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[发明专利]PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池-CN202111123246.4在审
发明人：陈曦;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池，其中，PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法包括如下步骤：以硅烷为反应气体，在硅片衬底上依次沉积第一本征非晶硅膜层和第二本征非晶硅膜层，其中，所述第一本征非晶硅膜层沉积时的沉积速率V1为0.4nm/s‑1.2nm/s；第二本征非晶硅膜层沉积时的射频功率W2小于第一本征非晶硅膜层沉积时的射频功率W1；以硅烷和氢气的混合气体为反应气体，在第二本征非晶硅膜层之上沉积成型第三本征非晶硅膜层本发明实施例避免了射频源从高射频功率骤减为零的情况的出现，进而避免了由于射频功率的骤减在非晶硅薄膜上形成的硅粉层，提升了本征非晶硅薄膜的钝化效果。
pecvd 沉积征非晶硅薄膜方法电池制备

[发明专利]双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法-CN201910601631.1在审
发明人：郭小勇;易治凯;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及的一种双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有第一非晶硅本征层；所述硅衬底和第一非晶硅本征层之间设有第二非晶硅本征层，所述第二非晶硅本征层采用二氧化碳和纯硅烷进行沉积，所述第一非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极。本发明有效的避免了非晶硅薄膜的外延生长，减少硅表面缺陷，保证本征非晶硅薄膜的钝化效果，提升异质结太阳能电池性能。
非晶硅本征层异质结太阳能电池硅衬底掺杂层导电膜非晶硅制备本征非晶硅薄膜非晶硅薄膜钝化效果外延生长纯硅烷硅表面电极二氧化碳沉积背面保证

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备工艺-CN201910984247.4在审
发明人：杨骥;黄金;王继磊;高勇;张娟;白焱辉;白星亮;冯乐;任法渊;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备工艺，异质结太阳电池包括：N型单晶硅片、本征非晶硅膜层一、N型非晶硅膜层、本征非晶硅膜层二、P型非晶硅膜层、导电性薄膜层和金属电极，N型单晶硅片的正面依次沉积本征非晶硅膜层一、N型非晶硅膜层，N型单晶硅片的背面依次沉积本征非晶硅膜层二、P型非晶硅膜层；本征N型非晶硅层和本征P型非晶硅层的外侧均沉积有导电性薄膜层，导电性薄膜层的外侧均印刷有金属电极。本发明导电性薄膜层结构导电层面积较大，掩膜区域宽度较小，且不容易出现绕镀的现象，不会覆盖N型硅片的边缘导致异质结短路，不需要考虑短接导致漏电流过高的情况，从而有利于提升异质结太阳能电池的转换效率。
一种异质结太阳电池及其制备工艺

[实用新型]具有双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构-CN201921038438.3有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种具有双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有第一非晶硅本征层；所述硅衬底和第一非晶硅本征层之间设有第二非晶硅本征层，所述第二非晶硅本征层采用二氧化碳和纯硅烷进行沉积，所述第一非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极。本实用新型有效的避免了非晶硅薄膜的外延生长，减少硅表面缺陷，保证本征非晶硅薄膜的钝化效果，提升异质结太阳能电池性能。
具有双层非晶硅异质结太阳能电池结构

[发明专利]具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池-CN202211514361.9在审
发明人：王守志;王丽婷;王金淳;杜敬良;周啸颖;刘阳;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池，包括单晶硅片，单晶硅片的上表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A1、n型磷掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池正面，单晶硅片的下表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A2、p型硼掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池背面，本征非晶硅层A1与n型磷掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层B1，本征非晶硅层A2与p型硼掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层本发明以量产线异质结电池为基础，优化设计入光侧和背光侧本征氢化非晶硅层的膜厚及两者的匹配，提高异质结电池在钝化效果、透过率、电池转换效率上的性能。
具有氢化非晶硅层量产线异质结电池

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法-CN202111429426.5在审
发明人：连维飞 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及的一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括N型单晶硅基片，所述N型单晶硅基片的正面设有一层n+掺杂层，在n+掺杂层的表面沉积一层第一本征非晶硅/微晶硅膜，所述第一本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的n型非晶硅/微晶硅膜，最外层的n型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第一导电膜；所述N型单晶硅基片的背面设有一层第二本征非晶硅/微晶硅膜，所述第二本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的p型非晶硅/微晶硅膜，最外层的型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第二导电膜。本发明在N型单晶硅基片主表面形成一层n+掺杂层，形成高低结，对光生载流子起到一定的分离作用，减少光生载流子的复合。
一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法

[实用新型]一种HJT结构及太阳能电池-CN202321645548.2有效
发明人：朱晶晶;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种HJT结构及太阳能电池，结构包括硅基体，硅基体的正面由内向外依次设有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面TCO导电膜，正面TCO导电膜远离第二碳化硅层一侧设有正金属电极；硅基体的背面由内向外依次设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、背面TCO导电膜，背面TCO导电膜远离掺杂非晶硅层的一侧设有背金属电极，其中，第二本征非晶硅层的厚度大于等于第一本征非晶硅层的厚度。本实用新型提供的HJT结构，硅基体背面采用双层本征非晶硅层，第一本征非晶硅层为超薄非晶硅层，可有效抑制纳米孪晶缺陷；第一碳化硅层提供优异钝化特性，第二碳化硅层提供优异导电性，实现钝化和接触共赢。
一种 hjt 结构太阳能电池

