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[发明专利]有机半导体材料-CN201380055656.7有效
发明人： M·梅璐茜;L·法瓦雷托;M·赞边奇;R·卡佩利;M·穆西尼 -专利权人： E.T.C.有限责任公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明涉及可用作有机半导体材料的新型化合物，和含有所述有机半导体材料的半导体器件。
有机半导体材料

[发明专利]有机半导体材料-CN201280023841.3有效
发明人： M·梅鲁西;L·法瓦莱托;M·赞姆比安奇;R·卡佩里;M·穆西尼 -专利权人： E.T.C.有限责任公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明涉及可用作有机半导体材料的新型化合物的用途，和含所述有机半导体材料的半导体器件。
有机半导体材料

[发明专利]有机半导体材料-CN201380050950.9在审
发明人： M·梅卢奇;L·法瓦雷托;M·赞边奇;R·卡佩利;M·穆西尼 -专利权人： E.T.C.有限责任公司
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明涉及可用作有机半导体材料的新型化合物，和含所述有机半导体材料的器件。
有机半导体材料

[发明专利]有机半导体材料-CN202180054043.6在审
发明人：冈本敏宏;黑泽忠法;C·P·余;竹谷纯一;山元明人;池田大次 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C07D471/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能够通过印刷工艺形成体现高电荷迁移率的有机半导体的化合物。本公开的化合物如下述式(1)所示。所述R1、R2、R3相同或不同，表示氢原子或有机基团。n表示0以上的整数。
有机半导体材料

[发明专利]有机半导体材料-CN201580008203.8有效
发明人：若宫淳志;萩谷一刚;滨本史朗;田中光 -专利权人：东洋纺株式会社
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及提供转换效率优异的有机半导体材料的高分子化合物，提供材料设计的自由度高的原材料化合物、和它们的制造方法。本发明的高分子化合物的特征在于包含式(1)所示的苯并双噻唑结构单元。[式(1)中，T1、T2各自独立地表示烷氧基、硫代烷氧基、可以被烃基或有机甲硅烷基取代的噻吩环、可以被烃基或有机甲硅烷基取代的噻唑环、或者可以被烃基、烷氧基、硫代烷氧基、有机甲硅烷基、卤素原子或三氟甲基取代的苯基。
有机半导体材料

[发明专利]有机半导体材料-CN201280018838.2有效
发明人：半那纯一;小堀武夫;臼井孝之;高屋敷由纪子;饭野裕明;大野玲 -专利权人：国立大学法人东京工业大学;DIC油墨株式会社
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种不仅显示出液晶性而且还显示出高电子迁移率的有机半导体材料。本发明的有机半导体材料至少包含具有芳族稠环结构的电荷输送性分子单元A、以及通过单键与该单元相连的环状结构单元B，且上述单元A和单元B中的至少一个单元具有作为侧链的单元C，其特征在于，该有机半导体材料显示
有机半导体材料

[发明专利]有机半导体材料-CN200980104369.4无效
发明人：宫田康生;花冈秀典 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：下述通式(1)所表示的二氢苯并二茚化合物(式中，R¹相同或不同，表示氢原子、任选被取代的烷基、任选被取代的烯基、任选被取代的炔基、任选被取代的烷氧基、任选被取代的烷硫基、任选被取代的芳基、任选被取代的芳氧基等；R²～R⁵相同或不同，表示氢原子、任选被取代的烷基、任选被取代的烯基等；p为0、1或2；环结构A、B相同或不同，表示任选被取代的苯环、任选被取代的噻吩环等)。
有机半导体材料

[发明专利]有机半导体材料-CN201280036486.3无效
发明人：尾坂格;泷宫和男 -专利权人：国立大学法人广岛大学
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶性良好且具有优异的载流子迁移率的有机半导体材料。有机半导体材料具有下式1所示的骨架。
有机半导体材料

