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[实用新型]用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置-CN202021195669.8有效
发明人：邢栗;陈兴隆;张怀东;童宇波;孙会权 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B05B17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置，属于集成电路制造晶圆工艺中的喷胶装置技术领域。该喷嘴装置包括液体输送管、雾化装置和除灰化装置，所述液体输送管与所述雾化装置相连接，所述雾化装置与所述除灰化装置相连接；所述雾化装置用于将所述液体输送管输送的喷胶用光刻胶光刻胶或保护隔离层雾化成液滴，并将小尺寸液滴作用于晶圆表面，通过调节雾化装置中电压以及共振频率即可调节喷胶速率，以满足不同工艺需求。该喷嘴针对带有深孔结构的晶圆喷涂光刻胶或保护隔离层，以及需喷涂薄胶(2μm以下)工艺的晶圆，能够解决常规喷胶方式难以满足工艺需求如高深宽比深孔结构晶圆以及薄胶喷涂晶圆喷涂。
用于高深结构喷涂喷嘴装置

[发明专利]用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置和喷涂方法-CN202010589829.5有效
发明人：邢栗;陈兴隆;张怀东;童宇波;孙会权 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B05B17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置和喷涂方法，属于集成电路制造晶圆工艺中的喷胶处理技术领域。该喷嘴装置包括液体输送管、雾化装置和除灰化装置，所述液体输送管与所述雾化装置相连接，所述雾化装置与所述除灰化装置相连接；所述雾化装置用于将所述液体输送管输送的喷胶用光刻胶光刻胶或保护隔离层雾化成液滴，并将小尺寸液滴作用于晶圆表面，通过调节雾化装置中电压以及共振频率即可调节喷胶速率，以满足不同工艺需求。该喷嘴针对带有深孔结构的晶圆喷涂光刻胶或保护隔离层，以及需喷涂薄胶(2μm以下)工艺的晶圆同，能够解决常规喷胶方式难以满足工艺需求如高深宽比深孔结构晶圆以及薄胶喷涂晶圆喷涂。
用于高深结构喷涂喷嘴装置方法

[实用新型]一种利用高钛型高炉渣制备微晶玻璃的设备-CN201220149428.9有效
发明人：李府廷 -专利权人：达州市海蓝冶金设备制造有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种利用高钛型高炉渣制备微晶玻璃的设备，包括烘干装置、研磨装置、搅拌装置、焙烧装置、水淬装置、晶核化装置、微晶化装置和退火装置，所述烘干装置与所述研磨装置连接；所述研磨装置与所述搅拌装置连接；所述搅拌装置与所述焙烧装置连接；所述焙烧装置与所述水淬装置连接；所述水淬装置与所述晶核化装置连接；所述晶核化装置与所述微晶化装置连接；所述微晶化装置与所述退火装置连接。与现有技术相比，本实用新型的利用高钛型高炉渣制备微晶玻璃的设备，将高钛型高炉渣作为制备微晶玻璃的原料，提高了高钛型高炉渣的有效利用率，还减少了高钛型高炉渣的排放，在改善环境的同时，也实现了工业固体废物资源循环再利用
一种利用高钛型高炉渣制备玻璃设备

[实用新型]一种污泥用于干法旋窑的脊粒晶种化处理系统-CN201420640190.9有效
发明人：尹无忌 -专利权人：尹无忌
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C02F11/00 文献下载
摘要：一种污泥用于干法旋窑的脊粒晶种化处理系统，包括污泥储给料装置、脊粒晶种化装置、渣液分离装置和电控装置，所述污泥储给料装置与脊粒晶种化装置相连，所述脊粒晶种化装置与渣液分离装置相连，所述电控装置通过电线分别与污泥储给料装置、脊粒晶种化装置、渣液分离装置相连。本实用新型结构简单，投资小、能耗低，能将极难脱水、极难干燥的粘糊状污泥脊化为含熟料晶种前驱体矿物的小颗粒物，并脱水分离为滤渣和滤液。
一种污泥用于干法旋窑脊粒晶种化处理系统

