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[发明专利]一种隐晶质石墨的提纯方法-CN201810149557.X在审
发明人：岑对对;于阳辉;张韬;程飞飞;胡锐 -专利权人：苏州中材非金属矿工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C01B32/215 文献下载
摘要：本发明提供了一种隐晶质石墨的提纯方法。本发明的隐晶质石墨的提纯方法，包括如下步骤：1)以低品位隐晶质石墨为原料，进行超细粉碎处理；2)将经步骤1)超细粉碎处理后的隐晶质石墨置于反应釜中进行碱熔处理；3)将经步骤2)碱熔后的隐晶质石墨进行酸浸，经水洗、过滤、烘干后得到高品位隐晶质石墨。本发明的隐晶质石墨的提纯方法，工艺简单，成本低，能耗低，对低品位的隐晶质石墨提纯效果好，以隐晶质石墨含量为60～75％的低品位隐晶质石墨为原料，通过超细粉碎‑反应釜碱熔‑酸浸工艺，获得隐晶质石墨含量大于等于99.0％的高品位隐晶质石墨。
一种隐晶质石墨提纯方法

[发明专利]一种石墨矿全资源利用的方法-CN202210007561.9有效
发明人：张以河;张娜;邸祥云;王新珂;张帅 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨矿全资源利用的方法，先将石墨原矿进行初选，得到晶质石墨矿/隐晶质石墨矿和低品位石墨矿；再分别进行处理，其中将低品位石墨矿依次进行阶段磨矿和阶段浮选，得到石墨精矿和石墨尾矿；再将石墨精矿依次进行提纯和过滤，得到晶质石墨矿/隐晶质石墨矿；将晶质石墨矿依次进行浮选和精选，得到石墨尾矿和晶质石墨精矿；将晶质石墨精矿进行提纯，得到晶质石墨；或者将隐晶质石墨矿依次进行粉碎、磨矿和分级，得到石墨尾矿和隐晶质石墨精矿；将隐晶质石墨精矿进行提纯，得到隐晶质石墨；得到的石墨尾矿能够作为原料用于制备3D打印建筑构件、复合板材或矿物复合肥，实现了石墨矿的全资源利用。
一种石墨资源利用方法

[发明专利]非晶质形以及含有该非晶质形的组合物-CN202280014342.1在审
发明人：镰田直兴;吉村元靖;木本万里子 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C07D409/12 文献下载
摘要：本发明提供了含有化合物(I)的非晶质固体分散体；包含化合物(I)和有机酸的非晶质形；含有该非晶质形的非晶质固体分散体；含有该非晶质形或非晶质固体分散体的药物组合物；及其制造方法。
非晶质形以及含有组合

[发明专利]光伏装置-CN201280029397.6有效
发明人：矢野步;大钟章义 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏装置，其具备半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面上的i型非晶质层（12i）、形成在i型非晶质层（12i）上的p型非晶质层（12p）、形成在半导体基板（10）的背面上的i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（16i）上的n型非晶质层（16n），在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度台阶状地减少的氧浓度分布，i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度比i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度高。
装置

[发明专利]光伏装置-CN201280029337.4有效
发明人：大钟章义;角村泰史 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏装置，其具备：半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面或背面的i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）上的p型非晶质层（12p）或n型非晶质层（16n），i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
装置

[发明专利]光电转换元件-CN201910231029.3在审
发明人：肥后辉明;森健史;东川诚 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明的光电转换元件具备半导体基板、n型非晶质半导体层、p型非晶质半导体层、及电极。半导体基板由n型单晶硅构成。p型非晶质半导体层配置于半导体基板的一侧的面。n型非晶质半导体层在半导体基板的一侧的面上配置于与p型非晶质半导体层的配置区域不同的区域。电极配置于n型非晶质半导体层上。电极配置于p型非晶质半导体层上。在半导体基板的面内方向上位于相邻的n型非晶质半导体层之间的p型非晶质半导体层沿从n型非晶质半导体层朝向相邻的n型非晶质半导体层的第一方向具有：配置有电极的第一以及第二电极配置区域、及在其间未配置有电极的非电极配置区域
非晶质半导体层半导体基板电极光电转换元件电极配置配置区域配置电极配置区域第二电极内方向

[发明专利]压粉芯及其制造方法、具备该压粉芯的电感器、以及安装有该电感器的电子-电气设备-CN201680027346.8有效
发明人：高馆金四郎;小柴寿人;山下翔宽 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01F1/22 文献下载
摘要：作为含有晶质磁性材料的粉末以及非晶质磁性材料的粉末的压粉芯、且对于具备压粉芯的电感器能够提高直流叠加特性并且减少铁损的压粉芯，本发明提供一种压粉芯，其含有晶质磁性材料的粉末以及非晶质磁性材料的粉末，其中，晶质磁性材料的粉末的含量和非晶质磁性材料的粉末的含量的总和为83质量％以上，晶质磁性材料的粉末的含量相对于上述的总和的质量比率为20质量％以下，非晶质磁性材料的粉末的中位直径(D50)为晶质磁性材料的粉末的中位直径(D50)以上，非晶质磁性材料的粉末的体积基准的累积粒度分布中的10％累积直径(D10_a)与晶质磁性材料的粉末的体积基准的累积粒度分布中的90％累积直径(D90_b
磁性材料压粉芯晶质非晶质电感器累积粒度分布体积基准中位直流叠加特性电气设备质量比率铁损制造

