专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果893169个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种金属执勤桌-CN202122653455.1有效
  • 裘雄飞;徐雪明 - 杭州永琪通信技术有限公司
  • 2021-11-01 - 2022-04-05 - A47B1/04
  • 本实用新型涉及家具的技术领域,具体为一种金属执勤桌,包括桌板,桌板下方设有两个横向支撑腿,桌板和横向支撑腿设有两组竖向支撑腿,竖向支撑腿包括第一支腿和第二支腿,第一支腿的一端与桌板铰接,第一支腿另一端设有第一滑接部,第一支腿的另一端通过第一滑接部滑动连接在横向支撑腿上,第二支腿的一端与横向支撑腿铰接,第二支腿另一端设有第二滑接部,第二支腿的另一端滑动通过第二滑接部滑动连接在桌板上,第一支腿和第二支腿转动连接,桌板上设有扩展板,扩展板的侧边与桌板铰接。通过设置第一支腿、第二支腿,这样可以调节桌板的高度,适用于不同身高人群,通过设置扩展板,且扩展板的侧边与桌板铰接,可以打开,增大桌板面积。
  • 一种金属执勤
  • [发明专利]空间可扩展的移动集装箱家居房屋-CN202210937313.4在审
  • 吴宜鹏;陈彪;吴章仓 - 安徽德帝智能家居有限公司
  • 2022-08-05 - 2022-11-08 - E04H1/02
  • 本发明属于智能家居技术领域,尤其为空间可扩展的移动集装箱家居房屋,包括集装箱家居房屋底层架构、第一扩展单元、第一扩展单元和横向驱动装置,所述第一扩展单元与第二扩展单元上均设有缩隙结构,所述第二扩展单元滑动配合于第一扩展单元上,所述缩隙结构用于采用分化间隙的方式缩小家居房屋外扩展台面上的前后间隙。本发明采用自动化设计,便于进行集装箱家居房屋的空间扩展与收纳,且无需占用房屋内空间,无需人工装配,具有空间拓展效率高、适应性强的特点,通过在第一扩展单元和第二扩展单元上增设缩隙结构,采用分化间隙的方式缩小扩展结构的间隙,形成高紧密性的家居房屋外扩展台面,避免由于间隙过大导致行动不便。
  • 空间扩展移动集装箱家居房屋
  • [发明专利]一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件-CN202211138213.1在审
  • 韩超;苑广安;汤晓燕;王东;吴勇;陈兴;黄永 - 西安电子科技大学芜湖研究院
  • 2022-09-19 - 2023-01-20 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种钳位电压可选的横向穿通型SiC‑TVS器件,包括碳化硅衬底层、外延层基区、正电极和若干负电极,外延层基区内包括有两个端部发射区扩展区、若干个中间发射区扩展区、两个端部发射区以及若干个中间发射区,外延层基区、端部发射区扩展区和中间发射区扩展区为轻掺杂,端部发射区和中间发射区为重掺杂;碳化硅衬底层、端部发射区扩展区、中间发射区扩展区、端部发射区和中间发射区为第一导电类型,外延层基区为第二导电类型本发明在平面NPN或PNP穿通结构的基区表面横向插入若干个N+或P+发射区,通过优化发射区结构参数和基区浓度,在单管TVS芯片上实现更宽范围的钳位电压选择。
  • 一种电压可选横向穿通型sictvs器件
  • [实用新型]扩展式吊杆-CN202021604218.5有效
  • 李林威;杨琼;陈世敏;王志成;张守约;顾嘉平;罗国强 - 舟山惠生海洋工程有限公司
  • 2020-08-05 - 2021-04-16 - B66C1/66
  • 本实用新型公开了扩展式吊杆,包括横向主吊梁,所述横向主吊梁两端对称设置有第一主吊耳,所述第一主吊耳为等对角六边形结构,所述第一主吊耳穿过横向主吊梁与横向主吊梁中轴面重合,所述第一主吊耳上、下侧均设置有两个吊孔,所述第一主吊耳上侧吊孔中的外吊侧孔在横向主吊梁的轴向投影位于第一主吊耳下侧两个吊孔中间。扩展式吊杆采用一体式吊耳多吊孔设计,可以根据被吊装的条状型部件的长度重量等不同因素选择不同的吊耳及吊孔进行匹配,进而达到最佳的吊装效果。
  • 扩展吊杆
  • [发明专利]一种碳化硅元胞级功率集成芯片结构-CN202011598325.6有效
  • 王珏;刘立;盛况;于浩 - 浙大城市学院
  • 2020-12-29 - 2022-06-28 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种碳化硅元胞级功率集成芯片结构,包括:P型衬底、P外延层、横向漂移区、MOSFET器件、二极管器件和隔离区;P型衬底上设有P外延层,P外延层上设有两个横向漂移区,两个横向漂移区之间设有隔离区;其中一个横向漂移区上设有横向MOSFET器件,另一个横向漂移区上设有横向二极管器件。本发明的有益效果是:在碳化硅元胞级功率集成芯片的基础上引入一种介于N‑Drift横向漂移区与P‑Layer纵向耐压区的N型结构,减小纵向耗尽层在N型层的扩展,阻止耗尽层边界扩展到二极管阳极,避免发生器件纵向穿通
  • 一种碳化硅元胞级功率集成芯片结构

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top