[发明专利]有机半导体器件和有机半导体薄膜-CN200780000602.5无效
发明人：胜原真央;鹈川彰人;宫本佳洋;国清敏幸 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供有机半导体薄膜基有机半导体器件，该器件包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料可在低温如室温下溶解于有机溶剂并且适用于涂布工艺。该有机半导体器件包括沟道形成区，该沟道形成区包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料具有基于两个π－电子单位的氧化或还原机制并且具有二维或三维传导路径。
有机半导体器件有机半导体薄膜

[发明专利]有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜、有机半导体膜形成用分散液、有机半导体薄膜的制造方法及有机薄膜晶体管-CN201180041963.0有效
发明人：市川结;全现九;小熊尚实;平田直毅;河野寿夫 -专利权人：国立大学法人信州大学;大日精化工业株式会社
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明为有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，有机半导体微粒材料的特征在于，所述有机半导体微粒材料是能够作为有机半导体材料使用的微粒状的材料，该微粒是在被加热至50℃～350℃的温度时向液晶状态发生相变的热致液晶根据上述本发明，能够提供有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，所述有机半导体微粒材料容易大面积且均一地制作通过印刷制膜法形成的有机半导体薄膜，具有高的电子迁移率及高的开/关值，并且能够通过使用了微粒的分散液涂布法来形成有机半导体薄膜
有机半导体微粒材料薄膜形成分散制造方法有机薄膜晶体管

[发明专利]测量有机半导体状态密度的方法-CN201510228253.9有效
发明人：卢年端;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： G01R27/00 文献下载
摘要：一种测量有机半导体材料状态密度的方法，包括步骤1，测量有机半导体材料的赛贝克系数；步骤2，基于有机半导体材料的特征，选择一种状态密度函数；步骤3，通过渗流理论计算有机半导体材料的赛贝克系数值；步骤4，提取材料的状态密度宽度；步骤5，提取有机半导体材料的状态密度。依照本发明的测量有机半导体状态密度的方法，基于材料变温下的赛贝克系数的值及载流子的跃迁理论，通过理论与实验相结合的方法探测有机半导体材料的状态密度，为分析有机半导体材料的微观物理机制提供理论指导，可以直接用于分析有机半导体材料的载流子输运特性，从而为制造高性能的有机半导体器件提供指导。
测量有机半导体状态密度方法

[发明专利]有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法-CN201580038837.8有效
发明人：酒井正俊;工藤一浩;贞光雄一 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。
有机半导体薄膜形成方法以及使用有机半导体器件及其制造

[发明专利]一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件-CN201210295756.4无效
发明人：周明杰;王平;张振华;钟铁涛 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C07C317/32 文献下载
摘要：发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：该有机半导体材料含有三苯胺、芴及苯基硫氧，其中，三苯胺具有空穴传输性能，芴具有电子传输性能，苯基硫氧具有电子传输性能。因此本发明有机半导体材料具有较好空穴传输和电子传输能力的双极性红光磷光材料。本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法，以及包含该有机半导体材料的电致发光器件。
一种有机半导体材料制备方法电致发光器件

[发明专利]一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件-CN201210296401.7无效
发明人：周明杰;王平;张振华;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：,该有机半导体材料含有三苯胺和蒽唑，其中，三苯胺具有较好的空穴传输性能，蒽唑具有较好的刚性和平面性及良好的电子传输性能，热稳定性能良好。因此本发明有机半导体材料是具有较好双极性蓝光主体材料。本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法，以及包含该有机半导体材料的电致发光器件。
一种有机半导体材料制备方法电致发光器件

[发明专利]一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件-CN201210296420.X无效
发明人：周明杰;王平;张振华;钟铁涛 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：该有机半导体材料含有咔唑、芴及苯基硫氧，其中，咔唑具有空穴传输性能，芴具有电子传输性能，苯基硫氧具有电子传输性能。因此本发明有机半导体材料具有较好空穴传输和电子传输能力的双极性红光磷光材料。本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法，以及包含该有机半导体材料的电致发光器件。
一种有机半导体材料制备方法电致发光器件

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