专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]利用工艺气体直接再循环管线的直接还原系统和方法-CN201880094237.7有效
  • 格雷戈里·达雷尔·休斯;道下晴康 - 米德雷克斯技术公司
  • 2018-07-03 - 2022-09-06 - C21B13/00
  • 用于将金属氧化物还原为金属的直接还原系统和方法,其包括并且利用:被配置成将工艺气体的一部分输送到重整器的工艺气体管线,该重整器可操作用于重整工艺气体以形成重整气体;被配置成将重整气体作为环形风管气体输送到竖炉的环形风管气体管线,其中竖炉可操作用于将金属氧化物还原为金属;以及包括直接再循环冷却器的直接再循环管线,该直接再循环管线被配置成在绕过重整器的同时选择性地将工艺气体的一部分输送到环形风管气体管线,从而选择性地将输送到竖炉的环形风管气体冷却并且降低其水分含量任选地,所述直接还原系统还包括再热管线,该再热管线被配置成将环形风管气体的一部分作为再热气体输送到竖炉。
  • 利用工艺气体直接再循环管线还原系统方法
  • [发明专利]衬底处理装置及制造半导体器件的方法-CN201810214417.6有效
  • 朴金锡;金善政;金利桓 - 三星电子株式会社
  • 2018-03-15 - 2023-06-30 - H01L21/67
  • 公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法,所述衬底处理装置包括:晶片夹盘,在晶片夹盘上放置有衬底;注入器单元,位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体,所述工艺气体包括第一气体及第二气体;以及气体供应单元,向注入器单元供应工艺气体气体供应单元包括:第一气体供应源及第二气体供应源,分别容纳第一气体及第二气体;第一气体供应管线及第二气体供应管线,分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元;以及第一加热单元及第二加热单元,分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。
  • 衬底处理装置制造半导体器件方法
  • [发明专利]液化气罐装置和操作液化气罐装置的方法-CN201780089031.0有效
  • E·德尔索;L·博阿洛 - 瓦锡兰芬兰有限公司
  • 2017-03-08 - 2021-05-07 - F17C9/02
  • 本发明涉及一种包括液化气罐(12)的液化气罐装置(10),其中所述罐(12)中的气体在所述罐(12)中形成液相部分(12.1)和气相部分(12.2),所述装置包括:主供应管线(14),其被构造成将气体供给至气体消耗器(16);辅助容器(22),其设置有加热装置(24),该加热装置被构造成将热传递到所述辅助容器(22)中;第一气体管线(26),其将所述罐(12)的所述气相部分(12.2)和所述辅助容器(22)连接,所述第一气体管线(26)包括第一阀(28);第二气体管线(30),其将所述辅助容器(22)和所述主供应管线(14)连接,第二气体管线(30)包括第二阀(32);以及第三气体管线(34),其将所述罐(12)中的所述液相部分(12.1)和所述辅助容器(22)连接,所述第三气体管线(34)包括第三阀(36)。
  • 液化气罐装操作方法
  • [发明专利]燃料减氧单元-CN202210430248.6在审
  • 凯文·爱德华·辛德利特 - 通用电气公司
  • 2022-04-22 - 2022-10-28 - F02C7/22
  • 燃料减氧单元包括:用于提供汽提气体流的汽提气体供应管线;接触器,其限定液体燃料入口、汽提气体入口和燃料/气体混合物出口,汽提气体供应管线与汽提气体入口气流连通;用于调节通过汽提气体供应管线的汽提气体流的装置;和控制器,其可与用于调节通过汽提气体供应管线的汽提气体流的装置一起操作,以响应于发动机可操作性参数,调节通过汽提气体供应管线的汽提气体流。
  • 燃料单元
  • [发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080004559.5在审
  • 田代骏介;植村崇;于盛楠;园田靖;佐藤清彦;长谷征洋 - 株式会社日立高新技术
  • 2020-04-03 - 2021-12-07 - H01L21/3065
  • 为了提供提高了成品率的等离子处理装置或者等离子处理方法,具备:配置在真空容器内部且在内侧配置处理对象的晶片的处理室;与所述真空容器连结且与所述处理室连通、并向该处理室内供给具有附着性的处理用气体的处理气体供给管线;以及将与排气泵连接并与所述处理室连通的处理室排气管线和所述气体供给管线连结而将它们连通的所述处理用气体气体排气管线,进行如下工序:在对所述晶片进行蚀刻的1个处理工序与下一个该处理工序彼此之间,在停止向所述处理室供给所述处理用气体的状态下经由所述气体排气管线以及所述处理室排气管线将所述气体供给管线内的所述处理用气体排气
  • 等离子处理装置以及方法

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