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[发明专利]建立铸造奥氏体不锈钢等轴晶声学特性计算模型的方法-CN201310224387.4有效
发明人：陈尧;罗忠兵;刘丽丽;张东辉;林莉;陈春林;赵天伟;陈军 -专利权人：核工业工程研究设计有限公司;大连理工大学;中国核工业二三建设有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明涉及粗晶奥氏体材料的无损检测领域。为提高铸造奥氏体不锈钢的等轴晶声学特性计算模型的仿真精度，降低建模成本，本发明提出一种建立铸造奥氏体不锈钢等轴晶声学特性计算模型的方法，取试样并统计晶粒平均直径d实；进行超声检测并计算声速和衰减系数；建立模拟检测模型，等轴晶晶粒模型的平均直径d模＝d实，设定等轴晶晶粒模型的晶界和晶内弹性参数，密度ρ晶界和ρ晶内，ρ晶界＝ρ晶内，拉梅常数λ晶界和λ晶内及μ晶界和μ晶内，λ晶界≠λ晶内或μ晶界≠μ晶内；进行仿真实验，计算声速误差
建立铸造奥氏体不锈钢声学特性计算模型方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310340307.5在审
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：外延发光结构及电极结构，所述电极结构包括设于所述外延发光结构上的金属反射层，所述金属反射层包括第一反射层，所述第一反射层包括层叠设置的第一结构层及第二结构层，所述第一结构层及所述第二结构层的晶粒取向对称设置，以使所述第一反射层中的第一结构层及第二结构层的晶界与导线电流方向垂直。通过将电极结构中的金属反射层设置成包括第一结构层及第二结构层的第一反射层，同时通过控制第一结构层及第二结构层的晶粒取向对称设置，使得第一反射层中的第一结构层及第二结构层的晶界与导线电流方向垂直，从而有效改善在晶界及界面处产生的电迁移
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种钕铁硼磁体高效晶界扩散的方法-CN202211424036.3在审
发明人：杨鑫童;曹帅;武腾飞;谢宇恒;丁广飞;郭帅;陈仁杰;闫阿儒 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钕铁硼磁体高效晶界扩散的方法。所述方法包括：对钕铁硼磁体进行氢化处理，制得吸氢钕铁硼磁体；使用扩散源对所述吸氢钕铁硼磁体进行晶界扩散处理，制得晶界扩散钕铁硼磁体；以及，对所述晶界扩散钕铁硼磁体进行时效处理，从而获得高效晶界扩散的钕铁硼磁体本发明通过氢化处理使氢原子进入晶界相形成晶界缺陷构造高效扩散通道，有效提升重稀土元素的扩散深度及扩散均匀性，并且操作简单便于生产应用。
一种钕铁硼磁体高效扩散方法

[发明专利]一种基于像素关系的金相组织晶界提取方法-CN202210307510.8在审
发明人：谢植;王玉晗;孟红记;何庆 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06T7/13 文献下载
摘要：本发明一种基于像素关系的金相组织晶界提取方法，属于图像处理技术领域，该方法包括以下步骤：获取待提取晶界的金相图像；对金相图像进行预处理，得到预处理后的金相图像；对预处理后的金相图像根据灰度值分为晶界部分和晶粒部分，对晶界部分进行骨架化处理，将其细化到单个像素宽度；提取预处理后的图像中的碳化物轮廓；对碳化物轮廓与骨架化后的图像进行合并，获得合并后的图像；对合并后的图像进行恢复和重建，得到重建后的晶界；对重建后的晶界根据邻域数量拆分成端点、交叉点和线段点三部分；根据拆分后晶界的像素关系提取出每个晶粒的晶界，本发明克服了通用晶界提取方法中提取伪晶界的问题，具有通用性和适用性。
一种基于像素关系金相组织提取方法

[发明专利]镍基单晶高温合金中不同类型稳定晶界的制备方法-CN202010424390.0有效
发明人：王尧;王栋;董加胜;姜祥伟;张健;楼琅洪 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍基单晶高温合金中不同类型稳定晶界的制备方法。该方法通过切割特定取向及夹角的籽晶对，在Bridgman定向凝固系统中制备镍基单晶高温合金，可有效控制制备的镍基单晶高温合金中含有对称(或非对称)倾侧或扭转晶界，且晶界角度可控制在0～90°之间的任意角度本发明一方面解决了使用传统工艺针对不同类型晶界制备、提取以及检测难的问题，工艺简单可靠，成本低，适用性强。同时，通过使用本发明在镍基单晶高温合金引入特定类型与角度的晶界，以便于开展晶界结构、晶界能量以及晶界对单晶合金力学性能影响等相关研究。该方法在研究含小角晶界镍基单晶高温合金变形损伤机理及镍基单晶高温合金晶界容限方面具有广阔的应用前景。
镍基单晶高温合金不同类型稳定制备方法

