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[发明专利]受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法-CN202310837986.7在审
发明人：王超;刘朝峰;程俊义;郭建政 -专利权人：深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法,该方法包括：获取与待预测件成分和组织类似的试样件进行恒温晶粒长大实验，获得实验后的晶粒尺寸数据；根据所述实验中每个温度下预设保温时间的晶粒尺寸数据拟合得到饱和晶粒尺寸方程的待定参数；采用所有实验晶粒尺寸数据拟合受饱和晶粒尺寸控制的晶粒长大方程的待定参数；利用有限元软件对待预测件的热处理过程进行模拟，将模拟得到的温度变化历史数据输入晶粒长大模型预测晶粒尺寸。该受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法，解决了传统晶粒生长模型中晶粒无限长大的问题，实现了热处理过程中晶粒生长的准确预测。
饱和晶粒尺寸控制合金生长预测方法

[发明专利]连铸坯加热过程奥氏体晶粒长大行为的预测方法-CN202010362550.3在审
发明人：祭程;朱苗勇;魏子健;陈天赐 -专利权人：东北大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一种连铸坯加热过程奥氏体晶粒长大行为的预测方法，属于连铸过程预测方法领域。该连铸坯加热过程奥氏体晶粒长大行为的预测方法，包括：对连铸坯取样，在不同加热温度、保温时间条件下，通过模拟连铸坯进入加热炉过程，然后淬火、打磨、腐蚀后得到高温奥氏体晶粒。针对微合金钢连铸坯断面大，加热过程铸坯具有温度梯度特点，通过对经典奥氏体晶粒长大模型参数进行修正，得到微合金钢连铸坯等温奥氏体晶粒长大预测模型与非等温奥氏体晶粒长大预测模型，通过模型可以准确实现微合金钢连铸坯等温条件与非等温条件下奥氏体长大晶粒行为的预测
连铸坯加热过程奥氏体晶粒长大行为预测方法

[发明专利]一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法-CN202111142666.7在审
发明人：刘延星;李润华;柯志江;张超 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法，该方法包括以下步骤：(1)生成初始微观组织；(2)模拟晶粒长大行为。本发明是一种基于物理机制的晶粒长大行为模拟方法，可以准确地模拟GH4169合金晶粒长大行为，为合理制定GH4169合金热处理工艺提供技术支撑。
一种模拟 gh4169 合金晶粒长大行为自动机方法

[发明专利]用于优化M50NiL钢渗碳淬火工艺的晶粒长大预测方法-CN201811120736.7有效
发明人：兰箭;华林;毛华杰;钱东升 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于优化M50NiL钢渗碳淬火工艺的晶粒长大预测方法，本发明通过建立M50NiL钢奥氏体晶粒长大模型，对渗碳过程中的晶粒长大进行预测，从而对各项热处理前的晶粒尺寸提出具体要求。为达到指定渗层深度优化渗碳工艺参数，既能节约工艺实验时间，降低成本，又能避免零件在长时间的渗碳过程中晶粒的快速长大，从而提高零件的机械性能，延长其使用寿命。
用于优化 m50nil 渗碳淬火工艺晶粒长大预测方法

[发明专利]防止超细硬质合金烧结过程中WC晶粒长大的方法-CN200610020550.5无效
发明人：罗达成;黄新;何跃进 -专利权人：自贡市天恒合金应用技术有限公司
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：该发明属于硬质合金生产中防止超细硬质合金烧结过程中WC晶粒长大的方法。该方法包括采用Co与WC固溶体合金粉作为粘结剂与WC原料粉及＜1.0wt％总配料量的晶粒长大抑制剂湿磨混合、掺胶压坯、烧结。采用该方法，在烧结过程中作为主原料的超细WC不能再溶入Co相中，从而阻断了常规方法在烧结过程中超细WC晶粒的溶解－析出机制，其晶粒不会发生再结晶长大；同时可在共晶成分熔点附近迅速生成液相完成烧结，其烧结温度亦可相应降低因而本发明不但可从多方面有效防止超细硬质合金制品在烧结过程中晶粒长大、而且在部分制品生产中还可不需添加晶粒长大抑制剂等特点。
防止硬质合金烧结过程 wc 晶粒长大方法

[发明专利]一种超细/纳米晶硬质合金粘结相及制备和应用-CN201310184283.5有效
发明人：李荐;黄道远;周宏明;黄祖琼;杨俊;陈宝荣 -专利权人：中南大学
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C22C29/08 文献下载
摘要：本发明所述的粘结相是由基体金属和晶粒长大抑制剂组成，晶粒长大抑制剂在基体金属中均匀分布；粘结相的粒度为0.2μm-10μm；所述均匀分布为分子级均匀分布；基体金属：晶粒长大抑制剂=92～99.5:0.5该粘结相是将晶粒长大抑制剂均匀溶解到粘结相基体金属熔液中，得到的。用该粘结相与WC硬质相经球磨混合、干燥、成型、脱胶、烧结，制得超细/纳米晶硬质合金产品。本发明解决了现有技术存在的工业规模化生产难度较大、成本高、WC晶粒异常长大的难题。
一种纳米硬质合金粘结制备应用

