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[实用新型]变能器-CN200520020454.1无效
发明人：李天刚 -专利权人：李天刚
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：技术方案：具有三相单元电路，三相单元电路星接，公共端不接地；每一相单元电路的结构为，二极管(D1)、可控硅(T1)串联接铁芯线圈的一端，二极管(D2)、可控硅(T2)串联接铁芯线圈的另一端，二极管(D1)的正向端与二极管(D2)的负相端连接后接电源；二极管(D3)、可控硅(T3)串联接铁芯线圈的一端，二极管(D4)、可控硅(T4)串联接铁芯线圈的另一端，二极管(D3)的正向端与二极管(D4)的负相端连接构成单元电路的尾端；二极管(D1)与二极管(D3)的负相端之间、二极管(D2)与二极管(D4)的正相端之间均接有电容；可控硅的控制端均接触发器。
变能器

[发明专利]具有硅锗低接触电阻的PIN二极管及其形成方法-CN201080041550.8无效
发明人：阿伯吉特·班德亚帕德耶;侯坤;斯蒂文·麦克斯韦 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明描述了半导体PIN二极管及其形成方法。在一方面，在被掺杂成具有一种传导率(p+或n+)的区和到PIN二极管的电触头之间形成SiGe区。该SiGe区可用于减小接触电阻，其可增加正向偏置电流。掺杂区在SiGe区下方延伸，使其处于SiGe区和二极管的本征区之间。PIN二极管可由硅形成。在SiGe区下方的掺杂区可用于防止由于增加的SiGe区而引起反向偏置电流增加。在一个实施例中，形成SiGe区，使得在存储器阵列中的向上指向的PIN二极管的正向偏置电流与向下指向的PIN二极管的正向偏置电流充分匹配，这可当这些二极管与三维存储器阵列中的R/W材料一起使用时实现更好的切换结果
具有硅锗低接触电阻 pin 二极管及其形成方法

[发明专利]分立PFC电路中功率器件的控制装置、方法和电器设备-CN202110388097.8在审
发明人：杨帆;王慧磊;黄银彬 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种分立PFC电路中功率器件的控制装置、方法和电器设备，该装置包括：温度采样用二极管单元，被配置为根据所述分立PFC电路中功率器件的温度变化情况，输出所述温度采样用二极管单元自身的正向压降的当前值，记为所述温度采样用二极管单元的当前正向压降值；控制单元，被配置为根据所述温度采样用二极管单元的当前正向压降值，确定所述功率器件的温度的当前值，记为所述功率器件的当前温度采样值。该方案，通过利用温度检测用二极管，实现对分立PFC电路中每个功率器件进行温度检测，提升了分立PFC电路中每个功率器件的温度检测的检测便捷性。
分立 pfc 电路功率器件控制装置方法电器设备

[发明专利]72V电动车全自动发电-CN201710194671.X在审
发明人：刘泽法 -专利权人：刘泽法
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H02J7/14 文献下载
摘要：一种72V电动车全自动发电在电瓶供电电路中，增加了正向二极管，当发电机发电时，二极管G5输出电压高于二极管G4的输出电压，由于二极管的正向导电性，在二极管G3两端产生两个电压，用以给电瓶充电所需小电流和电动车所需的大电流
72 电动车全自动发电

[发明专利]108V电动车全自动发电-CN201710194675.8在审
发明人：刘泽法 -专利权人：刘泽法
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H02J7/14 文献下载
摘要：一种108V电动车全自动发电在电瓶供电电路中，增加了正向二极管，当发电机发电时，二极管G5输出电压高于二极管G4的输出电压，由于二极管的正向导电性，在二极管G3两端产生两个电压，用以给电瓶充电所需小电流和电动车所需的大电流
108 电动车全自动发电

[发明专利]60V电动车全自动发电-CN201710194674.3在审
发明人：刘泽法 -专利权人：刘泽法
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：一种60V电动车全自动发电在电瓶供电电路中，增加了正向二极管，当发电机发电时，二极管G5输出电压高于二极管G4的输出电压，由于二极管的正向导电性，在二极管G3两端产生两个电压，用以给电瓶充电所需小电流和电动车所需的大电流
60 电动车全自动发电

[发明专利]96V电动车全自动发电-CN201710194673.9在审
发明人：刘泽法 -专利权人：刘泽法
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H02J9/08 文献下载
摘要：一种96V电动车全自动发电在电瓶供电电路中，增加了正向二极管，当发电机发电时，二极管G5输出电压高于二极管G4的输出电压，由于二极管的正向导电性，在二极管G3两端产生两个电压，用以给电瓶充电所需小电流和电动车所需的大电流
96 电动车全自动发电

