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[发明专利]一种3D打印多孔镂空吸声材料-CN202211519190.9在审
发明人：张升锋 -专利权人：阿贝龙智能装饰设计（北京）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G10K11/162 文献下载
摘要：本发明涉及建筑声学行业领域，公开了一种3D打印多孔镂空吸声材料，包括挤压类型材料、线类型材料、粒状类型材料、粉末层喷头3D打印类型材料、层压类型材料和光聚合类型材料，挤压类型材料主要包括热塑性塑料、共晶系统金属和可食用材料；线类型材料包括不锈钢和铝合金，粉末层喷头3D打印类型材料包括石膏；层压类型材料包括纸、金属膜和塑料薄膜，光聚合类型材料包括光硬化树脂。本发明可根据客户需求及声学设计方案，而选择不同的材质和加工模型图，加工制作出不同性能及声学参数的吸声材料，从而满足各种声学效果，解决各种声学难题。
一种打印多孔镂空吸声材料

[发明专利]制造三维集成半导体存储器的方法-CN202211137868.7在审
发明人：马丁·海格尔;辛·轩·安·布维-德兰;卡尔-赖因哈德·默克尔 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：为此，首先，提供具有不同材料类型的几个单独层的层堆叠。首先，从层堆叠中选择性地蚀除第一材料类型的单独层。根据本发明，为此使用干法蚀刻工艺。随后，通过用第三材料填充空隙或将第二材料类型的单独层转化成第三材料类型的单独层，或者通过用第三材料类型的材料涂覆第二材料类型的单独层，产生第三材料类型的单独层。然后第三材料类型的单独层之间的空隙可以再次用第四材料填充，使得第四材料类型的单独层形成在这些空隙中。通过适当的竖直蚀刻工艺，第四材料类型的单独层可以彼此电绝缘，以形成所产生的三维集成半导体存储器的字线。
制造三维集成半导体存储器方法

[发明专利]制造具有不同类型的晶体管的器件的方法-CN200410036660.1有效
发明人：陈佳;安德里亚斯·E·格拉斯曼 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种关于制造具有不同类型的晶体管的器件的方法和结构，其中该器件中不同类型的晶体管的栅极包括不同的材料。该方法包括在栅极电介质层上沉积硅层，在硅层上沉积第一类型的栅极材料，从将要形成第二类型的栅极的区域去除第一类型的栅极材料，在已经去除第一类型的栅极材料的区域中在硅层上沉积第二类型的栅极材料，以及同时图案化第一类型的栅极材料和第二类型的栅极材料，形成第一类型和第二类型的栅极，并且对两种类型的栅极材料退火及转变。
制造具有不同类型晶体管器件方法

[发明专利]电介质裂纹抑制制作及系统-CN202211548217.7在审
发明人： E·C·斯图尔特;J·A·韦斯特;T·D·博尼菲尔德 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种集成电路(100)具有：第一导电区域(122)；第二导电区域(136)；第一材料类型的多个电介质层(126、130)，其位于所述第一导电区域与所述第二导电区域之间；及第二材料类型的至少一个电介质层(128)，其位于第一材料类型的所述多个电介质层中的第一电介质层与所述第一材料类型的所述多个电介质层中的第二电介质层之间。第一材料类型的每一电介质层具有从0.5μm到5.0μm的范围中的厚度，并且第二材料类型的所述至少一个电介质层不接触金属且具有小于2.0μm的厚度，并且所述第一材料类型中的压缩应力或元素中的至少一者与所述第二材料类型中的元素相比，所述第二材料类型不同于所述第一材料类型。
电介质裂纹抑制制作系统

[发明专利]闭孔精密构件制造方法-CN201910007214.4在审
发明人：管铜林;王慧;马小民;代建勇 -专利权人：国装新材料技术（江苏）有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B28B1/24 文献下载
摘要：本公开提供一种闭孔构件制造方法，包括：将第一类型材料固定到闭孔构件模具的第一位置；将第二类型材料注入到闭孔构件模具中，使得第二类型材料包裹第一位置的第一类型材料，形成闭孔模坯件；以及将闭孔模坯件的第一类型材料从第二类型材料中导出；其中，第一类型材料的熔点低于第二类型材料的熔点。
闭孔熔点第一位置构件模具模坯件材料包裹构件制造精密构件导出制造

