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[发明专利]一种化合物及其在有机光电器件中的应用-CN202211333272.4在审
发明人：王鹏;王湘成;何睦 -专利权人：上海钥熠电子科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C07C211/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物及其在有机光电器件中的应用，该化合物具有如式(1)所示的结构，L1‑L3独立选自单键、取代或未取代的C6‑C30芳基或C5‑C30杂芳基；A1‑A3独立选自单键、取代或未取代的链状亚烷基或带有支链的链状亚烷基、亚环烷基或亚杂环烷基、烷基亚胺、亚烷基醚、亚烷基硫醚、亚芳基、亚杂芳基、芳基亚胺、亚芳基醚、亚芳基硫醚、杂芳基亚胺、亚杂芳基醚、亚杂芳基硫醚；Ar1‑Ar3独立选自取代或未取代的C6‑C30芳基或C5‑C30杂芳基，且至少一个选自如式(2)所示基团。
一种化合物及其有机光电器件中的应用

[发明专利]吡咯亚甲基硼络合物、含有其的发光元件、显示装置及照明装置-CN202180007056.8在审
发明人：星野秀尭;长尾和真 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：(R1～R6分别独立地选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、硅氧烷基及氧硼基所组成的群组中。X1及X2分别独立地选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、氧硼基及氧化膦基所组成的群组中。R11选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基
吡咯甲基络合物含有发光元件显示装置照明装置

[发明专利]一种合成杂芳基硫酚的方法-CN202210354074.X在审
发明人：金伟伟;刘晨江;郜兴莲 -专利权人：新疆大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C25B3/09 文献下载
摘要：本发明公开一种由杂芳基烷基硫醚去烷基化合成杂芳基硫酚的方法，该方法包括：在电化学条件和氮气氛围下，对杂芳基烷基硫醚类化合物进行去烷基化反应，即得所述杂芳基硫酚。所述杂芳基烷基硫醚的结构式如式1所示；所述杂芳基硫酚的结构式如式2所示。#imgabs0#上述式1和式2中，取代基R1包括苯基、甲基、氰基、卤素等中的任意一种。取代基R2为碳原子数为1～4的烷基；所述Y为S或O。和传统工艺相比，本发明的工艺显著简化了杂芳基硫酚的合成路径，而且具有更加节能、环保、反应条件温和的技术优势。
一种合成杂芳基硫酚方法

[发明专利]一种非对称杂芳基硫醚的合成方法-CN201610381700.9有效
发明人：徐清;马献涛;苏陈良 -专利权人：温州大学
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C07D213/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称杂芳基硫醚的合成方法，其技术方案是杂芳基卤代物、氨基硫代酰胺化合物和醇在无任何外加催化剂条件下直接加热可反应得到非对称杂芳基硫醚化合物本发明提供了一种任何外加无催化剂条件下由杂芳基卤代物、氨基硫代酰胺化合物、以及醇制备费对称杂芳基硫醚类化合物的绿色合成方法。该方法使用廉价易得、来源广泛、稳定低毒的醇类为烷基化试剂，使用常见的氨基硫代酰胺类化合物为硫源，以及廉价易得的杂芳基卤代物在无任何外加催化剂、无溶剂条件下直接反应合成得到非对称杂芳基硫醚类化合物。
一种对称杂芳基硫醚合成方法

[发明专利]六氟丙酮或其水合物的制备方法-CN201280029749.8有效
发明人：小川裕太;高桥雄介;远藤景;池田直 -专利权人：优迈特株式会社
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C07C45/40 文献下载
摘要：使下述通式(其中，R为碳原子数1~8的烷基、芳基或苄基)所示的1-氟-4,4-双(三氟甲基)-2,3,5-三氧杂环戊基·醚化合物在具有碳原子数为3或4的烷基的二烷基硫醚、二芳基硫醚、二芳基二硫醚或二芳烷基硫醚还原剂的存在下进行还原反应，以高收率制备六氟丙酮或其水合物，其中，所述1-氟-4,4-双(三氟甲基)-2,3,5-三氧杂环戊基·醚化合物是将七氟异丁烯基醚化合物进行臭氧氧化而得到的。1-氟-4,4-双(三氟甲基)-2,3,5-三氧杂环戊基·醚化合物是将七氟异丁烯基醚化合物进行臭氧氧化而得到的。
丙酮水合物制备方法

