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[发明专利]磷化铟单晶生长过程的可视化建模及数字化生产方法-CN202310847881.X在审
发明人：黄国勇;艾家辛;张荻;赵兴凯;柳旭 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟单晶生长过程的可视化建模及数字化生产方法，属于半导体材料领域。该方法以磷化铟单晶生长过程及传热学为基础，通过仿真构建磷化铟单晶生长可视化模型，获取磷化铟单晶生长过程中热场状态参数及晶体生长参数，通过数字化生产方法监控、预测和优化磷化铟单晶生长工艺过程。此外，此可视化模型可用于产业调整和工业优化虚拟生产，分析晶体生长过程热场状态参数及晶体生长参数以指导生产工艺制定，降低生产成本同时提升工艺产品质量及生产效率。
磷化铟单晶生长过程可视化建模数字化生产方法

[发明专利]全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法-CN202011157556.3在审
发明人：姜军;陈少璠;赵文;庹梦寒;袁绶章;蔡春江;赵增林;刘永传;唐清云;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：一种全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法，包括晶体生长炉炉体、背景加热单元、不锈钢炉、生长坩埚、多段全向加热装置、支撑装置及温度控制器；晶体生长炉设置有夹层，夹层中沿竖直方向装有多个背景加热单元；在不锈钢炉的内腔放置供晶体生长的生长坩埚，该生长坩埚放置于支撑装置上并能够随支撑装置一起沿竖直方向运动；在不锈钢炉内腔壁位于晶体结晶位置处设置有呈水平环状的多段全向加热装置，多段全向加热装置实现碲锌镉晶体生长过程中固液界面全向温度均匀的精确控制，使得晶体生长单晶率得到提升。本发明采用分段全向加热装置，能够提供均匀的全向温场，提高了晶体生长过程中的温度稳定性，为制备大单晶提供了技术保障。
全向加热控制碲锌镉晶体生长方法

[实用新型]一种生产晶体的晶体合成炉-CN201320071247.3有效
发明人：蒋子博 -专利权人：上海怡英新材料科技有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生产晶体的晶体合成炉，它包括炉体和设置在该炉体内的晶体生长系统，还包括设置在所述炉体内的原料熔融系统和熔融原料输送系统，其中该熔融原料输送系统用于在晶体生长过程中将该原料熔融系统中的熔融原料输送到所述晶体生长系统采用以上结构的晶体合成炉能够消除晶体生长过程的成分偏析问题所导致的晶体性能差、成品率低等缺陷，从而能生产出合格的晶锭，并能降低生产成本。
一种生产晶体合成

[发明专利]一种能够实时调控结晶固液界面的单晶生长装置及使用方法-CN202011645077.6在审
发明人：穆文祥;董旭阳;贾志泰;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够实时调控结晶固液界面的单晶生长装置及使用方法。所述装置包括坩埚、生长模具和传动系统；通过传动系统和生长模具的协同作用，实现了生长模具在晶体生长过程中不同生长状况下高度上下可调的功能有效克服β‑Ga2O3单晶生长中固液界面失稳问题，利用导模法等传统晶体生长技术，极大地提高大尺寸β‑Ga2O3单晶生长过程稳定性及单晶完整性。克服了晶体生长过程中固液界面失稳所导致的晶体螺旋生长、质量波动、缺陷密度高、晶体开裂等问题，提高单晶长度及晶体质量。
一种能够实时调控结晶界面生长装置使用方法

[发明专利]一种生长硼酸铋晶体的工艺方法-CN201010555014.1无效
发明人：陈伟;吴少凡;郑熠 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种生长硼酸铋晶体的工艺方法。传统的硼酸铋晶体生长方法在生长过程中容易出现籽晶扭断及缺陷问题，本发明采用采用电阻式下降炉进行晶体生长。由于晶体是在整个坩埚里结晶，所以不存在籽晶扭断的问题。另外由于坩埚下降法可以通过改变坩埚下降速度来提供比较缓慢的生长速度，使得晶体在生长过程中不容易出现生长缺陷。
一种生长硼酸晶体工艺方法