[实用新型]一种晶圆搬运装置-CN202221412887.1有效
发明人：徐枭宇;郑东州 -专利权人：杭州众硅电子科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆搬运装置，包括传输通道，设于传输通道的传输轨道，可于传输轨道上移动的晶圆夹持机构，及弥散化装置，所述弥散化装置用于喷射流体，以在传输通道形成弥散化区域，晶圆夹持机构上的晶圆在该弥散化区域移动本实用新型在传输通道内设置弥散化装置，其可以喷射流体，使得在晶圆传输过程中其表面保持润湿状态，避免其表面干燥导致表面残留的抛光液结晶，避免晶圆表面划伤或有缺陷。
一种搬运装置

[发明专利]纯化装置-CN202180077924.X在审
发明人：荒井章吾;迎真志;和田裕贵;福本隼也;松田敬幸;酒井丰文 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C07C51/43 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯化装置，其特征在于，其为具有串联连接N个析晶槽的析晶装置和强制性地运送晶体的清洗柱的化合物的纯化装置，清洗柱具有将产品运出的管线和将母液送回至第N个析晶槽的管线，析晶装置具有从第N个析晶槽向清洗柱供给浆料的管线、从下游的析晶槽经由固液分离装置向上游的上一个析晶槽输送浆料的管线、将利用固液分离装置去除了晶体的母液送回至原来的析晶槽的管线、以及从上游的析晶槽向第1～N‑1个的各析晶槽输送母液的管线(包括从上游的上一个析晶槽直接输送母液的管线或从上游的上一个析晶槽经由固液分离装置输送母液的管线中的至少1个)，所述纯化装置还具有向纯化装置外输送母液的管线，本发明可高收率地且低成本地得到高纯度的化合物。
纯化装置

[发明专利]微晶玻璃晶化装置及方法-CN201811429170.6有效
发明人：陈雪梅;王乃帅;冯劲 -专利权人：成都光明光电股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明属于玻璃晶化技术领域，具体公开了一种能够降低晶化处理过程中玻璃破裂可能性的微晶玻璃晶化装置，以及采用上述微晶玻璃晶化装置对玻璃进行晶化处理的微晶玻璃晶化方法。该微晶玻璃晶化装置，包括晶化炉和设置在晶化炉内的晶化支架，所述晶化支架包括支撑板；所述支撑板上设有放置凹槽，所述放置凹槽内设置有防裂垫层，所述防裂垫层的厚度与放置凹槽的深度之比为1:1～2。通过在放置凹槽内设置防裂垫层，并使防裂垫层的厚度与放置凹槽的深度之比为1:1～2，既利于将玻璃放置到防裂垫层上对其进行晶化处理，又可以避免因玻璃体积收缩与支撑板之间产生较大刚性应力导致其破裂，降低了晶化处理过程中玻璃破裂的可能性
玻璃化装方法

[实用新型]一种制备纳米晶的系统-CN201920662069.9有效
发明人：王允军;李敬群;刘志军;李慧州 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备纳米晶的系统，该系统包括：合成装置，用于合成纳米晶原液，以及与所述合成装置连接的纯化装置；其中，所述纯化装置包括：离心部；析出部，与所述离心部连接，用于向离心部提供极性溶剂；清洗部，本申请中纯化装置包括离心部、析出部和清洗部，从而使得纳米晶的离心、析出和清洗过程全部在同一装置内进行，避免了纳米晶在离心、析出和清洗过程之间的转运传输工序，该装置分离纳米晶的效率高，在短时间内就可以达到快速分离纯化纳米晶的效果，大大提高了纯化效率，尤其适合于大批量纳米晶的制备。
一种制备纳米系统

[实用新型]硅晶棒切割粉的酸雾净化装置-CN201020229570.5有效
发明人：任建龙;李国清;张国忠 -专利权人：江阴浩博科技有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种净化装置，尤其是涉及一种硅晶棒切割粉的酸雾净化装置。一种硅晶棒切割粉的酸雾净化装置一种硅晶棒切割粉的酸雾净化装置，包括酸洗反应罐(1)、PP管道(2)和排气管(5)，其特征在于：它还包括引风机(3)和碱水箱(4)，所述酸洗反应罐(1)的排气口通过PP管道这种硅晶棒切割粉的酸雾净化装置改善了生产环境，避免了机器被腐蚀，保护了人体的健康。
硅晶棒切割净化装置

[实用新型]一种玻璃晶化装置-CN202120943166.2有效
发明人：黄昊;苏星;胡伟;何程尧;张延起;邓双 -专利权人：重庆鑫景特种玻璃有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种玻璃晶化装置，该玻璃晶化装置包括容纳部，容纳部用于容纳玻璃以对玻璃进行晶化处理，容纳部包括至少一个透光窗口，以使检测光线能够经过透光窗口进入容纳部，以对玻璃进行透过率检测。通过上述方式，本申请能够在晶化时实时检测容纳部内玻璃的透过率。
一种玻璃化装