[发明专利]异质结电池结构及其制备方法-CN202011606801.4有效
发明人：赵保星;张树德;符欣;连维飞;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结电池结构及其制备方法，该异质结电池结构包括自下而上依次设置的底电极、背面透明导电膜层、n型掺杂非晶硅层、背面本征非晶硅层、背面本征非晶硅缓冲层、n型单晶硅片、正面本征非晶硅缓冲层、正面本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、正面透明导电膜层以及顶电极。异质结电池结构及其制备方法该大幅提升非晶硅/硅衬底界面的清晰度，提升钝化效果，进而提升电池开路电压以及开路电压相关的填充因子。
异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202011132671.5在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭晶硅异质结太阳能电池，包括：铸锭晶硅衬底，所述铸锭晶硅衬底含有多个生长方向不同的晶粒；设置在铸锭晶硅衬底表面的金字塔绒面，其中，金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置具有平滑的弧形结构；设置在金字塔绒面表面的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层，其中，所述弧形结构上的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度比金字塔绒面的斜面上本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度更厚；设置在掺杂型非晶硅膜层之上的透明导电膜层；及设置在透明导电膜层之上的金属电极
一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法

[实用新型]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构-CN201822090103.8有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有多层非晶硅本征层，所述正背面的非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极，相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层，最外层的非晶硅本征层和非晶硅掺杂层之间设有H等离子体处理层。本实用新型采用多步沉积非晶硅本征层，在完成每一步沉积后都加一步H等离子体处理，既可以增加薄膜中H原子含量，提高非晶硅本征层对晶硅表面的钝化效果，同时降低非晶硅本征层自身的缺陷态密度，提升太阳能电池的光电转换效率
非晶硅本征层多步沉积掺杂层非晶硅异质结太阳能电池本实用新型导电膜晶硅光电转换效率缺陷态密度太阳能电池钝化效果晶硅表面最外层电极沉积多层两层薄膜背面

[发明专利]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法-CN201811523260.1在审
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有多层非晶硅本征层，所述正背面的非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极，相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层，最外层的非晶硅本征层和非晶硅掺杂层之间设有H等离子体处理层。本发明采用多步沉积非晶硅本征层，在完成每一步沉积后都加一步H等离子体处理，既可以增加薄膜中H原子含量，提高非晶硅本征层对晶硅表面的钝化效果，同时降低非晶硅本征层自身的缺陷态密度，提升太阳能电池的光电转换效率
非晶硅本征层多步沉积掺杂层非晶硅异质结太阳能电池电极结构导电膜晶硅制备光电转换效率缺陷态密度太阳能电池钝化效果晶硅表面最外层电极沉积多层两层薄膜背面

[发明专利]一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法-CN201510474317.3有效
发明人：杨与胜;王树林;宋广华;庄辉虎 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法，其中所述一种高效硅基异质结双面电池，包括：N型硅片；在所述N型硅片的正面依序设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、透明导电膜层、金属栅线电极；所述第二本征非晶硅层的电子带隙大于第一本征非晶硅层；在所述N型硅片的反面依序设有第三本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、透明导电膜层，金属栅线电极。本发明通过的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层分别在不同的腔室内制备完成，第一本征非晶硅层的制备温度比第二本征非晶硅层的制备温度高，从而使得第二本征非晶硅层具有相对较宽的电子带隙，其对应于晶体硅的禁带宽度
本征非晶硅层制备硅基异质结双面电池金属栅线电极透明导电膜层电子带隙空穴电学性能电子扩散电池片发射极晶体硅阻挡层禁带带宽复合室内阻挡

[实用新型]一种太阳能电池-CN201721848380.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：盐城普兰特新能源有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别地涉及短路电流较高的太阳能电池。本实用新型公开了一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层、第一TCO膜层、第二TCO膜层和p型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次叠层有第一本征非晶硅层、p型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次叠层有第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层和第二TCO膜层。本实用新型提供的太阳能电池可获得较高的短路电流，因此提高了太阳能电池的性能。
太阳能电池本征非晶硅层本实用新型基板短路电流叠层膜层碳硅太阳能电池技术

[实用新型]一种太阳能电池-CN201721848376.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：盐城普兰特新能源有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别地涉及短路电流较高的太阳能电池。本实用新型公开了一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、p型非晶硅膜层、第一TCO膜层、第二TCO膜层和n型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次形成第一本征非晶硅层、n型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次形成第二本征非晶硅层、p型非晶硅膜层和第二TCO膜层。本实用新型提供的太阳能电池可获得较高的短路电流，因此提高了太阳能电池的性能。
太阳能电池本征非晶硅层本实用新型基板短路电流膜层碳硅太阳能电池技术

[实用新型]一种具备钝化介质氧化膜的HJT电池结构-CN202222237935.4有效
发明人：杨飞;倪志春;连维飞;张景洋 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种具备钝化介质氧化膜的HJT电池结构，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述硅衬底正面的非晶硅本征层的外侧设有N型非晶硅掺杂层，硅衬底背面的非晶硅本征层的外侧设有P型非晶硅掺杂层，所述N型非晶硅掺杂层的外侧设有一层正面TCO导电膜，所述P型非晶硅掺杂层的外侧设有一层背面TCO导电膜；所述正面TCO导电膜外侧的电极之间设有一层钝化介质氧化膜，所述正面TCO导电膜和背面TCO导电膜的外侧均设有若干电极。本实用新型用铝浆料预烧结方式实现了局部的P++层，实现了对硅片热处理及吸杂处理，提高了硅片内在品质。
一种具备钝化介质氧化 hjt 电池结构

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