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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法-CN201610414190.0有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法，CMOS器件的形成方法包括：对PMOS区域的不同区域进行第一阈值电压掺杂处理和第二阈值电压掺杂处理，第一阈值电压掺杂处理浓度小于第二阈值电压掺杂处理浓度；且在PMOS区域不同区域的栅介质层上形成的P型功函数层厚度不同；对NMOS区域的不同区域进行第三阈值电压掺杂处理和第四阈值电压掺杂处理，第三阈值电压掺杂处理浓度大于第四阈值电压掺杂处理浓度；且在NMOS
cmos 器件 pmos nmos 形成方法

[实用新型]一种用于玻璃再利用的破碎除杂处理装置-CN202220869924.5有效
发明人：陈勇 -专利权人：知美新材料科技（湖北）有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B07B1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于玻璃再利用的破碎除杂处理装置，涉及玻璃回收装置技术领域，包括除杂处理箱体，所述除杂处理箱体的正面固定安装有控制器，所述除杂处理箱体的右侧开设有出料槽，所述除杂处理箱体的底部固定安装有抬高支撑腿，所述除杂处理箱体内腔的顶部设置有清洗除杂机构，所述除杂处理箱体内腔的底部设置有磁性碎屑清理机构。本实用新型通过从进料管道处投放物料，控制驱动电机工作，可带动主动齿轮进行旋转，通过带动齿环的设计，带动清洗筒在固定环的内壁上转动，通过镂空筒对玻璃碎块进行筛网除杂处理，同时控制清洁泵机工作，促使喷淋管道底部喷出清洁水
一种用于玻璃再利用破碎杂处装置

[发明专利]混杂型厨余智能前端处理装置-CN201910327025.5在审
发明人：胡小军;刘晓茜;吴宛青 -专利权人：胡小军
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种混杂型厨余智能前端处理装置，包括队列仓、主仓、轻杂处理仓、厨余处理仓、重杂处理仓和后处理仓；队列仓设置有投料口，队列仓的内部设置分格步进传送带，传送带将经过投料口投入的厨余输送至主仓；主仓与轻杂处理仓、厨余处理仓和重杂处理仓连通并且在连通处分别设置有第一隔门、第二隔门和第三隔门；主仓内部设置有铰刀组和第一搅拌器；轻杂处理仓、厨余处理仓和重杂处理均连通至后处理仓。
处理仓厨余主仓队列厨余处理隔门轻杂重杂前端处理装置后处理传送带内部设置投料口步进混杂连通个人账户密度分层前端处理数据记录水体检测智能混杂物搅拌器铰刀组连通处智能化分格开锁破碎检测安全

[实用新型]混杂型厨余智能前端处理装置-CN201920555026.0有效
发明人：胡小军;刘晓茜;吴宛青 -专利权人：胡小军
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混杂型厨余智能前端处理装置，包括队列仓、主仓、轻杂处理仓、厨余处理仓、重杂处理仓和后处理仓；队列仓设置有投料口，队列仓的内部设置分格步进传送带，传送带将经过投料口投入的厨余输送至主仓；主仓与轻杂处理仓、厨余处理仓和重杂处理仓连通并且在连通处分别设置有第一隔门、第二隔门和第三隔门；主仓内部设置有铰刀组和第一搅拌器；轻杂处理仓、厨余处理仓和重杂处理均连通至后处理仓。
处理仓主仓队列厨余处理厨余隔门轻杂重杂本实用新型后处理传送带内部设置投料口步进连通前端处理装置个人账户密度分层前端处理数据记录水体检测混杂物搅拌器铰刀组连通处智能化分格混杂开锁破碎智能检测安全

[发明专利]滚筒式清理除杂去石机-CN201910769385.0在审
发明人：方波 -专利权人：安徽东亚机械有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B07B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及粮食加工机械技术领域，且公开了滚筒式清理除杂去石机，包括机架，所述机架的顶部焊接固定有大杂处理箱，所述大杂处理箱的前表面焊接固定有进料斗，所述进料斗的底端与所述大杂处理箱的内部相连通，所述大杂处理箱的内部转动连接有圆孔滚筒筛，且所述大杂处理箱的底部焊接固定有大杂出管；本发明相较于现有的去石机，进料经过滚筒筛旋转推力作用下，将较大杂质经过淌管分离出来，告别老式去石机用手抓出的落后方式，并且去石筛板为鱼鳞结构，有较高的去石效率
处理箱去石机焊接固定滚筒筛滚筒式进料斗除杂去石粮食加工机械分离效果落后方式去石筛板旋转推力鱼鳞结构转动连接大杂质前表面箱下部出管底端手抓丝杆圆孔

