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[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板-CN201910153583.4在审
发明人：胡小波 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的TFT基板的制作方法，首先在栅电极层上沉积形成石墨烯膜层，再对石墨烯膜层整面进行氟摻杂处理，增大其带隙宽度，使石墨烯膜层变成绝缘体，使其作为栅极阻挡层，以防止栅电极层中金属原子的扩散，再在栅极阻挡层上方沉积氧化硅层作为栅极绝缘层；通过在栅电极层上制作掺氟的石墨烯膜层作为栅极阻挡层，能够直接单独使用氧化硅层作为栅极绝缘层，避免了在栅极绝缘层中使用含氢量高的氮化硅层，减少氢对氧化物半导体层的干扰，同时又避免了氧化物半导体层和掺氟的石墨烯膜层直接接触，杜绝了氟离子对氧化物半导体层的干扰，从而提升了金属氧化物TFT的器件特性。
石墨烯膜层氧化物半导体层栅极绝缘层栅电极层阻挡层制作掺氟绝缘体金属氧化物TFT 沉积氧化硅层单独使用氮化硅层金属原子器件特性氧化硅层氟离子含氢量带隙沉积扩散

[发明专利]正极活性物质和电池-CN201810010441.8有效
发明人：石川贵之;夏井龙一;名仓健祐 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本公开提供一种正极活性物质，其包含锂复合氟氧化物、和与所述锂复合氟氧化物结合并具有绝缘性的有机硅化合物。本公开还提供一种电池，其具备包含上述正极活性物质的正极、负极和电解质。
正极活性物质电池

[发明专利]一种利用熔盐电解脱氧分离钛铝合金制取金属钛的方法-CN202210489764.6有效
发明人：李涛;辛朝阳;李俊国;庞敏;郭子茹;谭敏;李荣;刘恺;魏德刚;徐培栋;孟倩;孟鸿儒;赵毅 -专利权人：华北理工大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C25C3/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用熔盐电解脱氧分离钛铝合金制取金属钛的方法，将氟钛酸钠或氟钛酸钾和铝粉进行混合，在氩气保护的环境下进行铝热还原反应；反应充分后将温度上调进行蒸发，去除其中的氟钛酸盐和氟铝酸盐及其他杂质后得到多孔状的金属钛、钛铝合金、铝的氧化物和钛的氧化物构成的混合物；将混合物或混合物研磨成的粉末作为阳极材料进行电解，阳极得到海绵钛或钛粉以及钛的氧化物，电解过程采用Na3AlF<本方法制备的海绵钛或钛粉由于其中氧化物的含量远低于传统Kroll法制取的海绵钛，因此钛产品中氧含量极低。
一种利用电解脱氧分离铝合金制取金属方法

[发明专利]一种TFT背板及其制作方法-CN202110061730.2在审
发明人：罗传宝 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFT背板及其制作方法，该TFT背板包括：衬底基板和依次层叠设置在该衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层和钝化层，其中，该有源层包括半导体金属氧化物膜层和设置于该半导体金属氧化物膜层上的氟系膜层，该氟系膜层由该半导体金属氧化物膜层经氟系掺杂后形成。本发明提供的该TFT背板上的有源层包括氟系膜层，该氟系膜层能够阻挡氢从钝化层中扩散，避免了因氢渗入有源层导致TFT器件发生严重的负性漂移而无法关断的问题，使该TFT背板能够稳定正常的工作。
一种 tft 背板及其制作方法

[发明专利]一种过渡金属掺杂镁铝层状双金属氢氧化物材料的制备方法及应用-CN202211295456.6在审
发明人：阚侃;王珏;付东;郑明明;张晓臣 -专利权人：黑龙江省科学院高技术研究院
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B01J20/08 文献下载
摘要：一种过渡金属掺杂镁铝层状双金属氢氧化物材料的制备方法及应用，本发明涉及一种过渡金属掺杂镁铝层状双金属氢氧化物材料的制备方法及应用。本发明的目的是为了解决LDHs吸附去除废水中氟离子时由于层板电荷密度低，层间阴离子的数量少导致氟离子交换效率低的问题，本发明除氟吸附剂由氯化铁/钴/镍、氯化镁、氯化铝和尿素制备。本发明制备的过渡金属掺杂镁铝层状双金属氢氧化物除氟剂，用于废水中氟离子的吸附去除，吸附量高，易于回收。本发明应用于水污染治理技术领域。
一种过渡金属掺杂层状双金属氢氧化物材料制备方法应用

[发明专利]室温共价粘结的方法-CN200810134052.2有效
发明人：童勤义 -专利权人：齐普特洛尼克斯公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。
室温共价粘结方法

[发明专利]室温共价粘结的方法-CN200480018125.1有效
发明人：童勤义 -专利权人：齐普特洛尼克斯公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。
室温共价粘结方法

[发明专利]交联的含氟共聚物模制品-CN200580033799.3无效
发明人：金贺淳;小原崇嗣;榎田贵司 -专利权人：优迈特株式会社
申请日： 2005-09-09 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： C08J3/24 文献下载
摘要：一种可用于等离子体辐照步骤的交联的含氟共聚物模制品，其是作为含氟共聚物共混物的过氧化物交联产品模制的，所述含氟共聚物共混物包含含氟弹性体共聚物和含氟树脂共聚物，该含氟树脂共聚物是偏二氟乙烯－四氟乙烯共聚物，两种共聚物分别具有能够与普通过氧化物基交联剂反应的反应位点，具有期望的正常状态物理性质和压缩永久变形值(即使应用于等离子体辐照步骤)，同时减少含氟共聚物本身的颗粒生成数量。
交联共聚物制品

