专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1142759个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]含有钛有机材料配方、制备方法及其应用-CN201510400453.8在审
  • 林忠义 - 林忠义
  • 2015-07-09 - 2015-09-30 - C08L101/00
  • 本发明公开了一种含有钛有机材料配方,包括主料和辅料,所述主料为有机物原料,所述辅料为钛粉和粉;各配方按重量份的比例为:有机物原料90-95份;钛粉0-5份;粉0-5份。其有益效果是,增加了钛粉和粉后,该材料对人体具有了良好的保健效果。因为无毒性,具有诱发自身干扰素、增加NK细胞活性、活化巨噬细胞、促进抗体产生及抗肿瘤、抗衰老生物作用。是制氧机,是抗癌剂,是“血液消毒剂”,可以清除机体中的废物。而钛对人体的功效是:钛可以通过调节人体电流,使体温上升,达到精神松驰、肌肉放松、运动机能提高的效果。同时,本发明还公开了含有钛有机材料的制备方法和应用,可以广泛应用于制作枕体、坐垫、床垫等。
  • 含有有机材料配方制备方法及其应用
  • [实用新型]一种富整理布-CN201620631535.3有效
  • 孙贵仁;李力;金虎;陈涛 - 绍兴市必固纺织品有限公司
  • 2016-06-23 - 2016-11-16 - B32B9/00
  • 本实用新型公开了一种富整理布,包括基布层,所述基布层上设置有有机化合物层,所述有机化合物层上设置有阻燃层,所述基布层远离所述有机化合物层的一侧设置有防辐射层。本实用新型具有以下优点和效果:阻燃层的设置,在布料受到高温时不易燃烧,提升了安全性能;而有机化合物具有诱干扰素生成,抗衰老抗肿瘤的作用,可以促进人体体表的血液微循环,激活细胞,调节体内平衡,缓解疲劳,
  • 一种整理
  • [发明专利]一种新型网面料-CN202310252887.2在审
  • 刘军 - 唐山市嫣桃嫣服饰有限公司
  • 2023-03-16 - 2023-06-27 - B32B9/00
  • 本发明公开了一种新型网面料,包括基布层、面层和粘贴层,基布层通过粘贴层与面层粘合,所述的基布层由涤纶单丝、氨纶人造丝和有机纤维经编而成,经编后的面料再经过染色、烘干、拉毛、剪毛、定型制备得到基布层;所述的面层采用有机棉编织而成。本发明制备方法简单,其含有的离子对人体大有裨益,使用此种富含元素的面料可以有效治愈多种亚健康。
  • 一种新型面料
  • [发明专利]一种硒化靶材及其制备方法-CN201910610004.4有效
  • 文崇斌;余芳;朱刘;童培云;谢小林 - 先导薄膜材料(广东)有限公司
  • 2019-07-08 - 2022-07-01 - C04B35/547
  • 本发明涉及光电材料生产技术领域,尤其涉及一种硒化靶材及其制备方法。所述制备方法包括:A)加热块至980~1050℃,保温后,得到液;B)加热硒块至230~250℃,保温后,硒块熔化,并滴入所述液中,得到混合熔炼液;C)将所述混合熔炼液在980~1050℃下加热30~60min,冷却后,得到硒合金;D)将所述硒合金进行球磨,得到的硒粉末经真空热压烧结,得到硒化靶材;步骤A)、B)和C)在真空的条件下进行。本发明采用真空滴落法制备硒合金,再通过球磨得到硒粉体,然后运用真空热压法制备得到硒化靶材,制备出的硒化靶材致密度较高,与理论硒含量相差较小。
  • 一种硒化锗靶材及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备-CN202010244614.X在审
  • 李永亮;刘昊炎;程晓红;李俊杰;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2020-03-31 - 2020-07-24 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备,涉及半导体技术领域,以解决在选用对高含量硅进行释放时,如采用纯作为晶格匹配层,会存在腐蚀晶格匹配层的情况,如不采用纯晶格匹配层,直接在Si衬底上制备硅沟道,会导致缺陷的产生的技术问题。半导体器件,在衬底和硅沟道层之间增加了匹配层,匹配层包括晶格匹配层和硅晶格匹配层,硅沟道层形成在硅晶格匹配层上,硅晶格匹配层与硅沟道层的材质元素相同,晶格匹配度高,容易获得高质量的硅沟道;同时,在对硅沟道层进行释放时,由于对硅晶格匹配层选择比高,不会出现硅晶格匹配层、晶格匹配层或衬底过度腐蚀的问题。
  • 半导体器件及其制作方法集成电路电子设备
  • [发明专利]一种硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件-CN201811529867.0有效
  • 孙军强;张意 - 华中科技大学
  • 2018-12-14 - 2020-05-19 - G02F1/015
  • 本发明公开了一种硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件,包括:P型硅衬底、P型硅合金缓冲层、本征硅合金下隔离层、本征硅合金耦合量子阱层、本征硅合金上隔离层、N型硅合金盖层,本征硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成,单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成,相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区,两个侧边壁垒的硅合金组分配比相同,中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒中间垒区Ge含量低的非对称耦合量子阱,势垒高度比两侧势垒区高,防止中间垒区两侧的量子阱在无外加电场时发生耦合,在加电场发生耦合时,对两个量子阱的耦合控制效果更好。
  • 一种量子阱电致折射率调制器集成光电子器件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top