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[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[发明专利]温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110295345.0无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
温度制作高效率基材薄膜太阳能电池

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池-CN201110285753.8无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、P型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、N型氢化微晶硅薄膜、第二透明导电层与金属背电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
结合氢化氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池

[发明专利]叠层布线和利用该叠层布线的半导体器件及其制造方法-CN200710088746.2有效
发明人：田中淳;加纳博司 -专利权人：日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅TFT(薄膜晶体管)中，微晶硅薄膜被构造，使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少；或者使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的50％或更小的晶粒，总计为构成微晶硅薄膜的晶粒总数的85％或更多。
布线利用半导体器件及其制造方法

[发明专利]微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法及其应用-CN202310330648.4在审
发明人：高磊;张衡;屈庆源;王青松;吴海红 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明提供了一种微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，采用微晶硅薄膜晶化率测试样品作为拉曼基底进行拉曼光谱测试，所述微晶硅薄膜晶化率测试样品按照待研究的微晶工艺条件沉积在测试基底上的。所述微晶硅薄膜晶化率测试样品包括衬底和层叠于衬底上的本征氢化非晶硅膜。区别于传统衬底，本发明微晶硅薄膜晶化率测试基底具有本征氢化非晶硅膜，能够有效解决传统衬底影响微晶硅薄膜生长或诱导微晶硅薄膜结晶的缺点。从而本发明微晶硅薄膜晶化率测试样品能够准确地测定微晶硅薄膜的晶化率，进而监控微晶太阳电池硅薄膜的晶化率，为工艺调试中提供数据支撑，从而制备出高光电转化效率的太阳能电池。
微晶硅薄膜沉积工艺研究方法及其应用

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110285754.2无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
结合氢化氦化硅制作基材薄膜太阳能电池

[发明专利]多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法-CN201410203194.5在审
发明人：刘政 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，可使多晶硅结晶均匀，并增大晶粒尺寸，使结晶质量提高，从而使得薄膜晶体管的电学性能得到提升。该多晶硅薄膜的制备方法包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜；采用准分子激光退火方法对非晶硅薄膜进行处理，使非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜；进一步的在形成非晶硅薄膜之后，采用准分子激光退火方法对非晶硅薄膜进行处理之前，所述方法还包括：对非晶硅薄膜的表面进行镍盐溶液处理，使镍盐溶液均匀涂于非晶硅薄膜的表面。用于需要提高多晶硅结晶均匀，并增大晶粒尺寸，使结晶质量提高的多晶硅薄膜、低温多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备。
多晶薄膜薄膜晶体管阵列制备方法

[实用新型]一种硅基异质结太阳电池-CN201020102974.8无效
发明人：倪开禄;彭德香;陶然;张正权;沈文忠;司新文;张剑;孟凡英;彭铮;李长岭;高华;李正平;周红芳 -专利权人：上海超日太阳能科技股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基异质结太阳电池，结合了晶体硅与薄膜材料的特点，包括自上而下叠层结合的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，n型非晶硅碳薄膜层与n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，n型非晶硅薄膜层与n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，从而形成一种非晶硅碳/非晶硅/微晶硅/晶体硅太阳电池结构，有利于减弱非晶硅薄膜的光致衰减效应，提高太阳电池的稳定性；利用不同带隙半导体材料组成的窗口效应
一种硅基异质结太阳电池

[发明专利]低温多晶硅薄膜制作方法-CN200710073193.3无效
发明人：叶冠华;吴宏基;黄荣龙 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2007-02-02 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜制作方法，其包括以下步骤：提供一基板，并在该基板上形成一缓冲层；在该缓冲层上沉积一第一非晶硅薄膜；通过一微影/刻蚀工艺，刻蚀该第一非晶硅薄膜，在该缓冲层上保留多个分散的非晶硅颗粒；在该缓冲层上沉积一覆盖该非晶硅颗粒的第二非晶硅薄膜；对该第二非晶硅薄膜进行再结晶工艺，使该第二非晶硅薄膜熔融后以该多个非晶硅颗粒为晶种再结晶，形成一多晶硅薄膜。
低温多晶薄膜制作方法

