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[发明专利]一种棒状NH₄V₃O₈纳米晶的制备方法-CN201310277105.7有效
发明人：谈国强;杨薇;任慧君 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C01G31/00 文献下载
摘要：一种棒状NH4V3O8纳米晶的制备方法，将NH4VO3溶于80～95℃的去离子水中得溶液A，将FeCl3·6H2O溶于去离子水中得溶液B，按照Fe与V的摩尔比为1:(1.5～3)将溶液B逐滴加入到溶液A中得到混合液，调节混合液的pH值为8，将混合液倒入水热反应釜中，将水热反应釜放入烘箱中在220℃保温16h制备出NH4V3O8。本发明采用水热方法合成了单斜相结构的NH4V3O8纳米晶，具有工艺简单，操作方便，制备周期短，目标晶体晶相结构和形貌可控的优点，且制备出的棒状NH4V3O8纳米晶具有良好的光催化活性。
一种 nh sub 纳米制备方法

[实用新型]一种超硬材料焊接刀片及其聚晶刀头-CN201220348565.5有效
发明人：张颂;李和鑫;李剑;王喜宏 -专利权人：河南富耐克超硬材料股份有限公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： B23B27/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超硬材料焊接刀片，包括基体，在基体焊接角的V形通槽处焊接有聚晶刀头，所述聚晶刀头的V形焊接凸部的两个焊接面的交汇处为倒角结构，该倒角结构与基体V形通槽的拐角部形成间隙。本实用新型将聚晶刀头V形焊接凸部的两个焊接面的交汇处设为倒角结构后，其与基体嵌合后，该倒角结构与基体V形通槽的拐角部之间就会形成间隙，这种焊接结构能够避免应力集中，从而达到减少甚或消除因应力集中产生裂纹的现象本实用新型还涉及一种超硬材料焊接刀片的聚晶刀头。
一种材料焊接刀片及其刀头

[发明专利]非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法-CN201680065829.7有效
发明人：矢野孝伸;成田悠;西嶋仁志;碓井圭太;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10‑4Ω·cm以上且8.0×10‑4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。
非晶质透明导电性薄膜以及制造方法

[发明专利]一种基于微晶硅的TFT有源矩阵制造工艺-CN201110096077.X无效
发明人：李喜峰;陈龙龙;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-04-18 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明采用的一种基于微晶硅的TFT有源矩阵制造工艺，使用微晶硅作为TFT有源矩阵的有源层材料，其制作工艺与非晶硅制作工艺相近，但是迁移率可达到2~10cm2·(V·S)-1，比非晶硅材料迁移率大了一个量级，本发明制成的微晶硅迁移率达到8.95cm2·(V·S)-1；同进微晶硅材料非常稳定，比非晶硅材料有较大的优势；并且，基于微晶硅材料的TFT有源矩阵，不用增长额外的激光退火设备成本，因此可以大量降低生产制造成本
一种基于微晶硅 tft 有源矩阵制造工艺

[实用新型]一种大尺寸晶圆片减薄系统-CN202120028345.3有效
发明人：刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种大尺寸晶圆片减薄系统，包括用于对晶圆片进行定位并使其上V型槽朝预设位置设置的定位装置；用于对定位后的晶圆片单面进行厚度减薄的减薄装置；以及用于对减薄后的晶圆片的非减薄面进行清洁的清洁装置；其中，减薄装置还可分别对放置晶圆片的减薄台和减薄后的晶圆片的减薄面进行清洗，且清洗减薄台和清洗晶圆片的减薄面非同步进行；减薄时，减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放设置；定位装置与清洁装置设于减薄装置的同侧，且定位装置、清洁装置以及减薄装置均相互独立设置。
一种尺寸晶圆片减薄系统

[发明专利]一种1，3-茚满二酮衍生物及其晶型-CN201510191738.5有效
发明人：黄维;彭成;韩波;王彪;冷海军;赵倩;李想;杨磊;谢欣 -专利权人：成都中医药大学
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： C07C205/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种式I所示1，3-茚满二酮衍生物及其晶型，该晶型属于单斜晶系，空间群为C2，晶胞参数为a＝26.781(9)，c＝10.095(4)，β＝90.227(11)°，V＝本发明式I化合物的晶型，制备工艺简单，具有一定的抗菌活性，稳定性良好，能够有效避免化合物吸湿潮解，为后期产品运输、贮藏或者制剂过程提供了极大便利。
一种茚满二酮衍生物及其