[发明专利]一种多相钢晶粒长大及相变行为的原位表征实验方法-CN201910638264.2在审
发明人：申勇峰;王竟;董鑫鑫;薛文颖;贺康康 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01N25/02 文献下载
摘要：本发明属于多相钢领域，具体涉及一种多相钢晶粒长大及相变行为的原位表征实验方法。该方法结合DIL805A/D相变仪与激光共聚焦显微镜的设备特点，设计阶梯式高温金相原位观察方案，并通过实验结果观察对奥氏体晶粒尺寸、马氏体相变行为规律分别进行统计，通过模拟计算公式，拟合符合实验规律的晶粒长大趋势图本发明采用高温金相观察方法对一种TRIP钢在高温下原位观察的方法研究其晶粒长大，更清晰、更精确地揭示晶粒形核和长大的动态过程，为控制相变后的组织形貌提供理论基础。
晶粒长大多相钢马氏体相变原位表征原位观察激光共聚焦显微镜奥氏体晶粒动态过程晶粒形核控制相变理论基础模拟计算设备特点实验规律行为规律组织形貌阶梯式趋势图观察拟合清晰统计研究

[发明专利]一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法-CN201010145898.3无效
发明人：张立;吴厚平;陈述;熊湘君 -专利权人：中南大学
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法，属于粉末冶金与材料学领域。超细、纳米WC粉末中WC晶粒异常长大必然会导致超细、特级超细硬质合金中WC晶粒异常长大，从而导致合金性能的明显降低。本发明通过对W+C混合料进行掺杂处理实现对超细、纳米WC粉末制备过程中，即超细、纳米W粉末碳化过程中WC晶粒异常长大行为的有效抑制。
一种抑制纳米 wc 粉末晶粒异常长大方法

[发明专利]粗单晶碳化钨的制备方法-CN201310368098.1在审
发明人：李玉玺;颜维;蓝云;卢先华;易长宾;韦志忠 -专利权人：自贡长城硬面材料有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C01B31/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种粗单晶碳化钨的制备方法，其原料组份配比为钨粉：50-94份，碳黑：3-10份，铝热反应剂：0-30份，晶粒长大促进剂：0-10份。本发明通过钨粉的精选、以及其他组分的优选和组合。采用高温碳化和铝热反应的瞬间超高温及长时间高温反应和晶粒长大促进剂促进晶粒发育长大，制备的碳化钨晶粒发育完整、粗大，颗粒尺寸可达420-5μm。
粗单晶碳化制备方法

[发明专利]一种模拟金属粉末状材料晶粒长大行为的方法-CN201810061818.2在审
发明人：习小慧;王金亮;艾峥嵘;魏亮亮;薛文颖 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料领域，公开了一种模拟金属粉末状材料晶粒长大行为的方法，在尺寸为φ5～10×3的待观察试样基体上利用线切割设备切割一个与基体部分连接的φ0.2～0.5的孤岛状区域，利用“孤岛状区域”模拟粉末状材料并利用高温激光共聚焦显微镜原位观察块状金属基体和粉末状金属材料的晶粒长大行为本发明制备的试样将块状和粉末状材料结合在一起，克服了粉末状试样不能单独进行高温激光共聚焦观察的难题，而且利用高温激光共聚焦原位观察块状和粉末状金属材料的晶粒长大行为。本发明提供的制备方法工艺简单，易于操作，成本低廉；本发明提出的利用高温激光共聚焦原位观察粉末状金属材料晶粒长大行为为粉末状材料晶粒长大行为的研究提供了新的思路。
晶粒长大粉末状材料粉末状金属材料激光共聚焦原位观察模拟金属孤岛状激光共聚焦显微镜金属材料领域制备方法工艺线切割设备块状金属试样基体观察制备切割研究

[发明专利]抑制陶瓷材料晶粒长大的方法及其应用-CN202010003947.3有效
发明人：杨志宾;史明亮;葛奔;靳现林;雷泽;雷启龙 -专利权人：神华新能源有限责任公司;中国矿业大学（北京）
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明提供了一种抑制陶瓷材料晶粒长大的方法及其应用。本发明提供的抑制陶瓷材料晶粒长大的方法包括将1)陶瓷材料的纳米粉体与微米粉体混合，得到混合粉体；2)将所述混合粉体制备成坯体；3)将所述坯体煅烧，得到所述陶瓷材料。采用本发明的方法制备的陶瓷材料有利于烧结致密化，抑制晶粒长大，同时提高材料的性能和强度。
抑制陶瓷材料晶粒长大方法及其应用