[实用新型]陶瓷晶须的生产装置-CN201220038362.6有效
发明人：殷国忠 -专利权人：常州宏泰摩擦材料有限公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷晶须的生产装置，包括选矿装置、破碎装置、膨化装置、风选装置及控制装置，所述控制装置分别与选矿装置、破碎装置、膨化装置、风选装置连接，所述选矿装置与破碎装置连接，所述选矿装置与破碎装置连接，所述破碎装置内设置有滤桶，所述膨化装置与滤桶连接，所述膨化装置一端连接有风选装置，所述风选装置底部与集料筒连接。该陶瓷晶须的生产装置投入的设备成本较低，制作工艺简单，生产出的陶瓷晶须具有材质比重轻、强度高、耐磨、综合性能优异等优点，具有推广使用价值。
陶瓷生产装置

[发明专利]激光晶化装置及晶化激光束的控制方法-CN201711084695.6有效
发明人：李童敏;全祥皓;姜美在;徐宗吾;苏炳洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明公开一种能够发出均匀的激光束而能够进行高质量的非晶硅层晶化的激光晶化装置及晶化激光束的控制方法，本发明的激光晶化装置包括能够发出激光束的激光束产生部、将激光束匀化的匀化器以及光扩散部，且匀化器包括分光透镜
激光化装激光束控制方法

[发明专利]一种制备纳米晶的系统及方法-CN201910386684.6在审
发明人：王允军;李敬群;刘志军;李慧州 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备纳米晶的系统及方法，该系统包括：合成装置，用于合成纳米晶原液，以及与所述合成装置连接的纯化装置；其中，所述纯化装置包括：离心部；析出部，与所述离心部连接，用于向离心部提供极性溶剂；清洗部本申请中纯化装置包括离心部、析出部和清洗部，从而使得纳米晶的离心、析出和清洗过程全部在同一装置内进行，避免了纳米晶在离心、析出和清洗过程之间的转运传输工序，该装置分离纳米晶的效率高，在短时间内就可以达到快速分离纯化纳米晶的效果，大大提高了纯化效率，尤其适合于大批量纳米晶的制备。
纳米晶离心部析出纯化装置制备合成装置清洗过程清洗非极性溶剂合成纳米极性溶剂快速分离同一装置装置分离原液申请转运传输

[发明专利]一种平坦化装置及平坦化方法-CN202011080562.3在审
发明人：金泰源;杨涛;张月;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种平坦化装置及平坦化方法，涉及半导体技术领域，用于在提高平坦化处理效率的同时，提升平坦化处理的精准度。所述平坦化装置包括：夹持部、粒子束生成器和遮挡部。夹持部用于夹持晶圆。粒子束生成器设置在夹持部的一侧，粒子束生成器用于生成对晶圆进行平坦化处理的粒子束，粒子束的轴向与晶圆的预保留部分的上表面平行。遮挡部设置在粒子束生成器与晶圆的预保留部分之间，遮挡部用于至少遮挡射向晶圆的预保留部分的粒子束。所述平坦化装置用于对晶圆进行平坦化处理。
一种平坦化装方法

[发明专利]一种可避免反应液污染晶圆的方法-CN200810033044.9有效
发明人：代洪刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种可避免反应液污染晶圆的方法，反应液通过供液管道供应至化学气相沉积设备的反应腔，该供液管道上依次设置有供液气动调节阀和用于雾化反应液的雾化装置，该雾化装置通过与其相连的供气管道供应的清洗气体清洗，该供气管道上具有用于控制清洗气体进入雾化装置的清洗气动调节阀，当正常清洗该雾化装置时，该反应腔处于正常清洗压力范围内。现有技术在清洗雾化装置时没侦测反应腔压力，易在清洗异常时出现反应液在雾化装置中冷凝且滞留时间过久而产生污染晶圆的杂质的现象。本发明在开启清洗气动调节阀清洗雾化装置时，侦测该反应腔内压力是否在正常清洗压力范围内且在否时发出报警。本发明可避免反应液在雾化装置中产生污染晶圆的杂质。
一种避免反应污染方法

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