[发明专利]一种测量焊接接头热影响区断裂韧度JIC的方法-CN201410293802.6有效
发明人：芦凤桂;郭谦;崔海超;唐新华;王朋;丁玉明;刘霞 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G01N3/20 文献下载
摘要：本发明通过在三点弯曲试样上焊接热影响区粗晶区或细晶区开V型槽，有效控制裂纹扩展的方向，保证裂纹在热影响区粗晶或细晶区内扩展，从而测定出焊接接头热影响区各微区的断裂韧度。
一种测量焊接接头影响断裂韧度 sub ic 方法

[实用新型]一种蓝宝石晶锭掏棒机用套筒-CN201420202120.5有效
发明人：俞尚东;李凯;李庆跃;承刚;张会选;汪东东 -专利权人：黄山市东晶光电科技有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蓝宝石晶锭掏棒机用套筒，包括筒身，以及设置在筒身端面的薄壁钻头，所述薄壁钻头的周缘上开设有一组呈间隔排列的钻齿，所述钻齿的齿数是至少为三的奇数。钻齿的形状为圆弧形、V型或梯形。本实用新型解决传统套筒掏棒加工易刮伤晶棒，导致晶棒成品率较低的问题，使得掏棒的均匀性及表面质量有较大提高，且晶棒的成品率可提高50％，金刚石等原材料成本则可节约25％，经济效益非常显著。
一种蓝宝石晶锭掏棒机用套筒

[发明专利]微晶玻璃及其生产方法和应用-CN201911269768.8在审
发明人：戴佳卫;黎展宏;欧阳辰鑫;刘再进;宫汝华;何根;陈佳佳;梁雅琼;沈于乔 -专利权人：四川旭虹光电科技有限公司;华为技术有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃制备领域，具体涉及微晶玻璃及其生产方法和应用。生产微晶玻璃的方法，包括：将原玻璃体进行微晶化处理，所述微晶化处理包括：(1)升温：将原玻璃体从起始温度以升温速率VT1升温至核化温度；(2)核化：在核化温度下进行核化；(3)过渡期：从核化温度以升温速率Vg升温至晶化温度；(4)晶化：在晶化温度下进行晶化；(5)降温：从晶化温度开始降温；其中，所述核化温度为550‑640℃，所述晶化温度为640‑750℃。本发明所述方法得到的微晶玻璃具有厚度薄、透光率好、表面质量好、翘曲高度小、外形完整度高等优势。
玻璃及其生产方法应用

[发明专利]一种激光快扫制备非晶合金和晶态金属复合结构的方法-CN201210372117.3无效
发明人：廖广兰;李默;陈彪;史铁林 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： B23K26/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光快扫制备非晶合金和晶态金属复合结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：对非晶合金薄板及晶态金属薄板进行切割和清洗，将非晶合金薄板固定在焊接平台上，并将晶态金属薄板左端与非晶合金薄板左端对齐并压紧在实验平台上，右端绕在放料滚筒上，将辊子放在非晶合金薄板及晶态金属薄板左端并对齐，打开激光器，调整激光扫描速度为V2＝8~12m/min、保护气体流量为q=10~20L/min，激光束沿着非晶合金薄板及晶态金属薄板宽度方向快速来回扫描，同时调整辊子的直线运动速度V1=V2/2W*0.0002m/min，以将非晶合金薄板与晶态金属薄板的熔化部分压实，形成非晶合金和晶态金属复合结构。本发明能够解决现有方法中存在的非晶合金材料脆性大、抗剪切能力差、材料应用价值受限的问题。
一种激光制备合金晶态金属复合结构方法

[发明专利]永磁体、以及使用永磁体的可变磁通电动机及发电机-CN200980160906.7有效
发明人：堀内阳介;樱田新哉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H02K15/03 文献下载
摘要：该永磁体具有用以下组成式表示的组成：即，R(FepMqCur(Co1-aAa)1-p-q-r)z(式中，R表示从稀土类元素中选出的至少一种元素，M表示从Ti、Zr及Hf中选出的至少一种元素，A表示从Ni、V、Cr、Mn、Al、Si、Ga、Nb、Ta及W中选出的至少一种元素，且0≤a≤0.2，0.05≤p≤0.6，0.005≤q≤0.1，0.01≤r≤0.15，4≤z≤9)，并且该永磁体包括具有Th2Zn17型晶相的晶内相和晶界相晶内相的平均结晶粒径在20～500nm的范围内，且晶界相的平均厚度比磁壁厚度要小。
永磁体以及使用可变通电动机发电机