[发明专利]晶体生长装置及方法、TGS类晶体-CN202210852486.6在审
发明人：周成;何亮;李建敏;毛伟;张存新;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;甘胜泉;熊仁根 -专利权人：江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体生长装置和晶体生长方法、TGS类晶体，晶体生长装置包括水槽、生长室、籽晶杆和籽晶；水槽为环形槽体，水槽全部或部分包围住生长室的侧部和底部；水槽的侧面和/或水槽的上端面设置进水口和出水口；生长室的上端面和/或水槽的上端面设置有保温盖；籽晶粘接在籽晶杆的下端，籽晶杆可进出生长室；籽晶杆上设置有传热介质进口和传热介质出口。本发明通过对水槽和籽晶杆双向控温，使得籽晶生长处的温度及过冷度可根据晶体生长特性进行调整，从而使得在籽晶生长过程中整体更加适宜晶体生长，降低晶体生长过程中缺陷的产生，提高了晶体质量。
晶体生长装置方法 tgs 晶体

[发明专利]一种晶体制备装置-CN202211736247.0在审
发明人：王宇;官伟明 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体制备装置。该晶体制备装置包括：腔体，用于放置原料；激光加热组件，用于加热原料；以及控制组件，用于在晶体生长过程中实时调节激光加热组件的加热参数，以实时调节晶体生长过程中的温度梯度。
一种晶体制备装置

[发明专利]晶体的生长装置及生长方法-CN201910010891.1在审
发明人：狄聚青;朱刘;刘运连 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长装置，该晶体生长装置包括一内中频感应线圈、一外中频感应线圈，所述外中频感应线圈套设于内中频感应线圈外侧，所述外中频感应线圈在晶体生长过程中能够沿着竖直方向移动；所述内中频感应线圈在晶体生长过程中位置固定；所述晶体生长装置还包括一感应坩埚，所述感应坩埚置于内中频感应线圈内部。本发明同时涉及一种晶体生长方法。本晶体的生长装置及生长方法通过在晶体的不同生长阶段沿着竖直方向向上或者向下移动外中频感应线圈，使双中频感应线圈形成的温场的温度梯度减小，避免晶体开裂，所制备得到的晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷。
中频感应线圈晶体生长装置晶体的晶体生长过程感应坩埚生长装置竖直方向移动感应线圈晶体生长生长阶段温度梯度向下移动中频感应双中频线圈套生长散射夹杂减小竖直温场制备

[发明专利]一种氧化镓晶体及其生长方法和生长装置-CN201910948208.9在审
发明人：狄聚青;朱刘;刘运连;黄幸蔚;薛帅;崔博 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法，所述生长方法为水平布里奇曼法，具体包括如下步骤：(1)将镓和氧化镓装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶；(2)将坩埚放入生长炉内，将生长炉抽真空后，充入惰性气体，加热熔化氧化镓，使氧化镓熔体与籽晶接触；(3)氧化镓完全熔化后，依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程；(4)晶体生长结束后，冷却，取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内，晶体生长过程中，氧化镓漂浮于镓溶体之上，与坩埚脱离，避免了生成的晶体与坩埚黏连，提高了晶体的质量，使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气，生成氧化镓，既不会引入杂质，还保护坩埚不被氧化。
氧化镓坩埚晶体生长过程晶体的生长炉放入籽晶取出熔化布里奇曼法等径生长惰性气体加热熔化晶体生长抽真空籽晶槽生长放肩熔体溶体引晶氧气装入冷却漂浮释放脱离引入吸收

[发明专利]一种大尺寸氧化物晶体的生长方法-CN201410000566.4在审
发明人：陈远帆;陈冠廷;彭志豪 -专利权人：苏州晶特晶体科技有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸氧化物晶体的生长方法，根据晶体生长原理结合熔体生长过程特点，结晶过程的驱动力，物质传输、分凝和溶质分布，热传输、对流和温度分布，界面稳定性和组分过冷的理论建立一套稳定的温场，采用籽晶下种的方式生长晶体，当完成籽晶下种后晶体与熔体自然形成一个固-液界面，利用生长参数控制固-液界面的移动来完成晶体生长，其晶体的生长过程具体包括以下步骤：开始晶体生长、拉脱结束生长以及退火释放晶体内残留的应力。本发明提供的大尺寸氧化物晶体的生长方法，结合了各式传统晶体生长的优点，随不同晶体生长的特点改变生长参数，减少晶体缺陷的产生而达到优化晶体质量的目的，进一步达成产业化的目标。
一种尺寸氧化物晶体生长方法