[发明专利]12V电动车全自动发电-CN201710194747.9在审
发明人：刘泽法 -专利权人：刘泽法
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H02J9/08 文献下载
摘要：一种12V电动车全自动发电在电瓶供电电路中，增加了正向二极管，当发电机发电时，二极管G5输出电压高于二极管G4的输出电压，由于二极管的正向导电性，在二极管G3两端产生两个电压，用以给电瓶充电所需小电流和电动车所需的大电流
12 电动车全自动发电

[发明专利]84V电动车全自动发电-CN201710194672.4在审
发明人：刘泽法 -专利权人：刘泽法
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H02J9/08 文献下载
摘要：一种84V电动车全自动发电在电瓶供电电路中，增加了正向二极管，当发电机发电时，二极管G5输出电压高于二极管G4的输出电压，由于二极管的正向导电性，在二极管G3两端产生两个电压，用以给电瓶充电所需小电流和电动车所需的大电流
84 电动车全自动发电

[发明专利]24V电动车全自动发电装置-CN201710190970.6在审
发明人：刘泽法 -专利权人：刘泽法
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H02J9/08 文献下载
摘要：一种24V电动车全自动发电装置在电瓶供电电路中，增加了正向二极管，当发电机发电时，二极管G5输出电压高于二极管G4的输出电压，由于二极管的正向导电性，在二极管G3两端产生两个电压，用以给电瓶充电所需小电流和电动车所需的大电流
24 电动车全自动发电装置

[发明专利]36V电动车全自动发电-CN201710194746.4有效
发明人：刘泽法 -专利权人：刘泽法
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：一种36V电动车全自动发电：在电瓶供电电路中，增加了正向二极管，当发电机发电时，二极管G5输出电压高于二极管G4的输出电压，由于二极管的正向导电性，在二极管G3两端产生两个电压，用以给电瓶充电所需小电流和电动车所需的大电流
36 电动车全自动发电

[实用新型]一种电池同口充放切换电路-CN202222861356.7有效
发明人：蔡宝凡;李昌彪;陈贵华;倪添翼;李启庆;王志敏;韦海锋 -专利权人：安徽泰科动力系统有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电池同口充放切换电路，包括逻辑检测模块、DC‑DC模块、MOS驱动模块、放电二极管模块、充电二极管模块、充放电接口、N沟道MOS管。放电二极管模块、充电二极管模块都是理想二极管模块，通过理想二极管模块替代传统分立式硅二极管或肖特基二极管，可显著降低传统分立式硅二极管或肖特基二极管在正向电压降期间损失的能量损耗，可以优化充电设备的轻量化设计
一种电池口充放切换电路

[发明专利]一种量子点发光二极管的驱动方法、驱动装置及显示装置-CN201910703099.4在审
发明人：闫晓林;杨一行;王天锋;芦子哲 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点发光二极管的驱动方法、驱动装置、显示装置及计算机可读存储介质，所述量子点发光二极管的空穴传输层与量子点发光层的价带能级差小于0.5eV时，在正向驱动信号结束时，向所述量子点发光二极管发送一空置驱动信号，所述量子点发光二极管的量子点类型为蓝色量子点时，在正向驱动信号结束时，向所述量子点发光二极管发送一反向驱动信号，从而改变量子点发光二极管内缺陷势阱的势垒，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，达到延长量子点发光二极管寿命的目的
一种量子发光二极管驱动方法装置显示装置

[发明专利]发光二极管封装结构-CN201310589713.1有效
发明人：邢陈震仑;洪荣豪;林鼎尧 -专利权人：葳天科技股份有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管封装结构，发光二极管封装结构包含至少一发光二极管单元、一封装体、以及至少一隔离膜。封装体包含多个表面及一出光面，多个表面其中一表面承载发光二极管单元。发光二极管单元发射至少一正向光及一侧向光。通过至少一隔离膜可阻挡或反射侧向光，可增加正向光的发光强度。本发明的发光二极管封装结构制程简易，以一市售的发光二极管芯片即可直接加工而成，不需再使用额外治具，具有高经济效益。
发光二极管封装结构

[发明专利]一种单向导通电路-CN201210483872.9有效
发明人：金津 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种单向导通电路，以克服芯片内集成二极管时，流过二级管的正向电流引起闩锁效应导致芯片失效甚至损毁的问题。本发明提供的单向导通电路利用一阻抗电路与一主MOS管连接，所述阻抗电路上的压降控制主MOS管强制导通，正向电流完全从主MOS管的沟道流过而不经过其体二极管，解决了在需要二极管正向导通电流的应用场合片内集成二极管时
一种向导通电