[发明专利]电子照相用调色剂-CN201580067680.1有效
发明人：渡边省伍;片山浩平;日高安启;垣内宏树 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G03G9/087 文献下载
摘要：本发明提供一种电子照相用调色剂，其含有包含结晶性树脂及非晶质树脂的粘合树脂及脱模剂，上述结晶性树脂含有结晶性复合树脂C，所述结晶性复合树脂C包含缩聚系树脂成分和苯乙烯系树脂成分，所述缩聚系树脂成分由特定的醇成分与羧酸成分缩聚而得到，上述非晶质树脂含有非晶质复合树脂AC和非晶质聚酯AP，所述非晶质复合树脂AC包含缩聚系树脂成分和苯乙烯系树脂成分，所述缩聚系树脂成分由醇成分与特定的羧酸成分缩聚而得到，所述非晶质聚酯AP由醇成分与特定的羧酸成分缩聚而得到，上述非晶质聚酯AP的软化点高于上述非晶质复合树脂AC的软化点，非晶质聚酯AP与非晶质复合树脂AC的软化点之差为10℃以上且50℃以下。
电子照相调色

[发明专利]半导体基板的制造方法-CN201480038163.7有效
发明人：今冈功;小林元树;内田英次;八木邦明;河原孝光;八田直记;南章行;坂田丰和;牧野友厚;高木秀树;仓岛优一 -专利权人：株式会社希克斯;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。
半导体制造方法

[发明专利]光电转换装置-CN201680028567.7有效
发明人：原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
光电转换装置

[发明专利]非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法-CN201680065829.7有效
发明人：矢野孝伸;成田悠;西嶋仁志;碓井圭太;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10‑4Ω·cm以上且8.0×10‑4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。
非晶质透明导电性薄膜以及制造方法

[发明专利]一种利用花岗岩中晶质铀矿计算岩浆氧逸度的方法-CN201710738866.6有效
发明人：郭建;李子颖;王健菲;张玉燕;惠小朝;何升 -专利权人：核工业北京地质研究院
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明属于地质技术领域，具体公开一种利用花岗岩中晶质铀矿计算岩浆氧逸度的方法，该方法包括以下步骤：步骤1、采集含晶质铀矿副矿物的花岗岩样品；步骤2、对步骤1中采集的花岗岩样品进行前处理和晶质铀矿单矿物分选，得到花岗岩样品晶质铀矿颗粒；步骤3、对上述步骤2中得到的花岗岩样品晶质铀矿颗粒进行扫描电镜观察；步骤4：对上述步骤3中优选出的花岗岩样品晶质铀矿颗粒进行铀元素价态光电子能谱测试，得到晶质铀矿中U
铀矿晶质花岗岩样品逸度岩浆估算扫描电镜观察光电子能谱采集测试分析测试误差地质技术直接测试单矿物前处理铀元素分选价态矿物花岗岩测试

[实用新型]一种压花晶质玻璃-CN97224053.5无效
发明人：邵新龙 -专利权人：邵新龙
申请日： 1997-08-15 - 公布日： 1999-04-28 - 主分类号： C03C25/00 文献下载
摘要：本实用新型属装饰玻璃制造技术领域,特别是涉及一种压花晶质玻璃。包括晶质玻璃板体,其特征在于晶质玻璃板体的单面或双面之局部或全部压、铸有深浅不同的图形,所述的图形包括字符图形,所述的晶质玻璃板体包括无色透明和彩色晶质玻璃板体。由于晶质玻璃的对光反射和折射性能很好,故压、铸的图形更具装饰作用。
一种压花玻璃

[发明专利]一种石墨提纯方法-CN201810497334.2在审
发明人：赵文渊 -专利权人：赵文渊
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C01B32/215 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨提纯方法，所述提纯方法包括如下步骤：1)以隐晶质石墨含量为65～73％的低品位隐晶质石墨为原料，进行超细粉碎处理至矿样的粒径为45μm以下；2)将经步骤1)超细粉碎处理后的隐晶质石墨置于反应釜中，加入氢氧化钠、偏硼酸钠和水，150～260℃下反应2～3h进行碱熔处理；3)将经步骤2)碱熔后的隐晶质石墨进行酸浸，所述酸浸的过程为：将经步骤2)碱熔后的隐晶质石墨水洗至pH为7.5～7.8，一次加酸本发明以隐晶质石墨含量为65～73％的低品位隐晶质石墨为原料，通过超细粉碎‑反应釜碱熔‑酸浸工艺，获得隐晶质石墨含量大于等于99.0％的高品位隐晶质石墨，使得隐晶质石墨的应用更广阔。
隐晶质石墨碱熔超细粉碎石墨提纯低品位反应釜酸浸静置沉降偏硼酸钠氢氧化钠酸浸工艺次加酸搅匀矿样粒径提纯品位应用

[发明专利]基于纤维素的共晶凝胶电解质、其制备方法和应用-CN202211644526.4在审
发明人：王世力 -专利权人：重庆太蓝新能源有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纤维素的共晶凝胶电解质、其制备方法和应用。所述制备方法包括：步骤(1)将锂盐溶于共晶有机溶剂，得到共晶电解质；其中，所述共晶有机溶剂为单溶剂；步骤(2)向所述的共晶电解质中加入纤维素，得到所述的基于纤维素的共晶凝胶电解质。本发明提供的基于纤维素的共晶凝胶电解质的制备方法简单，制备过程不涉及聚合交联反应，反应条件在室温，干燥环境即可。而且，基于纤维素的共晶凝胶电解质具备较高的锂盐溶解能力，提升了电解质的电导率降低了电解质和负极的界面阻抗。
基于纤维素凝胶电解质制备方法应用

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