[发明专利]从叔胺偶联合成芳基硫醚的方法-CN201810173730.X有效
发明人：曾庆乐;江文龙 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C07C321/28 文献下载
摘要：芳基硫醚在医药、农业、染料工业和功能材料领域有着广泛的用途，对人类的生产生活有着深远的影响。本发明首次以芳基叔胺一步合成芳基硫醚类化合物的方法,即在铜盐催化N,N‑二甲基‑1‑芳基乙胺与(杂)芳基硫酚进行C‑S偶联合成芳基硫醚。本发明提供的方法具有产率高，原料易得，条件简单，环保等优点。
芳基硫醚叔胺功能材料领域芳基硫酚芳基乙胺类化合物染料工业一步合成二甲基产率芳基铜盐催化联合环保生产

[发明专利]包含吡咯亚甲基硼络合物的发光元件材料、发光元件、显示装置及照明装置-CN202080063315.4在审
发明人：川本一成;徳田贵士;长尾和真 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：X1及X2分别可相同也可不同，且选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、环烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中。这些芳基及杂芳基可为单环也可为稠环。、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、硅烷基及与邻接基之间的环结构所组成的群组中。、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基及硅烷基所组成的群组中。
包含吡咯甲基络合物发光元件材料显示装置照明装置

[发明专利]发光元件材料和使用该材料的发光元件-CN01804068.3有效
发明人：富永剛;北澤大輔;槙山曉;小濱亨 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2001-11-22 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：通过电能发光的发光元件，该元件具有下述(a)～(d)所示的化合物中的至少一种(a)具有多个1，7－菲咯啉骨架的化合物；(b)苯并喹啉衍生物；(c)通式(1)所示的螺环化合物，A1，A2分别选自单键、取代或未取代的烷基链、醚链、硫醚链、酮链、取代或未取代的氨基链，条件是A1≠A2，Z表示碳、硅，R1～R16选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、杂环基、卤素、卤代烷烃、卤代链烯烃、卤代炔烃、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、与相邻取代基之间形成环结构(d)通式(2)所示的四苯基甲烷衍生物R17～R36选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、杂环基、卤素、卤代烷烃、卤代链烯烃、卤代炔烃、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、与相邻取代基之间形成环结构条件是R17～R36中至少一个是选自通式（3）所示的取代基，一X一Ar（3）X是单键或从下述中选择，Ar表示稠合芳环、杂芳环，X是磷氧化物时，Ar表示芳香烃、杂芳环。
发光元件材料使用

[发明专利]吲哚萘并吡喃及包含吲哚萘并吡喃的光致变色组合物-CN201880100388.9在审
发明人： R·斯泰希奇;Z·史密斯;R·W·沃尔特斯 -专利权人：光学转变有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C09B57/00 文献下载
摘要：提供了一种光致变色吲哚萘并吡喃，其具有式(I)的核心骨架结构：其中R1和R2各自独立地是取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的醚、取代或未取代的硫醚、氨基、含氮杂环、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、‑NHC(O)Ra、或‑OC(O)Ra，其中Ra是取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷硫基、或者取代或未取代的芳硫基；R4选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂环烷基、烯丙基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基；并且B和B’各自独立地是取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，其中各取代的芳基或取代的杂芳基被具有大于‑0.50的哈米特σp值的基团取代。
吲哚包含变色组合

[发明专利]一种含杂原子芳硫醚的制备方法-CN201410178008.7无效
发明人：张变香;杨丽花;杜重阳 -专利权人：山西大学
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C07D235/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种含杂原子芳硫醚的制备方法，该方法以2-巯基芳香杂环为原料，在微波辐射条件下与芳基碘化物反应生成含杂原子的芳硫醚。
一种原子芳硫醚制备方法