[实用新型]晶圆片储存盒-CN201520212558.6有效
发明人：邱摩西;刘汝拯;陈松平;何江波 -专利权人：义柏科技（深圳）有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： B65D77/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆片储存盒，包括盒体、上盖和底盖，盒体与上盖和下盖之间分别通过锁舌组件扣合连接，盒体内沿长度方向的两内侧壁上垂直设有多条隔槽板，隔槽板的固定端的宽度大于其自由端的宽度，相邻两条隔槽板之间形成用于插放晶圆片的置放槽，上盖和底盖内的两侧分别设有两排弹片，弹片的上端开有V形槽，V形槽的底部设有斜面板，晶圆片的两端内嵌于V形槽内并与斜面板形成线接触。本实用新型，置放槽为内窄外宽的结构，利于存放和取出晶圆片，并减少间距来增加置放槽的数量，降低了生产成本，在弹片的上端V形槽的底部设有斜面板，晶圆片与斜面板形成线接触，加大了接触面积，起到了保护晶圆片和减少颗粒产生的作用
晶圆片储存

[发明专利]氧化铝-氧化锆-碳化物晶须增强切削刀具-CN89108324.3无效
发明人：潘卡耶·库马·麦罗特拉;埃利萨比斯·R·比尔曼 -专利权人：钴碳化钨硬质合金公司
申请日： 1989-11-03 - 公布日： 1993-03-03 - 主分类号： B23P15/28 文献下载
摘要：提供了一种具有氧化铝基陶瓷成分的金属切削镶嵌件，其组成为(体积百分率，V％)契1.5至12.5V％的硅化硅晶须和约7.5至17.5V％的氧化锆。碳化硅晶须和氧化锆基本上均匀地分布在氧化铝基基体中。氧化铝基陶瓷成分的至少约7V％为四方晶系氧化锆。
氧化铝氧化锆碳化物增强切削刀具

[发明专利]晶界组织重构制备高性能钐钴磁体的方法-CN202110984046.1有效
发明人：蒋成保;席龙龙;张天丽;杨奇承 -专利权人：北京航空航天大学;苏州航大新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：所述晶界组织重构是指添加第二相晶界合金，补充主合金晶界相中贫乏元素，使得晶界变得更加连续、光滑且均质化，晶界处组成接近晶内，晶界附近形成完整胞状结构，晶界内部形成近似晶内的胞状结构。，a＝0～1，b＝0～1，c＝0～5，bal＝1‑a‑b；主合金成分为Sm(CobalFeuCuvZrw)z，其中，u＝0.25～0.5，v＝0.03～0.1，w＝0.01～0.04，z＝7～8，bal＝1‑u‑v‑w。与不添加第二相晶界合金的钐钴磁体相比，磁体晶界相结构更加均一，晶界相内部形成了类似晶内的胞状结构，实现了磁体剩磁、矫顽力、方形度和磁能积的同步提高。
组织制备性能磁体方法

[发明专利]一种基于定向介电泳组装结构的紫外光强传感器制造方法-CN201310176592.8无效
发明人：邵金友;丁玉成;刘维宇;丁海涛;牛继强;王春慧;魏玉平 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：一种基于定向介电泳组装结构的紫外光强传感器制造方法，先利用湿法腐蚀技术在<100>底面的硅基底上制造出沿<110>晶向排列的V型槽阵列结构，再在该V型槽结构之上利用剥离工艺制造出与槽定向相一致的三维金微电极对结构，接着通过对由氧化锌纳米粒子悬浮液所覆盖的三维微电极对之间施加高频交流电场，使氧化锌纳米粒子在基底V型槽底部所诱导的局域场增强效应的导向作用下，进行介电泳自组装，最终形成沿V型槽基底高度定向排列的氧化锌纳米粒子线结构
一种基于定向电泳组装结构紫外光传感器制造方法