专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种均匀高效生产纳米结构弥散强化铁基合金用预合金粉末的方法-CN201310314831.1有效
  • 李美霞;车红卫;刘爱凤 - 河北工程大学
  • 2013-07-17 - 2013-11-20 - B22F9/24
  • 本发明提供一种均匀高效大规模工业化生产铁基弥散强化材料的方法,采用喷雾热解技术耦合流化床还原技术新工艺,配置含基体和弥散相金属离子的可溶性盐混合水溶液,利用喷雾热解技术工艺对盐混合物进行处理,溶液在喷雾热解过程中被雾化成为微小液滴,使液滴同气体发生接触并干燥成粉末,粉末在空气中加热成为金属氧化物复合粉末。将所得金属氧化物复合粉末在流化床反应器内进行流化还原,获得微观结构可控的纳米复合粉末,该弥散强化铁粉经致密化后得到高性能的弥散强化(ODS)铁基材料。该方法制备出的弥散强化铁基材料微观结构均匀、可控,工艺具有均匀、高效和连续化的特点,适合大规模生产,制备出的弥散强化铁基材料性能优异。
  • 一种均匀高效生产纳米结构弥散强化合金粉末方法
  • [实用新型]一种防渗漏的透气砖-CN202221745873.1有效
  • 陈奇龙;蓝亭 - 成都府天高温材料科技有限公司
  • 2022-07-08 - 2022-11-11 - F27D1/08
  • 本实用新型公开了一种防渗漏的透气砖,包括弥散型防漏芯与第一耐火材料,弥散型防漏芯整体呈圆台形,第一耐火材料整体呈圆柱形,弥散型防漏芯设于第一耐火材料的底部,弥散型防漏芯与第一耐火材料之间设有上气室,弥散型防漏芯顶部设有定位凹槽,第一耐火材料底部安装在定位凹槽内,第一耐火材料中设有贯通其上下端面的通气圆孔,通气圆孔与上气室相连通,弥散型防漏芯与第一耐火材料的侧面上设有第二耐火材料。本实用新型的目的在于提供一种透气效果好、降低渗漏风险的防渗漏的透气砖,解决了现有的狭缝型透气砖气体量不集中,而且随着使用寿命的增加,狭缝逐渐变薄或堵塞,透气量降低,根本无法满足冶炼要求的问题。
  • 一种渗漏透气
  • [发明专利]常压CVD薄膜连续生长炉-CN201310588125.6无效
  • 张海林;滕玉朋;崔慧敏;王晓明 - 青岛赛瑞达电子科技有限公司
  • 2013-11-21 - 2014-03-12 - C23C16/44
  • 发明提供一种常压CVD薄膜连续生长炉,包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架;其中工作腔体固定在机架上,前后端设有开口;工作腔体中前部外表面安装多段加热器,中后部外表面安装冷却器;输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体;气体弥散腔安装在腔体内前部加热段,为一个封闭壳体,其顶部设有进气管,底面上均匀分布若干小通孔;所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒,工作腔体两端还设有排气管,所述风帘盒与工作腔体连接,为表面分布有若干小通孔的密闭壳体;气柜上设有流量计,通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接;其优点在于结构简单、效能高、产量大且次品率。
  • 常压cvd薄膜连续生长
  • [实用新型]常压CVD薄膜连续生长炉-CN201320738011.0有效
  • 张海林;滕玉朋;崔慧敏;王晓明 - 青岛赛瑞达电子科技有限公司
  • 2013-11-21 - 2014-04-30 - C23C16/44
  • 本实用新型提供一种常压CVD薄膜连续生长炉,包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架;其中工作腔体固定在机架上,前后端设有开口;工作腔体中前部外表面安装多段加热器,中后部外表面安装冷却器;输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体;气体弥散腔安装在腔体内前部加热段,为一个封闭壳体,其顶部设有进气管,底面上均匀分布若干小通孔;所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒,工作腔体两端还设有排气管,所述风帘盒与工作腔体连接,为表面分布有若干小通孔的密闭壳体;气柜上设有流量计,通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接;其优点在于结构简单、效能高、产量大且次品率。
  • 常压cvd薄膜连续生长

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