“氧化钨粒子”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1097266个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于水氧化的分散型内建电场钨铋基阵列及其制备方法-CN202011338067.8有效
发明人：范晓莉 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于水氧化的分散型内建电场钨铋基阵列，包括在导电玻璃表面垂直生长的单斜相三氧化钨纳米片阵列，以及负载于三氧化钨纳米片表面的分散型白钨矿型钒酸铋纳米颗粒。本发明还公开了一种用于水氧化的分散型内建电场钨铋基阵列的制备方法，本发明先在导电玻璃表面生长垂直的单斜相三氧化钨纳米片阵列光电极，随后制备钒酸铋纳米颗粒胶体，将单斜相三氧化钨纳米片和钒酸铋纳米颗粒胶体经溶剂热制得钨铋基阵列光电极；本发明的钒酸铋纳米颗粒均匀分散于单斜相三氧化钨纳米片表面，能够有效地加速表面水氧化动力学，从而有效提升光电转化效率，在光电催化氧化领域具有广阔的应用前景。
一种用于氧化分散型内建电场钨铋基阵列及其制备方法

[发明专利]一种四方形氧化钨纳米粉体的合成方法-CN200710162553.7无效
发明人：宿新泰;王吉德;孙庆军;骆建敏;解正峰;黄艳;党富民;衡秋丽 -专利权人：新疆大学
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：一种四方形氧化钨纳米粉体的制备方法，属于无机非金属材料领域。其内容是利用钨酸钠与盐酸反应得到的钨酸沉淀做前驱物，用柠檬酸作为辅助试剂，以盐酸调节pH值，在高压釜中加热生长纳米氧化钨。该四方形氧化钨粉体材料特征为：四方形氧化钨的尺寸在80-150nm之间。本方法的优点在于工艺简单，成本低廉，用柠檬酸辅助水热控制氧化钨晶体的形貌和大小。
一种方形氧化钨纳米合成方法

[发明专利]一种三价镍掺杂氧化钨中空微球及其制备方法与应用-CN202211281095.X在审
发明人：吴莉莉;刘飞;赵金博;刘久荣;孟凡军;张大舜 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种三价镍掺杂氧化钨中空微球及其制备方法与应用，包括如下步骤：向钨源和表面活性剂的混合水溶液中加入钙源，搅拌均匀后，进行水热反应，制得钨酸钙中空微球材料；将钨酸钙中空微球材料加入酸溶液中进行反应，得到前驱体材料，将前驱体材料退火处理，得到氧化钨中空微球；向镍盐的乙醇溶液中加入氧化钨中空微球，继续搅拌，直至乙醇溶剂蒸发完全；蒸发结束后，对所得产物进行退火处理，制得三价镍掺杂的氧化钨中空微球。采用水热法和酸刻蚀制备出一种氧化钨中空微球，然后通过油浴蒸干法制备出三价镍掺杂氧化钨气敏材料。
一种三价镍掺杂氧化钨中空及其制备方法应用

[发明专利]金属氧化物复合溶胶、涂布组合物和光学部件-CN200880109998.1无效
发明人：小山欣也;浅田根子 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2008-10-03 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明提供可以基本完全抑制光激发导致的胶体粒子变色，耐光性、耐气候性优异的含有氧化钛的高折射率金属氧化物复合胶体粒子的溶胶。本发明是一种氧化钛-氧化锡-氧化锆-氧化钨复合胶体粒子，初级粒子粒径为2～50nm，SnO2/TiO2的摩尔比为0.1～1.0，ZrO2/TiO2的摩尔比为0.1～0.4，并且WO3/TiO2的摩尔比为
金属氧化物复合溶胶组合光学部件

[发明专利]一种表面修饰铕的三氧化钨光电极及制备方法-CN201410015180.0有效
发明人：刘润;潘微;许宜铭 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面修饰铕的三氧化钨光电极及制备方法。本发明的特点是以电沉积的方法得到无定形的氧化钨薄膜为基体，通过滴加法将铕均匀滴加于氧化钨薄膜表面，然后在一定温度下煅烧，得到一种铕表面修饰的三氧化钨光电极。
一种表面修饰氧化钨电极制备方法