[发明专利]政务业务材料预检查方法、装置、设备及存储介质-CN201811291105.1在审
发明人：袁智华;黄旭进;林洁晖 -专利权人：广州慧睿思通信息科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种政务业务材料预检查方法，所述方法包括：获取用户输入的业务类型；根据用户输入的所述业务类型，查找对应的材料清单；其中，所述材料清单包含办理所述业务类型所需的材料类型；对用户提供的业务材料进行拍摄，获取拍摄画面中的材料识别信息；根据获取到的拍摄画面中的所述材料识别信息，识别用户提供的所述业务材料的材料类型；判断用户提供的所述业务材料是否包含所述材料清单中的所有材料类型；在用户提供的所述业务材料包含所述材料清单中的所有材料类型时，判定用户提供的所述业务材料齐全，并输出材料齐全判定结果。本发明能够对办理人提交材料进行预检查，避免出现因材料不足而需要重新办理的情况出现，为办理人节省时间。
用户提供材料类型业务类型材料识别拍摄画面存储介质判定结果输出材料检查判定查找拍摄

[发明专利]箱子底端材料类型辨识方法-CN201810991948.6在审
发明人：孙燕 -专利权人：孙燕
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种箱子底端材料类型辨识方法，包括运行箱子底端材料类型辨识机构来辨识材料类型，箱子底端材料类型辨识机构包括：光量检测设备，设置在箱子的底端，用于对箱子的底端位置的光量进行检测，以获得对应的底端光量数值LED照明设备，与光量检测设备连接，用于在底端光量数值小于等于预设光量阈值时，自动发光以实现对箱子的底端位置的照明操作；高清拍摄设备，设置在箱子的底端，位于LED照明设备的一侧，用于对箱子的底端的下方的材料进行高清拍摄操作，以获得并输出对应的高清材料图像；大数据服务器，用于对图像进行基于材料图像特征的辨识处理，以获得图像对应的材料类型，以作为箱子的底端的下方的材料类型。
箱子底端材料类型辨识光量高清光量检测设备辨识机构材料图像底端位置图像拍摄操作拍摄设备预设光量自动发光输出大数据阈值时服务器检测

[发明专利]箱子底端材料类型辨识机构-CN201810991967.9有效
发明人：孙燕 -专利权人：陈青
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种箱子底端材料类型辨识机构，包括：光量检测设备，设置在箱子的底端，用于对箱子的底端位置的光量进行检测，以获得对应的底端光量数值，并输出所述底端光量数值；LED照明设备，与所述光量检测设备连接，用于在所述底端光量数值小于等于预设光量阈值时，自动发光以实现对箱子的底端位置的照明操作；高清拍摄设备，设置在箱子的底端，位于所述LED照明设备的一侧，用于对箱子的底端的下方的材料进行高清拍摄操作，以获得并输出对应的高清材料图像；大数据服务器，用于对图像进行基于材料图像特征的辨识处理，以获得图像对应的材料类型，以作为箱子的底端的下方的材料类型。
箱子底端材料类型光量高清光量检测设备辨识机构材料图像底端位置图像拍摄操作拍摄设备有效供应预设光量自动发光输出大数据阈值时辨识推送服务器检测

[发明专利]材料施工计划量生成方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202210857391.3在审
发明人：屈明川;徐彩峰;仲崇滔 -专利权人：广联达科技股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种材料施工计划量生成方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：获取BIM模型，其中，BIM模型包括构件以及构件的构件类型、构件属性和构件工程量，构件属性包括多个属性参数；根据预设的材料类型匹配规则，确定构件类型对应构件工程量所匹配的材料类型；根据构件类型与材料类型的匹配关系，确定构件属性中的哪些属性参数为关联属性参数；利用材料类型和关联属性参数生成材料描述字串；在预存的行业材料字典中确定与材料描述字串对应的目标材料；以及根据构件工程量确定目标材料的施工计划量。通过本发明，能够实现构件材料数据统一和自动匹配，减少耗时避免出错。
材料施工计划生成方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]基于袋体类型识别的材料灌装系统-CN202011265362.5有效
发明人：张亮 -专利权人：江苏优蓝恒环保科技股份有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B65B3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于袋体类型识别的材料灌装系统，所述系统包括：多个灌装材料喷头，设置在工业材料灌装厂房内，用于分别与不同类型的灌装材料储存容器连通；每一个灌装材料喷头包括材料抽取泵、喷出端口和位置传感器，位置传感器与材料抽取泵连接；自动推送机构，用于基于接收到的灌装袋体类型将与灌装袋体类型对应的灌装材料喷头推送到灌装区域内的当前灌装袋体的正上方。本发明的基于袋体类型识别的材料灌装系统结构紧凑、应用广泛。由于能够在针对性颜色鉴别机制的基础上，有效识别到灌装区域内的当前灌装袋体的类型，并基于识别到的袋体类型选择灌装相应类型的工业材料，从而增强了工业生产的自动化水平。
基于类型识别材料灌装系统