[发明专利]纯铜板-CN202080059341.X有效
发明人：森广行;松永裕隆 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：Sup>‑8≤X‑3Y‑1≤1×10‑5成立，在将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2
铜板

[发明专利]一种用于检测镍基单晶高温合金晶体界面稳定性的人工晶界制备方法-CN201310718439.3有效
发明人：冯强;郁峥嵘;丁贤飞;郑运荣 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一种用于检测镍基单晶高温合金晶体界面稳定性的人工晶界制备方法。该方法通过切割不同取向夹角的同种或异种材料的单晶镍基高温合金，并在待连接单晶镍基高温合金之间加入含有指定元素中间层合金箔，制备出具有0-180°之间任意指定取向夹角、含有指定元素富集层的镍基高温合金人工晶界通过所获得的人工晶界可以检测晶界取向以及指定的元素对界面稳定性的影响。该方法只要在普通的真空炉中即可实现，工艺简单可靠，成本低，适用性强，可高效率、高精度地制备任意指定取向夹角、富集指定元素的同种或异种镍基高温合金连接的人工晶界。
一种用于检测镍基单晶高温合金晶体界面稳定性人工制备方法

[发明专利]一种应用高丰度稀土Ce生产的稀土永磁体及其制备方法-CN201310035673.6有效
发明人：严密;金佳莹;马天宇;张培;梁丽萍 -专利权人：浙江大学;浙江英洛华磁业有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明基于双合金工艺，主相合金配方用Ce部分取代Nd，优化成分设计使主合金尽量形成Ce2Fe14B和Nd2Fe14B相，以保证较高的内禀磁特性；晶界重构技术制备全新的晶界相，保障较高的综合磁性能和耐蚀性，同时辅以纳米粉晶界改性方法，优化磁体的显微组织结构，改善晶界相分布，进一步提升磁性能和抗蚀性。本发明应用高丰度稀土Ce，在有效降低成本的同时促进稀土产品的产销平衡；同时晶界相辅合金的成分设计选用Pr、Nd等形成主相边界的硬磁壳层，这些元素相较于高价格重稀土元素Dy和Tb，进一步实现了成本控制。
一种应用高丰度稀土 ce 生产永磁体及其制备方法

[发明专利]一种改善钕铁硼磁体晶界扩散磁性能一致性的方法-CN201910004878.5有效
发明人：黎龙贵;石高阳;张燕;李超 -专利权人：浙江东阳东磁稀土有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及稀土磁性材料领域，尤其涉及一种改善钕铁硼磁体晶界扩散磁性能一致性的方法。所述的方法包括以下步骤：（1）将重稀土粉末与有机溶剂相互混合，得到重稀土粉末浆料，然后将其覆盖于烧结钕铁硼磁体表面，得到半成品；（2）将上述半成品放置到料盒内，并向其表面均匀铺设一层还原剂；（3）将上述装有产品及还原剂的料盒放置到真空或惰性气体的环境下进行晶界扩散处理；（4）将晶界扩散处理后的产品进行二级时效处理。本发明克服了现有技术中的钕铁硼磁体在制备过程中表面易氧化，从而导致晶界扩散磁性能一致性较差的缺陷，因而具有晶界扩散更加均一；磁性能一致性较好；具有较深的重稀土扩散深度以及较高的内禀矫顽力的优点。
一种改善钕铁硼磁体扩散磁性一致性方法

[发明专利]多层陶瓷电子组件及用于制造多层陶瓷电子组件的方法-CN202211676350.0在审
发明人：姜雄基;全炯俊;吴知燮;金正烈;金恩重 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：所述多层陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体的外部。所述介电层包括多个介电晶粒和存在于所述介电晶粒之间的晶界。所述晶界中包括的Al与Ti的摩尔比Al/Ti满足0.022至0.028的范围。
多层陶瓷电子组件用于制造方法

