纳米材料制备和飞秒激光微加工技术领域，与氧化锌材料的周期性纳米微结构有关，特别是一种利用飞秒激光辐射场在氧化锌靶材上制备周期性纳米线阵列的方法氧化锌纳米线阵列制备时先将氧化锌靶材固定在二维精密位移台上，然后将一束光飞秒激光经透镜聚焦，并使之作用于氧化锌靶材上，通过飞秒诱导和二维精密位移台配合扫描，产生氧化锌周期性纳米线阵列。本发明具有制备效率高，适用范围广，处理得到的氧化锌纳米线阵列排列整齐、均匀。
激光制备氧化锌纳米阵列方法及其装置

[发明专利]一种树枝状氧化锌纳米线阵列的制备方法-CN201510713929.3有效
发明人：陈滢;许鹏程;李昕欣;徐涛;郑丹 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海应用技术学院
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种树枝状氧化锌纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤1）清洗基底表面；2）采用原子层沉积工艺在基底表面沉积一层氧化锌种子层；3）在基底上采用水热法生长氧化锌纳米线阵列；4）再将基底清洗并干燥后，形成棒状氧化锌纳米线阵列；5）采用原子层沉积工艺在基底表面再沉积一层氧化锌种子层；6）重复步骤3）‑4），形成树枝状的氧化锌纳米线阵列。本发明提供的一种树枝状氧化锌纳米线阵列的制备方法，制备温度低，纳米树枝结构均匀性好、致密性好，适用于非平面或具备复杂结构的基底，简单可行。
一种树枝氧化锌纳米阵列制备方法

[发明专利]一种图案化氧化锌气敏纳米阵列材料、制备方法及应用-CN202310550879.6在审
发明人：赵宇鑫;郭盟亚 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：一种图案化氧化锌气敏纳米阵列材料、制备方法及应用，所述图案化氧化锌气敏纳米阵列材料呈规则蜂窝状排布，蜂窝间隙处生长有氧化锌纳米线，形成氧化锌纳米线阵列，蜂窝底部生长有氧化锌纳米管；氧化锌纳米线的直径为40nm～60nm，蜂窝的孔状直径为1μm，氧化锌纳米管的直径为40nm～60nm。制备方法的步骤包括溶胶法制备氧化锌纳米颗粒；聚苯乙烯球自组装法制备图案掩模板；水热法生长氧化锌纳米线阵列；煅烧法去除掩模板。整个过程的成本低、操作简单且制备出的氧化锌结构新颖。将所得氧化锌用于二氧化氮气体检测，可在150℃下对50ppm二氧化氮达到100.5的响应值，具有很好的检测性能。
一种图案氧化锌纳米阵列材料制备方法应用

[发明专利]一种氧化锌纳米线的自生长方法-CN200910249892.8无效
发明人：苏燚;邹小平;程进 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌纳米线的自生长方法。包括以下步骤：一种氧化锌纳米线的自生长方法。包括以下步骤：(1)使用溶液法制备垂直取向的氧化锌纳米棒阵列；(2)将制备的氧化锌纳米棒阵列从溶液中取出，并使用去离子水反复清洗；(3)将用去离子水清洗过的氧化锌纳米棒阵列样品直接放置在空气中保存；(4)在空气中放置7天至30天，通过自生长的方法可以在氧化锌纳米棒阵列样品的表面生长出单晶氧化锌纳米线。
一种氧化锌纳米生长方法

[发明专利]一种氧化锌纳米线阵列的制备方法-CN201010609908.4有效
发明人：林媛;南天翔;曾慧中;黄文;梁伟正;刘升华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备
一种氧化锌纳米阵列制备方法

[发明专利]一种氧化锌纳米管阵列及其制备方法和应用-CN201810237697.2有效
发明人：柳成林;陈惠琄;杨柏儒;肖帅;林迪安;翁明;张伟;谢曦 -专利权人：佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C01G9/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种端部生长有氧化锌纳米线的氧化锌纳米管阵列，氧化锌纳米管为中空结构，氧化锌纳米管端部管壁生长有氧化锌纳米线。相比于现有的氧化锌纳米管/棒阵列，本发明的纳米管端部生长有许多纳米线，增加纳米材料表面的液/气接触面积，从而提高材料在光催化降低反应中的降解效率，同时也提高了氧化锌纳米材料的自清洁能力，从而满足特殊环境长时间工作的需求
一种氧化锌纳米阵列及其制备方法应用

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