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[发明专利]焊盘及其形成方法-CN200810117727.2有效
发明人：王新鹏;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种焊盘形成方法，包括，在基底上形成介质层；利用包含第一氟碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介质层执行主刻蚀操作，所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于2∶1，所述第二氟碳气体中的氟碳比例小于或等于2∶1；利用包含第二氟碳气体的第二反应气体执行所述介质层的过刻蚀操作，形成接触孔；形成覆盖所述介质层并填充所述接触孔的导电层，形成焊盘。
及其形成方法

[发明专利]气体扩散电极、膜－电极接合体、固体高分子型燃料电池及其制造方法-CN200610142727.9无效
发明人：铃木利保;田中弘真 -专利权人：株式会社巴川制纸所
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明提供具有优良的用于快速进行反应气体的供给、除去的疏水性、有效地传递生成的电流的导电性的气体扩散电极，提供良好地保持气体透过性的同时，保持机械强度，由此能良好地保持电池特性的气体扩散电极、膜－电极接合体一种气体扩散电极，所述气体扩散电极至少具有分散有碳材料的氟树脂膜，其特征在于，所述氟树脂膜具有多个空隙。本发明之一的气体扩散电极，具有多孔质氟树脂膜，所述多孔质氟树脂膜如下形成：通过涂布将仅由纤维状碳材料构成或由纤维状碳材料与粒子状碳材料构成的碳材料分散在氟树脂溶液中得到的涂布液，从而制得。本发明之二的气体扩散电极具有下述氟树脂膜，所述氟树脂膜具有多个贯通孔，且至少分散有碳材料。
气体扩散电极接合固体高分子燃料电池及其制造方法

[发明专利]深宽比依赖性降低的选择性蚀刻的方法-CN201780062967.4在审
发明人：阿达什·巴萨瓦林加帕;王彭;巴斯卡·纳加布海拉瓦;迈克尔·葛斯;普拉帕格拉·卡帕拉达苏;伦道夫·科纳尔;斯蒂芬·施米茨;菲尔·弗里德尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：所述沉积阶段包括：提供沉积阶段气体流，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述沉积阶段气体形成等离子体；以及停止所述沉积阶段。所述蚀刻阶段包括：提供蚀刻阶段气体流，所述蚀刻阶段气体包含具有比所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率低的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率；以及停止所述蚀刻阶段
沉积阶段蚀刻氢氟烃碳氟化合物含碳氟化合物选择性蚀刻含氧气体阶段气体蚀刻循环等离子体气体形成蚀刻工艺气体流深宽比蚀刻层掩模

[发明专利]碳氟类气体的分离纯化方法-CN202310338293.3在审
发明人：赵毅;焦中鹏;毕聪智;王明月;奚颖 -专利权人：大连科利德光电子材料有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B32/10 文献下载
摘要：本发明涉及电子特气领域，尤其涉及碳氟类气体的分离纯化方法，其包括以下步骤：(1)向工业级碳氟气体中混入氯气，并在紫外照射下使得其中的碳氢化合物氯并进行清洗；(2)将经过清洗后的工业级碳氟气体进行通过过渡金属氧化物催化氧化；(3)将经过催化氧化处理后的碳氟气体通入到含有杂质气体吸附剂的离子液体中进行吸附；(4)吸附结束后将碳氟气体通入到精馏塔中精馏脱轻脱重，得到高纯碳氟类气体。本发明中的方法能够对碳氟类气体起到充分的分离纯化作用，经过纯化后得到的高纯碳氟类气体能够有效应用于半导体工业中。同时本发明中的纯化方法操作简单，能够有效成本低廉，能够适用于工业级应用。
碳氟类气体分离纯化方法

