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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体衬底及其制造方法，以及半导体器件及其制造方法-CN03138159.6无效
发明人：高桥英树;金田充 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-05-27 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：借助于P型杂质的扩散，在N^－型硅衬底1的底面内全面地形成高浓度的P型杂质扩散层3。另外，借助于P型杂质的扩散，在N^－型硅衬底1的上表面内局部地形成P型隔离区2。P型隔离区2具有抵达P型杂质扩散层3的上表面的底面。
半导体衬底及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺-CN201811452670.1有效
发明人：吴会利;刘旸 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，属于半导体器件制备技术领域。该工艺先进行杂质预淀积过程，然后将扩散炉在氮气和氧气的混合气氛下以5℃/min的速率升温至再扩散温度T2；进行杂质再扩散，最后将扩散炉在5slm氮气气氛下以3℃/min的速率降温至600℃以下，取出硅片后自然降温本发明将杂质预淀积和扩散工艺在炉内一次完成，避免重复升降温对产品参数及性能的影响，同时缩短大量的工艺时间。
半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺

[发明专利]背面入射型半导体受光元件-CN201210329010.0无效
发明人：多田仁史;中岛康雄;国次恭宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：在非掺杂InP层（4）的一部分设置有掺杂Zn的p型杂质扩散区域（5）。n型InP层（2）和p型杂质扩散区域（5）经由InGaAs光吸收层（3）进行pn接合的部分是接收从n型InP基板（1）的背面入射的入射光的受光部（9）。
背面入射半导体元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN00106251.4无效
发明人：长野能久;上本康裕 -专利权人：松下电子工业株式会社
申请日： 2000-05-19 - 公布日： 2000-12-06 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：容量下部电极和第1场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第1导电芯柱连接,容量上部电极和第2场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第2导电芯柱连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种超级结功率器件的制备方法-CN202110076522.X有效
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结功率器件的制备方法，其通过热扩散工艺将第二外延层的掺杂质扩散进入第一外延层中，从而得到超级结；本发明能有效提高超级结功率器件的耐压值并降低导通电阻。
一种超级功率器件制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN03104705.X有效
发明人：林正浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-02-25 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：该半导体装置的制造方法包括(a)在具有第一导电型的半导体衬底(10)的特定区域内，通过离子注入法注入具有第二导电型的第一杂质；(b)在半导体衬底(10)的表面形成氧化膜(18)，在不含氧气的环境中，利用热处理使第一杂质扩散以形成具有第二导电型的第一势阱(20)；以及(c)在第一势阱(20)的特定区域内，借助于氧化膜(18)，通过离子注入法注入具有第一导电型的第二杂质，利用热处理使第二杂质扩散以形成具有第一导电型的第二势阱。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有凹陷栅的晶体管及其制造方法-CN201310136189.2有效
发明人：卢径奉;殷庸硕;李美梨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：晶体管包括半导体衬底中的凹部，其中凹部被填充了包括杂质掺杂层和掺杂捕获物类的层的凹陷栅结构。捕获物类累积杂质并且使杂质扩散至凹陷栅结构的其它层。
具有凹陷晶体管及其制造方法

[发明专利]一种P、N纸源同一扩散过程制造硅二极管PN结的方法-CN200810121993.2无效
发明人：陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;胡梦 -专利权人：杭州杭鑫电子工业有限公司
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种P、N纸源同一扩散过程制造硅二极管PN结的方法。包括如下步骤：1)于同一时间同一过程里，在N-型硅单晶片的正反两个面上分别完成P+型半导体杂质扩散和N+型半导体杂质扩散，得到P+/N-/N+结构；2)研磨硅片的P+表面与N+表面；3)在硅片的表面镀上镍层本发明革除了普通采用的氧化膜掩蔽下定区域扩散半导体杂质的晶体管平面工艺，简化硅整流二极管的制造工艺流程，缩短生产周期，降低成本，提高产品性价比。
一种同一扩散过程制造二极管 pn 方法

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法、以及太阳能电池模块-CN201180065177.4有效
发明人：唐木田昇市 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：具备：第1导电类型的半导体基板11，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层3；受光面侧电极5，与所述杂质扩散层3电连接而形成于所述半导体基板11的一面侧；以及背面侧电极7，形成于所述半导体基板
太阳能电池单元及其制造方法以及模块

[其他]半导体器件及其制造方法-CN87106738无效
发明人：大沼诚 -专利权人：松下电子工业株式会社
申请日： 1987-09-28 - 公布日： 1988-04-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在阈值电压控制区中，其中一个栅结构具有这样获得的多栅结构采用第一栅结构部分作为掩模刻蚀衬底的半导体，以便在刻蚀过的表面形成规定的杂质扩散层，同时在该杂质扩散层上形成第二栅结构部分，所述第一和第二栅结构部分可采用自行配合的方法形成
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法-CN201510714846.6在审
发明人：刘明权;陈董良;王禄宝 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其制备方法如下：（1）在石英坩埚坯料底部刷涂或喷涂一层粘结浆料，（2）再铺设一层高纯球状原生硅料，作为形核源层，（3）对形核源层做适当的钝化处理，（4）坩埚侧壁上刷涂或喷涂一层高纯涂层烘干得坩埚成品；本发明工艺控制条件要求低，高效形成稳定性高，降低坩埚杂质扩散对硅锭质量的影响、晶体内部位错密度低，可有效提升坩埚自身的功能性和降低高质量硅锭的制造成本
一种杂质扩散低位密度 g6 高纯高效坩埚制备方法

[发明专利]用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法-CN201110138091.1无效
发明人：永福;陈雪萌;龚大卫 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法，包括步骤：提供硅衬底，其上分别形成有超结结构和终端结构的深槽；在深槽内淀积多晶硅层，多晶硅层的掺杂类型与硅衬底相反；将多晶硅层中的掺杂杂质扩散到硅衬底中，在深槽周围形成杂质扩散区；通过热氧化的方式将多晶硅层变为氧化层填满深槽；在制作MOS器件的多晶硅栅极时，于终端结构的区域同步形成多晶硅场板。
用于深槽超结 mos 器件终端结构制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610132131.0无效
发明人：佐藤好弘;小川久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-10 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：半导体装置具备：形成在半导体衬底(10)上且被完全转化成硅化物的第1栅布线(19A)；形成在第1栅布线(19A)的侧面上的第1侧壁(21A)；和形成在活性区域(12)的杂质扩散层(14B)。在形成于半导体衬底(10)上的层间绝缘膜(35)形成有与第1栅布线(19A)及杂质扩散层(14B)连接的共用接触插头(24)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块-CN201180069639.X有效
发明人：西本阳一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-04-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：具备：第1导电型的半导体基板，形成有贯通孔；第2导电型的杂质扩散层，设置于所述半导体基板的一面侧；受光面电极，在所述半导体基板的一面侧与所述杂质扩散层电连接地设置；引出电极，经由所述贯通孔被引出到所述半导体基板的另一面侧而与所述受光面电极电连接地设置
太阳能电池及其制造方法模块

[发明专利]齐纳二极管及其制造和封装方法-CN200510131815.4无效
发明人：宋基彰;金根扈 -专利权人： LG电子有限公司
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种齐纳二极管及其制造和封装方法，去除了暴露扩散层的接触孔形成过程，从而能够简化制造工艺，并且不接触电极线的扩散长度由朝向杂质扩散的交叉长度来确定，从而能够降低齐纳阻抗值。另外，在扩散之后采用湿蚀刻法来去除扩散掩模，使得扩散层不会被损坏，从而能够改善齐纳二极管特性。
齐纳二极管及其制造封装方法

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