[发明专利]一种降低烧结钕铁硼薄片磁体不可逆损失、提高其使用温度的方法-CN201911411768.7有效
发明人：彭步庄;李广军;王帅;王娇;魏蕊 -专利权人：烟台正海磁性材料股份有限公司;江华正海五矿新材料有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明中，将烧结钕铁硼磁体夹在扩散源大块磁体之间(磁体之间紧密接触)，在热处理过程中，Re较高的磁体中的富钕相在高真空状态下发生气化形成金属气体，金属气体在薄片坯料表面形成一层膜后逐步渗透进入薄片坯料的表层，渗透进入薄片坯料表层的金属气体与薄片坯料表层原子结合形成新的合金层，并构建新的晶界，实现对薄片坯料原有受损晶界的修复；经过修复的晶界，减少Nd2Fe14B颗粒之间的直接接触，降低硬磁耦合的作用，增强晶界上的反磁化畴形核场，改善产品表面的低磁现象，进而降低磁体不可逆损失，提高产品的使用温度。
一种降低烧结钕铁硼薄片磁体可逆损失提高使用温度方法

[发明专利]多层电容器及介电组合物-CN201811053867.8有效
发明人：尹基明;金亨旭;朴宰成;咸泰瑛;权亨纯;金锺翰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：所述多层电容器包括：主体，包括介电层以及交替地设置的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体上，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极所述介电层包含BaTiO3作为主要成分，并包括多个晶粒以及相邻晶粒之间形成的晶界，基于所述晶界中的氧化物的总含量，所述晶界包含含量为8.0wt％至18.0wt％
多层电容器组合

[实用新型]一种高灵敏度的压敏电阻-CN201520653485.4有效
发明人：王在义 -专利权人：深圳盛邦传奇科技有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01C7/112 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高灵敏度的压敏电阻，包括塑胶外包装壳、内部填充晶界层、氧化锌晶粒、晶胞组成锌原子，所述塑胶外包装壳外部镶嵌有所述外部引线，所述外部引线端部开孔有所述外部接线孔，所述塑胶外包装壳内部包裹有陶瓷外壳，所述陶瓷外壳内部填充有所述内部填充晶界层，所述内部填充晶界层中镶嵌有所述氧化锌晶粒，所述氧化锌晶粒内部有所述晶胞组成锌原子，所述晶胞组成锌原子的周围是晶胞组成氧原子，所述陶瓷外壳的外表面设置有表面电极
一种灵敏度压敏电阻

[发明专利]一种基于增量学习的镍基高温合金中晶界提取方法及系统-CN202211482908.1在审
发明人：石慧;余兴;朱一妃;沈学静;贾云海;王海舟;赵雷;卢毓华 -专利权人：钢研纳克检测技术股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于增量学习的镍基高温合金中晶界提取方法及系统，包括：获取被检测目标的晶粒图像；对晶粒图像进行预处理，得到晶粒图像中晶界特征值，晶界特征识别机器学习网络模型设置依据特征值，通过基础分割网络模型参数集合得到晶界识别判断结果，若用户调整晶界识别判断结果，将调整后的晶界识别结果作为最终识别结果输出，并对晶粒图像识别机器学习模型进行优化更新；本发明通过机器学习进行晶粒图像中晶界的识别，利用多任务、多标签的增量学习方法，并根据最终识别结果与新增任务进行增量优化，持续更新迭代机器学习模型，提高算法模型的精度与泛化能力，有效提高了晶界识别的准确性，克服了以往晶界识别算法精度低、效果差的缺陷。
一种基于增量学习高温合金中晶界提取方法系统

[发明专利]一种提高磁体矫顽力的晶界扩散方法及应用-CN202310924873.0在审
发明人：汪元亮;汪维杰;朱青;刘炜烨;倪浩瀚;廖是聪;吴小洁;刘源;郭一方;曾琦勇 -专利权人：宁波松科磁材有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高磁体矫顽力的晶界扩散方法及应用。所述晶界扩散方法包括：将温度为160‑200℃的磁体置于晶界扩散剂中超声浸渗，之后进行加压浸渗、常温浸渗处理，获得浸渗磁体；以及，将所述浸渗磁体进行固化处理，之后与低熔点单质在真空条件下进行烧结处理，制得高矫顽力磁体本发明提供的晶界扩散方法可提高高温下液态金属的润湿性，降低晶界扩散温度，提高晶界扩散效率，增加晶界厚度提高磁体矫顽力，并能够增加磁体的强度、可煅性和抗张强度；同时该晶界扩散方法简单，成本低廉，有广泛的应用前景
一种提高磁体矫顽力扩散方法应用

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