[发明专利]用于高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻的蚀刻和钝化气体组分的独立控制-CN202080024315.3在审
发明人：张度;蔡宇浩;王明美 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：该方法包括提供含有氧化硅膜和氮化硅膜的衬底，以及通过以下方式相对于该氮化硅膜选择性蚀刻该氧化硅膜：a1)将该衬底暴露于含有碳、硫或碳和硫两者的等离子体激发的钝化气体，其中该等离子体激发的钝化气体不含氟或氢，以及b1)将该衬底暴露于含有含氟气体的等离子体激发的蚀刻气体。该方法可以进一步包括在a1)与b1)之间的额外步骤a2)：将该衬底暴露于含有氟碳气体、氢氟碳气体、氢氯碳气体、氢氯氟碳气体、或烃气体或其组合的等离子体激发的额外钝化气体。
用于高度选择性氧化氮化蚀刻钝化气体组分独立控制

[发明专利]惰性气体保护的高纯全氟碳电子特气吸附纯化方法-CN202111672465.8有效
发明人：周言;黄国强;胡号;钟强 -专利权人：天津大学浙江绍兴研究院
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B01D53/00 文献下载
摘要：本发明公开了惰性气体保护的高纯全氟碳电子特气吸附纯化方法，步骤为：(1)将高纯惰性气体与全氟碳电子特气粗品原料气按高纯惰性气体体积浓度为100％～0的比例，由高至低浓度混配，得到液态混配气；(2)将液态混配气进行吸附，净化气冷凝，得到液态全氟碳电子特气中间气，不凝高纯惰性气体循环；(3)当液态混配气中的高纯惰性气体体积占比为0时，将液态全氟碳电子特气中间气替代液态混配气切入吸附塔并通入冷凝器，循环吸附，得到高纯全氟碳电子特气产品气本发明深度脱除全氟碳电子特气粗品原料气中的杂质，适用于连续化生产中高纯、超高纯电子级全氟碳电子特气的制备，装置简单，操作性好、适用范围广泛、操作弹性大、安全高效。
惰性气体保护高纯全氟碳电子吸附纯化方法

[发明专利]有关有机掩模的用于选择性地蚀刻氧化硅的方法-CN201710941778.6有效
发明人：巴斯卡·纳加布海拉瓦;阿达什·巴萨瓦林加帕;王彭;波罗跋枷罗·卡帕拉达苏;迈克尔·葛斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：处理氧化硅层包括多个工艺循环，其中每个蚀刻循环包括沉积阶段和蚀刻阶段，沉积阶段包括提供包括具有一定氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的沉积阶段气体的流，提供恒定的RF功率，其将沉积阶段气体形成等离子体，并停止沉积阶段，所述蚀刻阶段包括提供包括氟碳比高于所述沉积阶段气体的氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的蚀刻阶段气体的流，提供脉冲RF功率，其将蚀刻阶段气体形成等离子体，并停止蚀刻阶段。
有关有机用于选择性蚀刻氧化方法

[发明专利]选择性蚀刻掺杂碳的低介电常数材料的方法-CN200410055777.4无效
发明人：金洋山;辛南宏;陈一佑;邱杰;叶洋;田方;赵晓烨 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：此制程利用一蚀刻气体混合物进行蚀刻，此蚀刻气体混合物包括一种多氟的氟碳气体或氢氟碳气体、一种含氮气体以及一种或多种添加气体，添加气体例如是一种多氢的氢氟碳气体、一种惰性气体及/或一种碳－氧气体。
选择性蚀刻掺杂介电常数材料方法

[发明专利]一种SF6气体绝缘缺陷下碳氟分解产物分析方法-CN201910676816.9在审
发明人：姚强;谢刚文;苗玉龙;张施令;侯雨杉;邱妮;宫林;赫树开;王彦武 -专利权人：国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种SF6气体绝缘缺陷下碳氟分解产物分析方法，所述方法包括如下步骤：选取原料气，并对所述原料气进行纯度测试；基于原料气的纯度测试结果通过称量法配制标准气体；对配置的标准气体进行浓度计算；通过气相色谱仪分析标准气体特征量值的稳定性采用本发明的SF6气体绝缘缺陷下碳氟分解产物分析方法能够实现对SF6气体绝缘缺陷下碳氟分解产物的分析。
分解产物绝缘缺陷碳氟标准气体原料气纯度测试分析气相色谱仪浓度计算称量法配置的配制

