专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1837888个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]基于多种介质的太赫兹波滤波器-CN201610484735.5在审
  • 李九生;莫国强;孙建忠 - 中国计量大学
  • 2016-06-23 - 2016-08-17 - H01P1/20
  • 本发明公开了一种基于多种介质的太赫兹波滤波器,它包括介质平板、第一介质阵列、第二介质阵列、第三介质阵列、第四介质阵列、第五介质阵列、第六介质阵列、第七介质阵列、第八介质阵列、第九介质阵列、第十介质阵列、第十一介质阵列、第十二介质阵列、第一矩形介质、第二矩形介质、第三矩形介质、信号输入端、信号输出端,太赫兹波从信号输入端输入,特定频率太赫兹波能从信号输出端输出,实现滤波功能。
  • 基于多种介质赫兹滤波器
  • [发明专利]高密度阵列-CN201980048362.9有效
  • 萨拉·E·黑默尔;居伊·M·卡尔曼 - 3M创新有限公司
  • 2019-07-15 - 2022-11-01 - C09J7/38
  • 本发明提供了一种膜基制品,该膜基制品包括:膜层,该膜层具有第一主侧面和第二主侧面;粘合剂层,该粘合剂层包括与膜的第二主侧面相邻的第一表面和与第一表面相反的第二表面,其中粘合剂层的第二表面包括结构化表面,该结构化表面包括多个向外延伸的突出部,各个突出部具有基部,其中多个突出部的基部占粘合剂层的第二表面的总表面积的至少大约6%;以及油墨层,该油墨层以至少100%的油墨沉积施加到膜层的第一主侧面。
  • 高密度阵列
  • [实用新型]阵列音箱声学结构-CN201420539205.2有效
  • 李兵 - 四川湖山电器有限责任公司
  • 2014-09-18 - 2015-01-28 - H04R1/20
  • 本实用新型公开了一种阵列音箱声学结构,包括箱体,箱体内设置有独立箱体前障板和全频扬声器单元;独立箱体前障板包括第一前障板、第二前障板和第三前障板;第一前障板、第二前障板和第三前障板自上而下依次排列;全频扬声器单元包括本实用新型的阵列音箱声学结构由上部两前障板构成宽点辐射声源,它可以有效的降低梳状滤波的影响,同时有宽广的声场效果。
  • 阵列音箱声学结构
  • [实用新型]线阵列全频音-CN201621164173.8有效
  • 郭觅;霍铭强;陈中元 - 佛山市创思特音响有限公司
  • 2016-11-01 - 2017-05-10 - H04R1/34
  • 本实用新型公开了一种线阵列全频音,包括壳体和安装在壳体正面的若干个扬声器,所述壳体包括底壁、顶壁和壁,所述壁呈长条形,包括外壁、前壁和导向壁,所述外壁由左壁、右壁和背壁组成,所述左壁和右壁均与背壁固定连接本实用新型摒弃了传统的导向孔结构,改为出口端是直线型阵列的导向通道结构,使得音内的全频声波(主要是低频声波)能够均匀且全面地从音正面传播开去。同时,由于导向通道是直线型阵列,使得其无需如传统导向孔那样对音的前壁进行多次开孔加工,大大节省了加工费用,提高了产品合格率。
  • 阵列全频音柱
  • [发明专利]一种聚二甲基硅氧烷阵列的恢复方法-CN202310034410.7在审
  • 田新春;马壮;高丽红;柳彦博;刘玲;王东 - 北京理工大学
  • 2023-01-10 - 2023-04-07 - C08J7/02
  • 本发明提供了一种聚二甲基硅氧烷阵列的恢复方法,涉及有机高分子材料技术领域。本发明将倒塌的聚二甲基硅氧烷阵列(PDMS阵列)浸没于有机溶剂中进行溶胀处理,得到溶胀聚二甲基硅氧烷阵列;所述有机溶剂对聚二甲基硅氧烷的溶胀率≥1.20;将所述溶胀聚二甲基硅氧烷阵列从有机溶剂中取出后干燥,得到恢复的聚二甲基硅氧烷阵列。本发明利用溶剂的溶胀效应来恢复PDMS阵列,对PDMS阵列的恢复效率高,恢复率能达到99%以上,解决了领域内PDMS阵列倒塌后无法有效恢复的难题;且工艺简单、能耗和成本低。本发明提供的是一种简单有效、低成本的PDMS阵列恢复方法,极大地提高了PDMS阵列的重复使用率。
  • 一种聚二甲基硅氧烷阵列恢复方法
  • [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202180006424.7在审
  • 刘思敏;徐伟;许波;郭亚丽 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-11-16 - 2022-07-08 - H01L27/11565
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件,包括:衬底;设置于衬底上方且由绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层,堆叠层沿平行于衬底的第一横向区分有过渡沟道区、以及位于过渡沟道区旁边的虚拟沟道区;形成于堆叠层中且分别位于过渡沟道区与虚拟沟道区的过渡沟道阵列以及虚拟沟道阵列,过渡沟道阵列以及虚拟沟道阵列分别包括在第一横向与在垂直于第一横向的第二横向上呈阵列排列的多个过渡沟道以及多个虚拟沟道;形成于堆叠层中并沿第二横向延伸,且设置于过渡沟道阵列与虚拟沟道阵列之间的栅极隔槽
  • 半导体器件及其制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top