[发明专利]三维打印方法、装置、设备及存储介质-CN202310185282.6在审
发明人：陈保全;王丽坤;吴永润 -专利权人：珠海赛纳三维科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B29C64/386 文献下载
摘要：本申请提供一种三维打印方法、装置、设备及存储介质，涉及三维打印技术领域，通过获取包括多个具有不同彩色透明度类型区域的目标3D物体的模型数据，并针对多个区域中每个区域，分别基于区域的彩色透明度类型，对区域的模型数据进行数据处理以满足区域的彩色透明度类型对应的数值类型，得到打印数据，其中，数值类型至少包括第一数值类型和第二数值类型，第一数值类型对应的填充材料至少包括白色材料，第二数值类型对应的填充材料为透明材料。本申请使用白色材料和透明材料打印3D物体，以满足具有不同彩色透明度的需求，提升三维打印效果。
三维打印方法装置设备存储介质

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310445749.6在审
发明人：黄秀洪;余良;苏芳;杨文敏;相奇;杨俊 -专利权人：广东芯粤能半导体有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底的表面形成第一导电类型的第一外延层；于第一导电类型的第一外延层远离衬底的表面形成第二导电类型的外延材料层，第二导电类型与第一导电类型不同；于第二导电类型的外延材料层远离第一导电类型的第一外延层的表面形成第一导电类型的外延材料层；以第二导电类型的外延材料层作为刻蚀停止侦测层，刻蚀第一导电类型的外延材料层，以得到第一导电类型的第二外延层，第一导电类型的第二外延层内形成有沟槽。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种案件数据管理的方法、装置、电子设备及介质-CN202310136615.6在审
发明人：金史平;张宏庆;张立庆;汪昕 -专利权人：上海金桥亦法信息技术有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06Q50/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种案件数据管理的方法、装置、电子设备及介质，涉及数据处理的领域，该方法包括当接收到目标案件的至少两种文件材料时，确定目标案件的纠纷类型以及至少两种文件材料的材料类型，从预设材料类型库中，确定纠纷类型对应的目标材料类型，基于目标材料类型判断至少两种文件材料是否完整，得到第一判断结果，基于第一判断结果，确定目标案件对应的待提取文件材料，从待提取文件材料中提取目标数据，判断目标数据是否属实，得到第二判断结果，基于第二判断结果
一种案件数据管理方法装置电子设备介质

[发明专利]一种复合材料缺陷类型检测方法及装置-CN202010062699.X有效
发明人：徐莉萍;于晓文;赵义豪;孙颜明;彭建军;李健 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合材料缺陷类型检测方法及装置，属于敲击检测技术领域，对已知缺陷类型的复合材料进行敲击检测，采集至少一个样本；所述样本为缺陷类型已知的区域的冲击响应信号；并从样本中提取对应缺陷类型的样本特征序列；采集待测材料的待检测区域的冲击响应信号，并从待检测区域的冲击响应信号中提取待测材料特征序列；计算待测材料特征序列与样本特征序列之间的关联度；选取关联度最高的样本对应的缺陷类型，作为该待检测区域的缺陷类型，解决现有技术中对复合材料缺陷类型判定比较困难的问题。
一种复合材料缺陷类型检测方法装置

[发明专利]失配衬底上的单晶生长-CN200880023660.4有效
发明人：奥拉夫·温尼克;拉尔斯·芒努斯·博里斯特伦;维贾亚拉格哈万·马达卡西拉 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-07-07 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种将一种材料类型(如，III-V半导体)的单晶层形成到不同材料类型(如，硅)的衬底上的工艺。提供第一材料类型的衬底。将催化剂材料的至少一个不连续区域沉积到衬底上，所述不连续区域限定了衬底的晶种区域。将第二材料类型(如，III-V半导体)作为单晶纳米线在衬底与催化剂材料之间生长到衬底上，所述第二材料类型的纳米线从所述衬底开始向上延伸，其横向尺寸不超过晶种区域。在生长纳米线之后，改变生长条件以便使第二材料类型从单晶纳米线开始以平行于衬底表面的方向横向地外延生长。
失配衬底生长

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