[发明专利]一种低温多晶硅阵列基板及其制作方法-CN201611224771.4有效
发明人：郭远 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在玻璃基底上形成遮光层；在所述遮光层上形成缓冲层，之后在所述缓冲层上沉积单晶硅材料并进行处理以形成多晶硅岛；采用第一光罩同时对所述多晶硅岛的NMOS区域进行沟道掺杂，以及对所述多晶硅岛的PMOS区域两端进行P‑轻掺杂处理；对采用所述第一光罩处理后的基板进行N+重掺杂处理；在N+重掺杂处理后的基板上形成栅绝缘层，之后在所述栅绝缘层上形成栅电极层并进行N‑轻掺杂处理；采用第二光罩对N‑轻掺杂区进行处理，之后对处理后的基板进行P+重掺杂处理。
一种低温多晶阵列及其制作方法

[发明专利]改善器件性能的方法-CN201610083851.6在审
发明人：毛刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种改善器件性能的方法，包括以第一伪栅为掩膜，对第一伪栅两侧的NMOS区域基底进行第一N型掺杂处理，形成N型源漏区；以第二伪栅为掩膜，对第二伪栅两侧的PMOS区域基底进行第一P型掺杂处理，形成P型源漏区；在基底表面、N型源漏区表面以及P型源漏区表面形成层间介质层；对第一伪栅进行第二P型掺杂处理；对第二伪栅进行第二N型掺杂处理；在进行第二P型掺杂处理和第二N型掺杂处理之后，在同一道工艺步骤中刻蚀去除所述第一伪栅和第二伪栅
改善器件性能方法

[发明专利]栅极的制作方法及半导体器件-CN201410789165.1在审
发明人：董金珠;宋化龙;蒲月皎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该制作方法包括以下步骤：在半导体基体上形成预栅极；对所述预栅极进行扩散掺杂处理，以形成所述栅极。该制作方法通过在半导体基体上形成预栅极，以及对预栅极进行扩散掺杂处理以形成栅极。由于扩散掺杂处理的工艺过程易于控制，使得很容易通过控制扩散掺杂处理的工艺参数调整栅极中掺杂离子的掺杂浓度，从而提高了所形成栅极中掺杂离子的掺杂浓度的精确性，进而提高了栅极的性能。
栅极制作方法半导体器件

