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[发明专利]一种异质结太阳能电池-CN201510562649.7有效
发明人：杨与胜;王树林;张超华;庄辉虎;罗骞;宋广华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池，包括：n‑型单晶硅片，设在n‑型单晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的n‑型非晶硅薄膜层，设在n‑型非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极；设在n‑型单晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜层；设在第二本征非晶硅薄膜层上的p‑型非晶硅薄膜层，设在p‑型非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层，设在第二透明导电薄膜层上的金属栅线背电极。
一种异质结太阳能电池

[实用新型]一种异质结太阳能电池-CN201721524208.9有效
发明人：张超华;王树林;杨与胜 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。
本征非晶硅薄膜掺杂非晶硅薄膜异质结太阳能电池透明导电薄膜层导电薄膜层金属箔膜金属焊盘电池转换效率本实用新型背面电极电池串联电池电极金属焊接银浆栅线前电极电阻减小生产成本

[发明专利]改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法-CN200710150230.6有效
发明人：张晓丹;赵颖;熊绍珍;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其是将玻璃衬底放在真空室内；采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层微晶硅薄膜；采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜，根据P层微晶硅薄膜沉积后对的腔室环境，对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，达到对随后生长的I层本征微晶硅薄膜中硼浓度的有效控制，并控制I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在10¹⁶这样利用单室沉积和原位的补偿实现本征微晶硅薄膜质量的改善，既不增加新的设备改造投资，又避免了交叉污染的难点，同时还有效提高电池效率。
改善沉积征微晶硅薄膜制备方法

[发明专利]一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法-CN202011551208.4在审
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法，其中，非晶锗硅薄膜结构，包括：U型非晶锗硅薄膜结构，在该U型非晶锗硅薄膜结构的下方、外侧和内侧均设置有高阻非晶硅层。在本发明的中，采用了U型的嵌套结构，通过将大部分的非晶锗硅薄膜层用高阻非晶硅层覆盖住，从而避免受到接触膜层、相关工艺的影响，实现高质量的产品特性。
一种非晶锗硅薄膜结构集成以及制造方法

[发明专利]氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法-CN200710020383.9有效
发明人：班群 -专利权人：江苏林洋新能源有限公司
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法，产品包括在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上设有第一层Ag/Cr电极，在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上依次设置掺硼的p型氢化非晶硅薄膜、本征的i型氢化非晶硅薄膜、掺磷的n型氢化非晶硅薄膜，第一层Ag/Cr电极穿过掺硼的p型氢化非晶硅薄膜层，并伸入本征的i型氢化非晶硅薄膜中，在掺磷的n型氢化非晶硅薄膜上设置SnO₂透明导电薄膜层，在SnO₂透明导电薄膜层上设置第二层Ag/Cr电极。本发明在廉价的衬底上制备pin结构微晶硅薄膜太阳电池，稳定后的器件转换效率衰减不超过初始效率的10％，有效提高了氢化非晶硅薄膜太阳电池的使用稳定性。
氢化非晶硅薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]微晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201310332660.5无效
发明人：张津燕;胡安红;曲铭浩;郁操;杨少飞;徐希翔 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法，包括：提供基板，在所述基板表面沉积导电层，在所述导电层表面沉积至少包括微晶硅电池的电池层，采用分步式阶梯沉积法沉积所述微晶硅电池的微晶硅薄膜发电层。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法，通过多步沉积、优化微晶硅薄膜质量，能够在7A/s以上的沉积速率下，制备出转换效率在12％以上的非晶硅/微晶硅叠层电池。
微晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜-CN201410631331.5在审
发明人：张隆贤;余威 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法、低温多晶硅薄膜的制备装置及低温多晶硅薄膜。所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括：提供一基板；形成一层非晶硅薄膜；用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态；所述非晶硅薄膜自温度较低的区域为起点向温度较高的区域结晶，以形成所述低温多晶硅薄膜。本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜的制备装置制备出的低温多晶硅薄膜具有较大的晶粒及较高的电子迁移率。
低温多晶薄膜制备方法设备

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置-CN201510095020.6有效
发明人：牛亚男;刘超;贺增胜;陈蕾;张玉军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置，由于非晶硅薄膜上覆盖有氧化硅薄膜，利用氧化硅薄膜作为保温层，使非晶硅薄膜的温度可以得到保持，有利于非晶硅的晶化。由于预设区域是要形成低温多晶硅薄膜的区域，因此位于预设区域内的氧化硅薄膜的厚度较厚，以较好的保持晶化处理时预设区域内的非晶薄膜的温度，从而保证预设区域内形成的多晶硅的晶粒尺寸较大；并且，在除了预设区域之外其它区域内的氧化硅薄膜的厚度较薄，可以避免其它区域内的非晶硅薄膜的温度的温度急剧下降、造成预设区域边界处晶化环境不稳定，从而影响预设区域边界处形成的多晶硅的晶粒尺寸的均匀性。
低温多晶薄膜制备方法薄膜晶体管显示装置