[发明专利]一种缺氧态氧化钨光催化剂的制备方法-CN201710915745.4有效
发明人：罗坚义;李宇东;莫希伟;梁宝文;黄景诚;曾庆光 -专利权人：五邑大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种缺氧态氧化钨光催化剂的制备方法，该制备方法包括以下步骤：先通过真空热蒸发法制备出氧化钨，然后对氧化钨进行高温缺氧处理，生成缺氧态氧化钨光催化剂。
一种缺氧氧化钨光催化剂制备方法

[发明专利]一种过渡金属单原子-氧化钨材料及其制备方法和应用-CN202211326553.7在审
发明人：程合锋;毛玉印;黄柏标;王泽岩;王朋;刘媛媛;郑昭科;张倩倩;张晓阳 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料技术领域，涉及一种过渡金属单原子‑氧化钨材料及其制备方法和应用。过渡金属单原子‑氧化钨材料的制备方法包括如下步骤：(1)将钨盐溶于乙醇，通过溶剂热法制备缺陷态氧化钨纳米线；(2)通过湿化学浸渍法，将制备的缺陷态氧化钨纳米线和过渡金属盐均匀分散于乙醇溶液中，水浴后煅烧得到过渡金属单原子‑氧化钨材料。本发明中优选的镍单原子‑氧化钨材料在水、乙腈、三乙醇胺混合溶液中，以氯化三(2,2'‑联吡啶)钌(II)六水合物为光敏剂，在二氧化碳氛围下进行二氧化碳还原为一氧化碳产率可达35.8mmol/g/h，选择性高达
一种过渡金属原子氧化钨材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于WO₃单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法-CN201110402654.3无效
发明人：秦玉香;沈万江;胡明;李晓;王飞 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三氧化钨单晶颗粒氮氧化物传感器元件的制备方法，步骤为：(1)配制六氯化钨溶液；(2)调节六氯化钨的摩尔浓度为0.003-0.014M；(3)合成准定向的钨氧化物纳米线；(4)制备纳米线基敏感材料浆料；(5)制备三氧化钨单晶颗粒氮氧化物传感器元件。本发明制备的三氧化钨单晶为纯的单斜相结构，单晶颗粒结构完整，晶化程度高，晶面清晰、形貌规则。基于该单晶三氧化钨材料的气体传感器可以实现对亚ppm至ppb级NO2气体的高灵敏度、高选择性的快速响应。
一种基于 wo sub 颗粒氧化物传感器元件制备方法

[发明专利]一种制备镍离子掺杂三氧化钨光催化剂的方法及其产品与应用-CN202210306125.1有效
发明人：张福勤;丰欣妍;吕波;丰雪帆 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备镍离子掺杂三氧化钨光催化剂的方法及其产品与应用，包括以下步骤：1)将钨酸盐与强酸溶液进行混合，进行搅拌反应，接着离心、洗涤，得到的沉淀，将沉淀进行干燥后，进行煅烧，得到三氧化钨；2)将三氧化钨加入到弱碱溶液中，超声分散和搅拌，得到分散液；向分散液中加入镍盐，继续进行搅拌反应，反应结束，进行离心洗涤，得到镍离子掺杂三氧化钨催化剂。本发明的镍离子掺杂三氧化钨光催化剂主要由镍离子掺杂在含有丰富缺陷以及非晶态结构的三氧化钨表面，利用缺陷和高价镍离子的两者协同作用，使得其活性位点明显增多，同时氧空位等缺陷作为电子接受体，可以提高光生电子和空穴的分离效率
一种制备离子掺杂氧化钨光催化剂方法及其产品应用

[发明专利]基于铝离子水凝胶的自供电氧化钨基电致变色器件及其制备方法-CN201910639591.X有效
发明人：方华靖;武文婷;汪宏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：基于铝离子水凝胶的自供电氧化钨基电致变色器件及其制备方法，包括以下步骤；1)清洗FTO导电玻璃并晾干；2)配制氧化钨与氧化钼复合的前驱体溶胶；3)采用溶胶凝胶旋涂方法，在FTO导电玻璃上旋涂氧化钨与氧化钼复合的前驱体溶胶，并成膜，然后进行退火处理，得透明氧化钨基电致变色薄膜；4)制备聚丙烯酰胺水凝胶；5)将聚丙烯酰胺水凝胶浸润氯化铝溶液，得氯化铝水凝胶；6)将氯化铝水凝胶通过黏附铝电极的普通玻璃与步骤3)得到的透明氧化钨基电致变色薄膜进行封装，得电致变色智能窗器件；7)将水凝胶笔与步骤3)得到的透明氧化钨基电致变色薄膜连接，得无电压驱动可擦写离子书写屏。
基于离子水凝胶供电氧化钨基电致变色器件及其制备方法