[发明专利]氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法-CN201210229544.6有效
发明人：孟令款 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明氮化硅薄膜高深宽比孔的刻蚀方法，首先将已经形成半导体所需图形的氮化硅薄膜的半导体器件放入刻蚀腔体内，然后采用干法等离子体工艺，通入高碳链分子碳氟基气体、氧化性气体、稀释性气体、含氢碳氟基气体，加上射频功率发明采用独特的碳氟基气体刻蚀氮化硅薄膜，通过调节气体组分、功率大小，既可控制深孔侧壁上的碳氟聚合物的沉积量避免孔的关键尺寸变大、又可去除已沉积在深孔底部的聚合物以保证刻蚀可以继续进行，进而能够调节孔的刻蚀形貌
氮化高深刻蚀方法

[发明专利]等离子体成膜方法及其装置-CN200580028448.3无效
发明人：小林保男;西泽贤一;龟嵨隆季;伊崎隆一郎;神力学 -专利权人：东京毅力科创株式会社;大阳日酸株式会社;大见忠弘
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10^－9体积比以下的C₅F₈气体，形成添加氟的碳膜，得到热稳定性优异的添加氟的碳膜在C₅F₈气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C₅F₈气体等离子体化并形成添加氟的碳膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C₅F₈气体通入精制器(2)，去除C₅F₈气体的水分，例如将水分含量为20×10^－9体积比左右的C₅F₈气体导入成膜处理部(3)，形成添加氟的碳膜。这样，进入形成的添加氟的碳膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。
等离子体方法及其装置

[发明专利]一种去除半导体反应腔内金属污染的方法-CN202110479085.6在审
发明人：郭盛;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除半导体反应腔内金属污染的方法，包括：所述反应腔的内侧壁上具有金属污染物，向所述反应腔内通入碳氟气体，碳氟气体在反应腔的内侧壁形成碳氟聚合物，所述金属污染物吸附碳氟聚合物；所述金属污染物吸附碳氟聚合物之后，通入氧化性气体，所述碳氟聚合物与氧化性气体、金属污染物发生化学反应形成气态化合物。本发明提供的方法能够大幅降低腔体内的金属污染物含量，提升产品良率；在不打开半导体腔室的前提下去除腔体内壁的金属污染物，清除完成后，腔室无需预防性维护即可继续工作，缩短了加工过程之间的时间间隔；与化学溶液擦拭或清洗相比，采用通入气体的方式去除污染物能够节约成本
一种去除半导体反应金属污染方法

[发明专利]碳酰氟的制造方法及制造装置-CN200480036110.8无效
发明人：三井有规 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明是碳酰氟的制造方法，该方法是向反应容器1内伴随稀释气体连续地供给一氧化碳A和氟B，使之反应制造碳酰氟的方法，其特征在于，作为稀释气体使用氟化氢或碳酰氟。本发明还是碳酰氟的制造装置，该装置是使一氧化碳A与氟B反应生成碳酰氟的碳酰氟制造装置，其特征在于，设置有一氧化碳A的供给单元、氟B的供给单元、由氟化氢或碳酰氟形成的稀释气体的供给单元以及反应容器。
酰氟制造方法装置

[发明专利]碳氟膜的制造方法-CN02141700.8无效
发明人：蔡信谊;梁明中 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-13 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳氟膜的制造方法，此制造方法是将一基底置入反应器中。接着，将高碳/氟比的反应气体导入反应器中，并且此反应气体的组成式为C_xF_y，其中y/x的比例≤2。然后，提供反应器的上极板一第一电源以离子化此反应气体，并提供基底底部一第二电源以供给基底一自我偏压，以于基底上形成碳氟膜。
碳氟膜制造方法

[发明专利]双镶嵌结构的形成方法及沟槽形成方法-CN200810208065.X有效
发明人：赵林林;张海洋;尹晓明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构的形成方法，其中包含的去除部分覆盖所述第一介质层的第二介质层和部分深度的所述第一介质层的步骤包括：以包含氟氮气体的第一刻蚀气体执行第一刻蚀操作；以包含氟碳气体的第二刻蚀气体顺序执行第二刻蚀操作，其中，所述氟碳气体的氟碳比小于4∶1。
镶嵌结构形成方法沟槽

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