[发明专利]非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法-CN201210088816.5无效
发明人：曹权;周天微;左玉华;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法及该方法制备的非晶硅薄膜中间带材料，所述包括以下步骤：选择衬底的材料并对衬底进行预处理；在预处理过的衬底表面生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜；对生长完成的非晶硅薄膜进行退火本发明利用磁控溅射设备，化学气相沉积设备等薄膜生长设备，在晶硅、石英、玻璃、不锈钢等很多可以生长薄膜的衬底上，通过对生长条件的控制，实现杂质在非晶硅中的高浓度均匀掺杂，从而形成良好的非晶硅薄膜中间带材料
非晶硅薄膜中间材料及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜-CN201810697432.0在审
发明人：高超飞;葛晶涛;刘旭亮;沈文涛;张明照 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜，解决了现有技术中的多晶硅薄膜因在制备过程中结晶质量较低、多晶硅晶粒小、尺寸不均匀而导致的薄膜晶体管电学性能不佳的问题。本发明提供的多晶硅薄膜的制备方法包括：在衬底上形成非晶硅薄膜；采用第一溶液对非晶硅薄膜进行处理，第一溶液中溶有镍盐和臭氧；及对经过第一溶液处理的非晶硅薄膜进行晶化处理以形成多晶硅薄膜。
多晶硅薄膜非晶硅薄膜制备薄膜晶体管多晶硅晶粒电学性能晶化处理溶液处理制备过程不均匀衬底镍盐臭氧

[实用新型]一种异质结太阳能电池及其模组-CN201620801907.2有效
发明人：杨与胜;王树林;张超华;庄辉虎 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池及其模组，包括n‑型单晶硅片，设在n‑型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极；设在n‑型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层，设在第二透明导电薄膜层上的复合金属薄膜层，设在复合金属薄膜层上的金属主栅背电极。
一种异质结太阳能电池及其模组

[发明专利]固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法-CN201010173784.X有效
发明人：田汉民;田学民;王伟;杨帆;杨瑞霞;赵红东;王立发 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、染料敏化纳米晶多孔膜、微晶硅空穴传输层和背电极构成；所述染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在透明导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，由铝或铜构成的膜被镀在固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜上形成背电极。本发明将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料相互匹配复合，所制得的固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高的缺点
固态染料纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种纳米晶硅薄膜太阳能电池的制备方法-CN201710006430.8有效
发明人：黄仕华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，通过调控纳米晶硅薄膜的制备工艺参数，改变纳米晶硅薄膜带隙宽度，以带隙宽度逐渐变化的纳米晶硅薄膜为本征层，改善电池的光吸收，一微晶氧化硅为窗口层，减少电池的非激活层的光吸收损失，最大限度地提高电池的光电转换效率，在玻璃衬底上制备了结构为银电极/p型微晶氧化硅/带隙渐变的纳米晶硅/n型纳米硅/ITO导电玻璃的硅基薄膜电池，光电转换效率为9.05%，相比于非晶硅薄膜电池而言，电池的稳定性得到了大幅地提高
一种纳米薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法-CN201710632848.X在审
发明人：张景文;王进军;陈旭东;李洁琼;王晓亮;卜忍安;王宏兴;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C23C16/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，通过在硅晶圆衬底表层下形成氢层，然后再在形成氢层的硅晶圆衬底表层上生成金刚石薄膜，然后通过电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜，在自撑金刚石薄膜表面形成了一层便于修复平整加工余量的硅晶圆衬底层，避免造成剥离过程中金刚石薄膜受损，通过从形成氢层的硅晶圆衬底处进行剥离，节省了硅晶圆衬底的成本，避免了硅晶圆衬底材料的浪费，可对剥离后的硅晶圆衬底重复利用，本方法简单快捷，剥离效率高，对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，大大提高了金刚石薄膜表面的平整度。
一种基于衬底金刚石薄膜制备方法

[发明专利]一种制备多晶硅薄膜太阳电池的方法和装置-CN200810135203.6无效
发明人：范振华 -专利权人：东莞宏威数码机械有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种制备多晶硅薄膜太阳电池的方法和装置，包括：提供一基板；在所述基板上沉积前电极并进行刻蚀；在所述前电极上沉积非晶硅薄膜；照射所述非晶硅薄膜使其到达熔点温度，融化形成一定深度的融层后停止照射；当非晶硅薄膜结晶时，减小所述非晶硅薄膜和所述基板间温度差别，晶化为具有较大晶粒的多晶硅薄膜；刻蚀所述多晶硅薄膜；在所述多晶硅薄膜上沉积背电极；刻蚀所述多晶硅薄膜和所述背电极；将基板、前电极、多晶硅薄膜、
一种制备多晶薄膜太阳电池方法装置