[实用新型]一种晶体生长过程中炉内原料注入装置-CN202120712133.7有效
发明人：王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;徐森锋;付莉杰;王阳;李晓岚;欧欣;宋瑞良;刘惠生;孙同年 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种晶体生长过程中炉内原料注入装置，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及在晶体生长过程中，设置在炉体内的原料注入装置。采用本实用新型，可以将晶体生长所需的部分原材料放置在原料承载中，当坩埚内的晶体生长材料即将耗尽时，原料承载注入系统将原料注入到坩埚中，保持晶体继续生长。在生长大尺寸晶体时，可以使用小容积的坩埚，坩埚内的温度场容易控制，保证晶体的质量。
一种晶体生长过程中炉内原料注入装置

[发明专利]一种蓝宝石晶体生长的改良泡生法-CN201210435353.5无效
发明人：范世炜;许友生;丁革建;曾锡强 -专利权人：浙江东海蓝玉光电科技有限公司
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石晶体生长的改良泡生法，包括准备原料、炉体抽真空、炉体加热、熔接晶种、晶颈生长、晶体生长、分离与退火、取晶步骤。在整个晶体生长过程中，晶体不被提出坩埚，仍处于热区，可以精确控制晶体的冷却速度，减小热应力；晶体生长时，固液界面处于熔体包围之中，这样熔体表面的温度扰动和机械扰动在到达固液界面以前可被熔体减小以致消除；晶体生长过程中若存在晶体的移动和转动，容易受到机械振动影响，本发明在晶颈形成后停止与旋转提拉晶种杆，有效的避免了晶体受到机械振动的影响；使用相同的氧化铝原料利用率较高。
一种蓝宝石晶体生长改良泡生法

[发明专利]一种晶体制备方法-CN202211742351.0在审
发明人：王宇;官伟明 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体制备方法。该晶体制备方法包括：将原料置于腔体内；通过激光加热组件加热原料，使原料部分熔化为原料熔体；基于原料熔体，执行晶体生长过程，在晶体生长过程中，实时调节激光加热组件的加热参数。
一种晶体制备方法

[发明专利]晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质-CN202110727814.5有效
发明人：张建成 -专利权人：西门子（中国）有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供了晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质，该方法包括：获取晶体需要生长到的目标直径；实时采集晶体在生长过程中的实际直径；将目标直径和实际直径作为PID控制的输入，得到PID输出值；根据目标直径和实际直径，确定速度计算公式；根据PID输出值以及速度计算公式，计算晶体的提升速度；根据提升速度，对晶体进行拉升处理。本方案能够提高在晶体生长过程中对提升速度进行控制的精度。
晶体生长过程提升速度控制方法装置可读介质

[发明专利]双螺旋籽晶杆设备及使用该设备的晶体生长炉-CN201310077974.5在审
发明人：丁雨憧;马兆远 -专利权人：北京志光伯元科技有限公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：双螺旋籽晶杆设备及使用该设备的晶体生长炉。一种能够避免晶体生长过程中籽晶杆断裂损坏生长炉坩埚的新型籽晶杆设备。它是在晶体生长炉保温盖上连接籽晶杆，将籽晶杆下端与籽晶夹头上端用同方向的螺旋套管固定起来，籽晶夹头与籽晶连接。使用双螺旋籽晶杆的晶体生长炉，在晶体生长过程中，籽晶杆，籽晶夹头，螺纹套管和籽晶共同以顺时针方向旋转，当停止工作时，用扳手向上旋转螺纹套管，将籽晶夹头及其所连接的大尺寸晶体脱离籽晶杆，实现晶体的安全简便脱离本发明专利的优势在于操作简单，移除方便，避免了生长炉籽晶杆的破坏，节约了生产成本。
双螺旋籽晶设备使用晶体生长