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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

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2023-10-10 公布专利

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2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造无铅焊料凸块的方法-CN200310104780.6无效
发明人：张世映 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-11-03 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：一种制造无铅焊料凸块的方法，包括：提供基片，所述基片具有带开放电极焊盘的保护层；在基片上形成UBM(底部凸起金属化)层；在UBM层上光刻光刻胶，除UBM层对应电极焊盘的部分之外；在UBM层对应电极焊盘的部分上形成铜层；将焊料电镀在铜层上；去除光刻胶；以及使用焊料作为掩模蚀刻UBM层，并且回流焊料、制造焊料凸块。
制造焊料方法

[发明专利]半导体组件、半导体元件及其制法-CN201010213358.4有效
发明人：赖怡仁;韩至刚;詹前彬;简智源;杨怀德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。
半导体组件元件及其制法

[发明专利]具有改进的机械性能的无Pb焊料凸点-CN200880131666.3无效
发明人： M·巴奇曼;J·W·奥森巴赫 -专利权人：艾格瑞系统有限公司
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：提供具有第一触点和在其上面形成的未掺杂的电镀的无铅焊料凸点(610)的半导体基板。提供具有第二触点和第二触点上的包含掺杂剂的掺杂无铅焊料层(510)的器件封装基板。掺杂剂当被加入无铅焊料凸点中时降低未掺杂的无铅焊料凸点的凝固过冷温度。未掺杂的电镀的无铅焊料凸点和掺杂的无铅焊料层被熔融，由此将掺杂剂加入未掺杂的无铅焊料以形成掺杂的焊料凸点(140)。焊料凸点在第一触点和第二触点之间提供电连接。
具有改进机械性能 pb 焊料

[发明专利]封装体-CN200510127723.9有效
发明人：卢思维;李新辉;王忠裕;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：上述封装体具有：第一导体垫于一半导体基底上；第二导体垫于一封装基底上；以及一凸块连接于上述第一导体垫与上述第二导体垫之间，其中上述凸块与上述第一导体垫具有第一界面，上述第一界面具有第一线性尺寸，而上述凸块与上述第二导体垫具有第二界面，上述第二界面具有第二线性尺寸，上述第一线性尺寸与上述第二线性尺寸的比值为0.7至1.7，上述凸块为实质上无铅、或其铅含量高于80％。本发明所述的封装体，有效的解决了封装领域无铅与高铅软焊料凸块的破裂问题。且不需要使用高强度的底胶材料，而可避免对低介电常数材料造成伤害。
封装

[发明专利]半导体元件中的无铅结构-CN201180051984.0有效
发明人：劳瑞尼·宜普;张蕾蕾;库玛·纳加拉杰 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括：一半导体晶片(306)；多个无铅焊料凸块(308)，其设置在该半导体晶片之表面上；一基板(310)，其包括多个金属层(318)与多个介电层(317)，该金属层之一者包含多个接触垫(312)，以对应于该多个无铅焊料凸块，且该介电层之一者为外部介电层，其具有用于该接触垫之各多个开口；各多个铜柱(302)，其设置在该接触垫上。该半导体晶片安装于该基板上，而具有在该多个无铅焊料凸块与该多个铜柱间之连接。
半导体元件中的结构

[发明专利]形成无铅焊料凸块和相关结构的方法-CN200580021881.4无效
发明人： J·D·米斯;G·M·阿德马;S·巴姆加纳;P·基卢库里;C·林恩;G·A·林恩 -专利权人：统一国际有限公司
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：形成电子器件的方法可以包括在电子基板上形成凸块下种晶冶金层。可以在凸块下种晶冶金层上形成镍层，使得凸块下种晶冶金层在镍层和电子基板之间，并且部分凸块下种晶冶金层可以没有镍层。此外，可以在镍层上形成焊料层，使得镍层在焊料层和凸块下种晶冶金层之间。此外，在形成镍层之前，铜层可以形成在凸块下种晶冶金层上，并且部分凸块下种晶冶金层没有铜层。因此，凸块下种晶冶金层可以在铜层和电子基板之间，并且铜层可以在凸块下种晶冶金层和镍层之间。还讨论了相关结构。
形成焊料相关结构方法

[发明专利]含Co基薄膜的凸点底部金属层与无铅焊点连接的方法-CN201110129670.X有效
发明人：蔡坚 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明公开了一种含Co基薄膜的凸点底部金属层与无铅焊点连接的方法，包括：制备基板，将选取的基板用超声波清洗并烘干；在基板上制备凸点底部金属层；将无铅焊料添加在凸点底部金属层上；将带有无铅焊料的基板放入回流焊炉中进行焊接本发明改进了凸点底部金属层的结构，解决了现有技术中无铅焊料与凸点底部金属层连接后构成的无铅焊点可靠性差、焊点极易发生疲劳和蠕变的问题。
co 薄膜底部金属无铅焊点连接方法

[发明专利]无铅焊锡合金球-CN201310559428.5无效
发明人：王伟德 -专利权人：宁波市鄞州恒迅电子材料有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： B23K35/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅焊锡合金球，其特征在于：无铅焊锡合金球由焊料球形成分形成，该成分包括1.0~4.0％（质量）的Ag，0.05~2.0％（质量）的Cu，0.0005~0.005％（质量）的P，和剩余量的无铅焊锡合金球的焊料球成分中优选含有1.0~3.5％（质量）的Ag。无铅焊锡合金球的焊料球成分中优选包含0.05~075％（质量）的Cu。无铅焊锡合金球的直径为0.04~0.5毫米。无铅焊锡合金球被放置于BGA基片的电极上。本发明的有益效果是：无铅焊锡合金球在电子零件如BGA封装的电极上形成焊锡凸块时，其表面不会变黄，且该焊锡球具有优异的润湿性，焊接时不形成空隙，同时它还具有微小的直径。
焊锡合金