[发明专利]一种高致密度细晶粒钨基材料的制备方法-CN201811584881.0在审
发明人：章林;李星宇;董岩皓;曲选辉;秦明礼;王光华;龙莹;邬均文 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明属于粉末冶金技术领域，涉及一种高致密度细晶粒钨基材料的制备方法，方法为：S1.将稀土族的盐和聚合物用液相化学法制备粉末前驱体：S2.采用高能分散进行解团聚处理得到分散均匀的掺杂钨粉，再进行冷等静压成形,得到成形坯；S3.采用两步烧结工艺制备高高致密度细晶粒钨基材料。基于无压烧结，强化金属钨烧结过程和控制钨晶粒长大。抑制烧结后期的晶粒长大来源于两个方面：一是利用第二相的弥散强化效果，二是低温两步烧结法利用晶界扩散和晶界迁移动力学的差异以控制晶粒长大。不仅可以降低金属钨的烧结致密化温度，还能有效防止钨晶粒的非均匀长大，获得具有高密度、晶粒小、热力学性能高的纳米晶均匀结构的金属钨材料。
晶粒长大钨基材料金属钨细晶粒制备晶粒粉末冶金技术冷等静压成形弥散强化效果粉末前驱体两步烧结法烧结致密化液相化学法分散均匀工艺制备晶界扩散均匀结构两步烧结烧结过程无压烧结聚合物烧结成形坯第二相动力学非均匀解团聚纳米晶热力学稀土族晶界钨粉掺杂迁移

[发明专利]一种使熔体抽拉Ni-Mn-Ga-Fe金属纤维晶粒长大的方法-CN201710195933.4有效
发明人：刘艳芬;张学习;孙剑飞 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：一种使熔体抽拉Ni‑Mn‑Ga‑Fe金属纤维晶粒长大的方法，涉及一种使金属纤维晶粒长大的方法。是要解决熔体抽拉法制备的合金纤维存在形状记忆应变值和磁性能较低的问题。采用电火花线切割机切割成圆柱形铸锭；二、将铸锭放入丙酮中超声，清洗，烘干；三、使用熔体抽拉法制备合金纤维，挑选直径均匀的合金纤维进行超声清洗，然后用真空退火炉对纤维进行真空退火处理，取出退火后的纤维，即完成晶粒增长的方法可快速使晶粒长大，本发明的热处理时间仅为5‑10min，避免繁琐冗长的热处理过程，且真空氩气保护下纤维不会形成氧化层。本发明用于使金属纤维晶粒长大。
一种使熔体抽拉 ni mn ga fe 金属纤维晶粒长大方法

[发明专利]一种风电用齿轮钢及其生产方法-CN202310009859.8在审
发明人：刘兵;赵冠夫;戈文英;梁娜;任琪;关义利;马传庆 -专利权人：山东钢铁股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明属于齿轮钢技术领域，具体而言，本发明涉及一种风电用齿轮钢及其生产方法，本发明采用Al、Nb、N复合微合金化以保证钢中生成AlN、NbN第二相粒子，在渗碳热处理过程中起到钉扎晶界，阻止晶粒长大。由于AlN、NbN第二相粒子的数量影响晶粒长大的程度，为保证钢中生成足量的AlN、NbN第二相粒子，将钢中的Alt/[N]控制在2～4范围内。另外本发明将复合元素对晶粒长大的作用通过简单的线性公式来表达，保证了风电用齿轮钢组织的稳定性，有效避免了锻件经过温度950～1000℃、时间15～40h的渗碳热处理后晶粒的长大以及出现混晶现象。
一种风电用齿轮及其生产方法

[发明专利]一种超大晶粒的铂薄膜及其制备方法-CN202210262574.0在审
发明人：蒲健;陈茂;冯江涛;池波 -专利权人：江苏精瓷智能传感技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜的技术领域，尤其涉及一种超大晶粒的铂薄膜及其制备方法。使用常规的磁控溅射方法制备铂薄膜，并使用氩气和氧气的混合气体作为溅射载气，通过调节溅射时氩气和氧气混合气体中氧气的含量，进而调节沉积态铂薄膜中的“氧含量”，并与薄膜后续的热处理温度和热处理气氛相配合，主要调整薄膜晶粒长大过程中的表面能和应变能，使得其在热处理的某一阶段，具有特定取向的晶粒具有热力学或动力学方面的生长优势，从而不断消耗周围的小晶粒而异常长大，直至异常长大的晶粒相互接触，最终获得晶粒尺寸大、且晶粒分布均匀的铂薄膜。
一种超大晶粒薄膜及其制备方法

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