[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件-CN202310934197.5在审
发明人：廖光明;张彼克;李香凝;王浩;张博轩;金井升 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，其中，太阳能电池的制作方法包括：提供衬底；形成隧穿层；形成半导体层；进行掺杂处理，将半导体层转换为掺杂导电层，掺杂处理包括：依次进行的沉积步骤、第一升温步骤、推进步骤、第一降温步骤、第二升温步骤、恒温步骤以及第二降温步骤；沉积步骤用于在半导体层上形成掺杂源层；第一升温步骤用于升温至第一预设温度；推进步骤，使掺杂处理的工艺温度保持为第一预设温度；第一降温步骤用于降温至第二预设温度；第二升温步骤，以将掺杂处理的工艺温度升至第三预设温度；恒温步骤使掺杂处理的工艺温度保持为第三预设温度。
太阳能电池及其制作方法组件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810812498.X有效
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成栅极材料层；在栅极材料层上形成若干分立的核心层；在核心层的侧壁上形成掩膜侧墙；以核心层和掩膜侧墙为掩膜，对基底进行掺杂处理，在基底内形成掺杂区；在掺杂处理后，去除核心层；去除核心层后，以掩膜侧墙为掩膜，图形化栅极材料层，形成栅极层。本发明在去除核心层之前进行掺杂处理，所述核心层能够在所述掺杂处理的过程中起到掩膜的作用，相邻栅极层之间的基底不会受到所述掺杂处理的影响，从而实现了非对称掺杂的效果，即实现了仅在所述栅极层一侧基底内形成所述掺杂区的目的
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811068579.X有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的分立的鳍部，用于形成器件的鳍部为有源鳍部，剩余鳍部为伪鳍部，鳍部顶部上形成有鳍部掩膜层；对伪鳍部顶部的鳍部掩膜层进行离子掺杂处理，离子掺杂处理所掺杂的离子为中性离子；在离子掺杂处理后，去除伪鳍部顶部的鳍部掩膜层；去除伪鳍部顶部的鳍部掩膜层后，对所述伪鳍部进行刻蚀处理。本发明对伪鳍部顶部的鳍部掩膜层进行离子掺杂处理，离子掺杂处理所掺杂的离子为中性离子，不仅有利于减小刻蚀伪鳍部的工艺对有源鳍部造成损伤的概率，还提高了对伪鳍部的刻蚀效果，减小出现刻蚀残留问题的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]CMOS-TDI图像传感器及其形成方法-CN201910988600.6在审
发明人：黄金德;王林;胡万景 -专利权人：昆山锐芯微电子有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成光电掺杂区；在所述光电掺杂区表面形成若干栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极层；在所述栅介质层和基底之间的界面处进行掺杂处理，所述掺杂处理用于减少所述栅介质层与所述基底之间的缺陷。本发明的技术方案中，通过在所述栅介质层和基底之间的界面处进行掺杂处理，使所述基底与所述栅介质层形成的缺陷与所述掺杂处理中的第二离子结合，起到钝化的作用，进而减小暗电流的产生，提升了CMOS‑TDI图像传感器的图像质量
栅介质层基底掺杂栅极结构掺杂区界面处表面形成离子结合暗电流栅极层钝化减小图像

[发明专利]一种脱除乙二醇杂质的装置与方法-CN202210817796.4在审
发明人：蒋宇春;张军;顾冬磊;陆叶萍;时勤飞;方群聪 -专利权人：浙江三江化工新材料有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B01D3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种脱除乙二醇杂质的装置与方法，包括乙二醇塔，乙二醇产品泵，换热器，冷却器，除杂处理单元，中间罐与产品转换泵，所述乙二醇塔接收自干燥塔输送来的液态乙二醇，所述乙二醇塔通过乙二醇产品泵依次与所述换热器，所述冷却器以及所述除杂处理单元连接，所述除杂处理单元的出口与所述中间罐的入口连接，所述中间罐的出口与所述产品转换泵连接，所述产品转换泵外接成品罐。本发明在现有装置与工艺的基础上，在乙二醇成品采出线上增加了除杂处理单元，从而提高了乙二醇成品的紫外UV值，本发明对于装置的改动较少，无需对整个装置进行改动。
一种脱除乙二醇杂质装置方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111604671.5在审
发明人：米红星;田三河;靳颖;牛健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述衬底包括逻辑电路区和像素区；在所述逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部形成栅极结构、以及覆盖所述栅极结构顶部的离子阻挡层；形成所述离子阻挡层之后，对所述像素区中的衬底进行掺杂处理；进行所述掺杂处理之后，去除所述离子阻挡层。所述离子阻挡层能够对所述栅极结构起到保护作用，在后续对所述第一离子掺杂层进行掺杂处理的过程中，降低了掺杂处理所采用的离子注入到栅极结构的概率，提高了所述栅极结构的电学性能，从而提高了所述半导体结构的性能
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111370241.1在审
发明人：宋春;刘良;林伟峰;王倩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括存储器件区和逻辑器件区；在所述存储器件区和逻辑器件区的所述衬底的顶部形成浮栅材料层；对所述逻辑器件区进行一次或多次掺杂处理，所述掺杂处理包括：在所述浮栅材料层的顶部形成具有掩膜开口的掩膜层，所述掩膜开口位于相对应的所述逻辑器件区中；以所述掩膜层为掩膜，通过所述掩膜开口对所述逻辑器件区的所述衬底进行掺杂处理；去除所述掩膜层；在完成对所述逻辑器件区的掺杂处理之后
半导体结构及其形成方法

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