[发明专利]一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法-CN200810240124.1无效
发明人：周志文;曾祥斌;宋佩珂 -专利权人：广东志成冠军集团有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种实时检测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，在非晶硅薄膜晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。本发明实施简单，并且可以在非晶硅薄膜晶化的过程中反映其晶化程度。
一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导方法

[发明专利]非晶硅薄膜形成方法-CN202110709272.9在审
发明人：朱黎敏;陆涵蔚;华光平;徐云;张博 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种非晶硅薄膜形成方法，涉及半导体集成电路领域。该非晶硅薄膜形成方法包括在半导体衬底表面形成底层非晶硅薄膜；进行n次成膜工艺处理，在所述底层非晶硅薄膜表面形成n组层叠的薄膜结构，每组薄膜结构由一层氧化硅薄膜和一层非晶硅薄膜堆叠构成；解决了采用现有工艺形成的非晶硅薄膜在高温下电阻值容易发生变化的问题；达到了稳定非晶硅薄膜在高温下的电阻值，避免红外器件因非晶硅薄膜电阻变化而失效的效果。
非晶硅薄膜形成方法

[发明专利]一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置-CN201710499560.X有效
发明人：郭小伟;王大帅;杨承;李绍荣;邹渝 -专利权人：南京新创力光电科技有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开的一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置，包括：提供衬底，在所述衬底上设置非晶硅薄膜，在所述非晶硅薄膜上设置单晶硅薄膜，利用激光束透过所述衬底对所述非晶硅薄膜进行扫描，所述激光束到达所述非晶硅薄膜时，所述非晶硅薄膜上与所述单晶硅薄膜相接触的部位最先被所述激光束扫描到，以所述单晶硅薄膜作为籽晶层，所述非晶硅薄膜在所述激光束的作用下熔融再结晶，形成多晶硅薄膜；本发明制备出的多晶硅的质量趋近于单晶硅，适用于半导体材料制造领域
一种质量多晶薄膜制备方法装置

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制造方法、晶体管和显示装置-CN201010180971.0无效
发明人：金原奭;金馝奭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜及其制造方法、晶体管和显示装置，其中，低温多晶硅薄膜的制造方法包括：提供一基板，并在所述基板上形成一缓冲层；在缓冲层之上沉积第一非晶硅薄膜；在第一非晶硅薄膜之上涂覆催化剂颗粒；沉积第二非晶硅薄膜，所述第二非晶硅薄膜覆盖所述第一非晶硅薄膜和催化剂颗粒；对所述第一非晶硅薄膜和第二非晶硅薄膜进行结晶化，使之结晶形成低温多晶硅薄膜。本发明解决了现有技术中存在的低温多晶硅薄膜制得的晶体管漏电的问题，有效抑制了关态电流的发生。
低温多晶薄膜及其制造方法晶体管显示装置

[发明专利]低温多晶硅薄膜及晶体管的制备方法、激光晶化装置-CN201610023998.6在审
发明人：许晓伟;李小龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法、激光晶化装置，属于显示技术领域。本发明的低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：在基底上方形成非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退火，以及对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火，以形成低温多晶硅薄膜。由于本发明的低温多晶硅薄膜的制备方法不仅可以对非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退火，而且还对基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火，对基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火的可以对非晶硅薄膜进行保温，这样可以延长多晶硅的结晶时间，可获得更大尺寸的晶粒，提高载流子迁移率，降低漏电流。
低温多晶薄膜晶体管制备方法激光化装

[发明专利]一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统-CN201910519969.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统，晶硅电池包括分别设置于所述晶硅电池的正面和/或背面的导电薄膜层，所述导电薄膜层包括TCO层和至少一层的金属薄膜层，所述金属薄膜层设置在所述TCO层上。该晶硅电池通过在晶硅电池的正面和/或背面设置金属薄膜层来部分替代现有技术中的导电氧化物薄膜层，降低了晶硅电池的成本，并可提升晶硅电池的导电性能。
晶硅电池金属薄膜层导电薄膜层太阳能系统硅电池种晶导电氧化物薄膜背面设置导电性能替代

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