[发明专利]半导体封装体及硅基封装基板-CN200710139883.4有效
发明人：卢思维;赵智杰;陆惠慈;郭祖宽;邹觉伦;张国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装体及硅基封装基板，上述半导体封装体包括：硅基封装基板，其厚度小于200μm；半导体芯片，包括至少一个低介电常数介电层，其低介电常数小于3.0；以及多个焊料凸块，设置于该半导体芯片与该硅基封装基板之间本发明能够减少低介电常数材料层的的脱层及龟裂，可使用无铅焊料凸块及高铅焊料凸块，并减少串扰的问题。
半导体封装

[发明专利]无铅焊锡合金-CN200480040999.7有效
发明人：大西司;八卷得郎;雨海正纯;渡边雅子 -专利权人：千住金属工业株式会社
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：现有的Sn－Ag系无铅焊锡，对于焊锡凸块这样微小的部分来说，耐冲击性和耐热循环性不够充分。本发明提供一种凸块的耐冲击性和耐热循环性优异的无铅焊锡合金，其是由：0.1～低于2.0质量％的Ag、0.01～0.1质量％的Cu、0.005～0.1质量％的Zn、余量为Sn构成的无铅焊锡合金，此外在该合金中添加
焊锡合金

[发明专利]无铅无铜锡合金与用于球栅阵列封装的锡球-CN202211364494.2在审
发明人：张峻瑜;李志祥;潘思辰;李文和 -专利权人：昇贸科技股份有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：一种无铅无铜锡合金，包含0.01～3.0wt％的银、0.01～5.0wt％的铋、0～2.0wt％的锑、0.005～0.1wt％的镍、0.005～0.02wt％的锗及余量的锡。本发明的无铅无铜锡合金经焊接后所得的结构，例如焊锡凸块，会具备优异的机械冲击可靠度，同时拥有良好的焊接性、延展性、抗氧化能力及冷热循环可靠度。
无铅无铜锡合金用于阵列封装

[发明专利]无凸块超导器件-CN202180031205.4在审
发明人： C·A·康塔卢布 -专利权人：诺斯洛普格鲁门系统公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N69/00 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(50)，集成电路(50)包括：在第一衬底(52)的表面上的多个导电接触焊盘(60)，以及覆盖第一衬底和导电接触焊盘的电介质层(54)，多个导电接触焊盘(60)可以被耦合到相应量子比特(62)。第二衬底(56)覆盖电介质层，并且多个超导接触(58)延伸穿过第二衬底和电介质层，使得每个超导接触与相应导电接触焊盘对齐并且接触，并且可以被耦合到相应谐振器(64)。还公开了对应的制作方法。
无凸块超导器件

[发明专利]激光制作无铅钎料凸点的方法-CN200910039581.9无效
发明人：师文庆;杨永强 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2009-05-19 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种激光制作无铅钎料凸点的方法，包括：先在基体用于植球的位置上涂上无铅钎料，并将基体置于加工平面上；然后将基体植球处的位置数据输入计算机中，计算机编程，进行植球路径规划；计算机将规划好的植球路径形成控制信号分别送入控制部件和激光器；接着设置各工艺参数；控制部件控制扫描振镜配合激光器工作，激光束根据植球路径对涂有无铅钎料的基体进行扫描，无铅钎料熔化；然后移走激光束，无铅钎料凝固，并与基体形成冶金结合，至此无铅钎料凸点形成。本发明制得的无铅钎料凸点环保、对人体无害，且本发明加工速度快、加工精度高，加工过程无需保护气，使得工艺过程简单、自动化程度高。
激光制作无铅钎料凸点方法

[实用新型]一种酒罐-CN201320361332.3有效
发明人：徐宇 -专利权人：徐宇
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B65D85/72 文献下载
摘要：本技术方案主要由无铅陶瓷的罐体、罐口和橡木塞组成，所述罐口设置了环形凸台和环形密封台，还包括与环形密封台配套的带有螺纹的密封罩；所述环形凸台为无铅陶瓷材料；所述环形密封台为无铅陶瓷材料；还包括在所述环形凸台与所述环形密封台之间形成的槽内注适量水；所述密封罩为无铅陶瓷材料。将酒灌入酒罐，塞上橡木塞，在环形凸台与所述环形密封台之间形成的槽内注适量水，然后用密封罩与环形密封台进行连接。该设计使用简单，效果非常好，极易于推广应用。
一种

[实用新型]一种高强度环保铜带-CN201820469536.1有效
发明人：刘声金 -专利权人：广东和润新材料股份有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及铜带技术领域，具体涉及一种高强度环保铜带，包括由上而下依次复合的镍基带和无铅铜基带，所述无铅铜基带的上表面设有若干沿无铅铜基带长度方向延伸的凹槽，所述镍基带的下表面设有突伸入所述凹槽的凸条本实用新型通过镍基带和无铅铜基带的复合，一定程度上增强了铜带的磁屏蔽性和强度，并且通过凹槽与凸条的配合，使镍基带和无铅铜基带之间产生了铆接结构，大大增强两者的附着力，并且提高了铜带的抗拉强度；此外，本实用新型采用了无铅铜基带
铜带铜基无铅镍基带本实用新型凸条附着力长度方向延伸复合铆接结构磁屏蔽环保性上表面下表面基带铅铜伸入环保配合

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