[发明专利]发光元件材料和发光元件-CN200880007460.X有效
发明人：长尾和真;富永刚 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件材料，其特征在于，含有通式(1)所示的芘化合物，R¹～R¹⁷可以分别相同或不同，选自氢、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、-P(＝O)R¹⁸R¹⁹、以及与相邻取代基之间形成的环结构，R¹⁸和R¹⁹选自芳基和杂芳基，n为1～2的整数，X选自单键或亚芳基、亚杂芳基，其中，R¹⁰～R¹⁷中的任意一者用于与X连接。
发光元件材料

[发明专利]铜催化形成碳－杂原子和碳－碳键的方法-CN03823286.3无效
发明人： S·L·布赫瓦尔德;A·克拉帕斯;F·Y·邝;E·斯特雷特;J·扎农 -专利权人：麻省理工学院
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C07C319/14 文献下载
摘要：本发明的一个方面涉及铜催化的碳－杂原子和碳－碳成键方法。在某些实施方案中，本发明涉及铜催化的在硫羟化合物的硫原子与芳基、杂芳基或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－硫键的方法。在其它实施方案中，本发明涉及铜(II)催化的在酰胺氮原子与芳基、杂芳基、或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－氮键的方法。在有些实施方案中，本发明涉及铜催化的在氰离子的碳原子与芳基、杂芳基、或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－碳键的方法。在另一个实施方案中，本发明涉及铜催化转换芳基、杂芳基或乙烯基碘化物的方法。本发明的再一个实施方案涉及连续方法，它可以在单一反应器中进行，其中该方法的第一步包括由相应的芳基、杂芳基、或乙烯基氯化物或溴化物经铜催化形成芳基、杂芳基、或乙烯基碘；该方法的第二步包括将第一步中生成的芳基、杂芳基、或乙烯基碘化物经铜催化形成芳基、杂芳基、或乙烯基腈、酰胺或硫醚。
催化形成原子方法

[发明专利]一种杂芳基硫醚的合成方法-CN202010477913.8有效
发明人：徐清;王琦;章小兰;赵霖昱 -专利权人：扬州大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C07D213/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种杂芳基硫醚的合成方法，其步骤为：在无催化剂、无溶剂、无添加剂等条件下，不使用常规有机硫化物如硫醇或硫酚，直接以卤代芳烃/2‑溴吡啶、硫脲和取代苄基溴为原料一步选择性合成非对称杂芳基硫醚。该方法避免了毒性大、臭味重的有机硫化物如硫醇或硫酚的使用，缩短了合成步骤，从而提高了合成效率，且反应具有很好的选择性，可以优先得到非对称硫醚。
一种杂芳基硫醚合成方法

[发明专利]发光元件材料和使用该材料的发光元件-CN200610143103.9有效
发明人：富永剛;北澤大輔;槙山曉;小濱亨 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2001-11-22 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及光学元件，其特征在于，该元件的在阳极和阴极之间存在发光物质，通过电能发光的发光元件，该元件具有下述通式(1)所示的螺环化合物，A1，A2分别选自单键、取代或未取代的烷基链、醚链、硫醚链、酮链、取代或未取代的氨基链，条件是A1≠A2，Z表示碳、硅，R1～R16选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、杂环基、卤素、卤代烷烃、卤代链烯烃、卤代炔烃、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、与相邻取代基之间形成环结构。
发光元件材料使用

[发明专利]发光元件材料和使用该材料的发光元件-CN200610143104.3有效
发明人：富永剛;北澤大輔;槙山曉;小濱亨 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2001-11-22 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：其特征在于，该元件的在阳极和阴极之间存在发光物质，通过电能发光的发光元件，该元件具有下述通式(2)所示的四苯基甲烷衍生物，R¹⁷～R³⁶选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、杂环基、卤素、卤代烷烃、卤代链烯烃、卤代炔烃、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、与相邻取代基之间形成环结构，条件是R¹⁷～R³⁶中至少一个是选自通式(3)所示的取代基，X是单键或从下述中选择，Ar表示稠合芳环、杂芳环；X是磷氧化物时，Ar表示芳香烃、杂芳环，n表示自然数
发光元件材料使用

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