[发明专利]一种导电玻璃基体氧化钨薄膜材料制备方法-CN201611199341.1有效
发明人：王金淑;郑广伟;李洪义;李萍萍;赵冰心;张志忻 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：一种导电玻璃基体氧化钨薄膜材料制备方法属于薄膜材料制备领域。本发明通过在导电玻璃基体旋涂上氧化钨晶种，利用水热法制备结构可控、排列高度有序的氧化钨片状结构薄膜材料。通过采用本工艺方法可以实现对氧化钨片状结构暴露面的有效调控，所得导电玻璃基体氧化钨薄膜材料具有高的光电响应效率和光电流密度，在可见光照射下，材料的光电流密度最高可达到1.77mA cm^‑2
一种导电玻璃基体氧化钨薄膜材料制备方法

[发明专利]一种钨酸钠有机化制备纳米钨粉的方法-CN201611267559.6有效
发明人：李焌源;薛海涛;李春芳;吴尔京;罗小媚;牛博 -专利权人：湖南省华京粉体材料有限公司
申请日： 2016-12-31 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米钨粉的制备方法，主要用于钨有机化制备纳米钨粉，其包括如下步骤：钨酸钠有机化为水杨酸钨，钨酸钠、硫酸与水杨酸的摩尔比例为1:0.8～1.2:0.8～1.2，配置的水溶液中钨酸根离子的摩尔浓度为1～2mol/L；水杨酸钨热分解为纳米氧化钨，温度为200～340℃，保温0.5～8小时；纳米氧化钨氢还原为纳米钨粉。本发明采用钨有机化形成低沸点的水杨酸钨，通过200～300℃热分解为纳米氧化钨，纳米氧化钨再通过氢还原获得粒度均匀的纳米钨粉，纳米钨粉粒度在20‑40nm，纯度在99.99%，收率超过99%。
一种钨酸钠有机化制备纳米方法

[发明专利]一种氧化钨纳米棒束结构气敏材料制备方法-CN201610011232.6在审
发明人：胡明;王自帅;王毅斐;刘相承;袁琳 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨纳米棒束结构气敏材料制备方法，具有以下步骤：(1)陶瓷片基底的清洗；(2)配置六氯化钨反应溶液；(3)合成氧化钨纳米棒束结构；(4)分离、干燥；(5)制得氧化钨纳米棒束基敏感材料浆料本发明采用溶剂热法在陶瓷片基底上制备了三氧化钨纳米棒束结构，提供了一种具有高灵敏度、优良的稳定性和易于微电子工艺技术兼容的可在低温下工作的氮氧化物气敏传感器。是一种制备具有较大的比表面积和较大的表面活性的氧化钨纳米棒束结构的方法。基于该氧化钨纳米棒束结构的气敏传感器可以实现对亚ppm至ppb级的二氧化氮气体的高灵敏度、高选择性的快速响应。
一种氧化钨纳米结构材料制备方法

[实用新型]一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件-CN201320253995.3有效
发明人：胡明;马双云;曾鹏;李明达;闫文君 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-05-11 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，其特征在于，硅基片衬底（1）的上面设置有多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6），多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6）由多孔硅（3）和一维氧化钨纳米线（2）组成，一维氧化钨纳米线结构（2）的上面设置有正铂电极（4）和负铂电极（5）。本实用新型在低温下对低浓度氮氧化物气体具有较高的响应值和很好的选择性，响应/恢复时间短，体积小巧、结构简单、制作工艺成熟、使用方便、价格低廉，有望在气敏传感器领域推广和应用。
一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件

[发明专利]一种回收废旧SCR脱硝催化剂中三氧化钨成分的方法-CN201410471973.3有效
发明人：董长青;陈晨;张阳;陆强;杨勇平 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明属于有色金属回收领域，具体涉及一种利用溶解法分离并回收废旧SCR脱硝催化剂中三氧化钨成分的方法。本发明首先将废旧SCR脱硝催化剂充分粉碎至干粉状，高温焙烧后利用特定溶液在一定条件下溶解催化剂中的三氧化钨成分，使三氧化钨与催化剂中其它成分有效分离，收集上层含钨清液并将其蒸干，将得到的固体充分干燥，经高温焙烧后，完成对三氧化钨成分的回收。
一种回收废旧 scr 催化剂氧化钨成分方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top