[发明专利]二次电池用正极活性材料、其制备方法以及包含其的锂二次电池-CN201980059000.X在审
发明人：金元泰;柳淙烈;河昇哲;申先植 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备二次电池用正极活性材料的方法，所述方法包括如下步骤：准备包含镍(Ni)、钴(Co)和锰(Mn)的锂复合过渡金属氧化物，其中基于所述过渡金属的总含量，所述镍(Ni)的含量为60mol％以上；以及对所述锂复合过渡金属氧化物、作为氟(F)涂覆源的MgF2和硼(B)涂覆源进行干混和热处理，以在所述锂复合过渡金属氧化物的粒子表面上形成涂覆部。另外，如上所述地制备的正极活性材料包含：锂复合过渡金属氧化物，所述锂复合过渡金属氧化物包含镍(Ni)、钴(Co)和锰(Mn)；和涂覆部，所述涂覆部形成在所述锂复合过渡金属氧化物的粒子表面上，其中基于所述过渡金属的总含量，所述锂复合过渡金属氧化物具有60mol％以上的所述镍(Ni)的含量，并且所述涂覆部包含氟(F)和硼(B)。
二次电池正极活性材料制备方法以及包含

[发明专利]作为灭火组合物的氟化环氧化物以及使用其灭火的方法-CN201280004366.5无效
发明人：章忠星;R·M·明戴;J·G·欧文斯;P·E·里弗斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： A62D1/00 文献下载
摘要：本发明描述了灭火组合物和用于灭火、控火或防火的方法，其中所述灭火剂包含单独的氟化环氧化物，或包含与选自如下的共灭火剂混合的氟化环氧化物：氢氟烃、氢氯氟烃、全氟化碳、全氟聚醚、氢氟醚、氢氟聚醚、氯氟烃、溴氟烃、溴氯氟烃、碘氟烃、氢溴氟烃、氟化酮、氢溴烃、氟化烯烃、氢氟烯烃、氟化砜、氟化乙烯基醚，以及它们的混合物。本发明也描述了通过如下方式防火或灭火的方法：将这些组合物引入含空气的密闭区中，并以足以抑制在所述密闭区中的可燃材料的燃烧的量保持所述组合物。
作为灭火组合氟化环氧化物以及使用方法

[发明专利]用于太阳能电池的透明导电基板-CN200910107738.7无效
发明人：白京华;王杏娟 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种用于太阳能电池的透明导电基板，包括透明基底及依次叠加在所述透明基底上的氧化硅层、掺氟的氧化锡层和优化透光率的金属氧化物层。通过在氧化锡层中掺杂氟并在之上沉积优化透光率的金属氧化物层，金属氧化物层利用薄膜的各种光学干涉效应，在太阳能吸收和反射之间达到一种平衡，从而优化透光率，可以使用于太阳能电池的透明导电基板具有良好的导电性能的同时优化薄膜的透光率
用于太阳能电池透明导电

[发明专利]半导体化合物、具有半导体化合物的层的半导体元件、层叠体、及靶-CN201880076573.9在审
发明人：细野秀雄;金正焕;方俊皓;云见日出也;渡边晓;大越雄斗;宫川直通;石桥奈央;增茂邦雄;中村伸宏 -专利权人： AGC株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H‑被氟离子F‑置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F‑。
半导体化合物具有元件层叠

[发明专利]活性物质和电极的制造方法、活性物质和电极-CN201010195110.X有效
发明人：铃木长;平野政义 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明的活性物质具备第1金属氧化物的颗粒(1)、以及附着于第1金属氧化物的颗粒(1)的表面的第2金属氧化物的颗粒群(2)；第2金属氧化物是选自氧化锆、二氧化硅以及氧化锡中的至少一种，第1金属氧化物颗粒(1)从其表面直至最深部含有氟原子。
活性物质电极制造方法

[发明专利]一种全氟烷基酰基过氧化物的制备方法-CN202010875267.0有效
发明人：周黎旸;余考明;孟庆文;朱洪吉;王志辉;王京辉;任慧芳;董晓燕 -专利权人：浙江巨圣氟化学有限公司;浙江巨化股份有限公司氟聚厂
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C07C407/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全氟烷基酰基过氧化物的制备方法：在全氟或多氟有机溶剂中加入钛硅分子筛离子液复合催化剂和过氧化氢溶液，于0～‑15℃温度条件下反应；再在0～‑15℃温度条件下继续加入全氟烷基酰氟进行反应；后分离、洗涤有机溶剂层，得到全氟烷基酰基过氧化物。本发明以全氟或多氟溶剂替代臭氧消耗物质CFC113，避免CFC113应用存在的不良影响，在安全与环境友好方面更优越，本发明使用钛硅分子筛离子液复合催化剂，产物收率更高；以本发明获得的全氟烷基酰基过氧化物作为引发剂制备TFE/HFP聚合物，有较好的热稳定性和机械物理性能，且单位反应器容积共聚物生产能力高，可用于加工电缆绝缘、膜、管、纤维、板及粉未喷涂等，且可用在电子，化工、航空、无线电、医学等领域。
一种烷基过氧化物制备方法

[发明专利]气相氟化工艺-CN93107464.9无效
发明人：马修·赫米斯·莱尔 -专利权人：联合信号股份有限公司
申请日： 1993-06-17 - 公布日： 1994-03-02 - 主分类号： C07C19/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种气相氟化工艺，具体地说，它是在过渡金属化合物——铬化合物催化剂的存在下，气相氟化不多于三个碳原子的含卤烃，其中至少一个不是氟的卤素由氟取代。该催化剂包括一种铬化合物和至少一种选自由Ni、Pd和Pt的氧化物、氟化物、氟氧化物和酸式盐所组成的组群中的过渡金属化合物。
氟化工艺