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[发明专利]一种水合炭/无定形多硒化钼复合材料及其制备方法和应用-CN202010667500.6有效
发明人：罗旭彪;裴俊俊;邵鹏辉;杨利明;石慧;喻恺 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种水合炭/无定形多硒化钼复合材料及其制备方法和应用，属于钯吸附剂技术领域。本发明提供的水合炭/无定形多硒化钼复合材料，包括水合炭和分散于所述水合炭表面的无定形多硒化钼；所述水合炭表面具有含氧官能团；所述无定形多硒化钼中硒和钼的摩尔比为2.3～2.6:1。本发明提供的水合炭/无定形多硒化钼复合材料中，无定形多硒化钼相比于晶态硒化钼具有更多的有效硒位点，对钯离子的去除效果更优；所述水合炭表面具有的含氧官能团为无定形多硒化钼提供了更多生长位点，且水合炭载体的存在使无定形多硒化钼分散性好而不会发生团聚，暴露了更多有效硒位点，进一步提高了水合炭/无定形多硒化钼复合材料对于钯离子的吸附效果。
一种水合无定形多硒化钼复合材料及其制备方法应用

[发明专利]具有双栅结构的半导体器件的制造方法-CN200610149852.2无效
发明人：金光玉;郑永均 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底之上形成栅氧化物层；在栅氧化物层之上形成栅导电层；在栅导电层之上形成无定形碳层；在无定形碳层之上形成感光图案；使用感光图案作为蚀刻掩膜来蚀刻无定形碳层，以形成图案化的无定形碳层；使用图案化的无定形碳层作为离子注入阻挡来执行第一离子注入工艺，以使杂质注入于栅导电层上；去除图案化的无定形碳层；以及图案化栅导电层，以形成栅结构。
具有结构半导体器件制造方法

[发明专利]一种无定形碳材料低温石墨化方法-CN200910201049.2无效
发明人：徐子颉;王玮衍;吉涛;马超;逯爱慧;夏炳忠 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种无定形碳材料低温石墨化方法，涉及一种将商品活性炭、中间相沥青基碳和有机高分子经炭化得到的无定形碳材料在低温下转变为石墨形态碳的方法。在500～900℃和惰性气体保护条件下，将无定形碳材料分散在液态活泼金属中，可转变为石墨化形态的碳材料。本发明可以将无定形碳材料的石墨化温度从目前的2200℃以上，降低到500～900℃。通过这种低温石墨化方法可以将无定形碳粉体、无定形碳纤维、碳纳米管、无定形碳气凝胶和碳泡沫等，在低温条件下转变为石墨化的碳粉体、石墨化纤维、石墨化碳纳米管、石墨化碳气凝胶以及石墨化碳泡沫材料，在传感器、电极材料
一种无定形碳材料低温石墨方法

[发明专利]调色剂组合物及其方法-CN201110051409.2有效
发明人： A·K·陈;T·H·吴;E·G·兹瓦茨;M·S·霍金斯 -专利权人：施乐公司
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G03G9/093 文献下载
摘要：所述调色剂包括芯和壳，所述芯包含具有低玻璃化转变温度的无定形树脂、具有高玻璃化转变温度的无定形树脂和结晶树脂，所述壳包括具有高玻璃化转变温度的无定形树脂。
调色组合及其方法

[发明专利]羧基化的聚酰胺胺-无定形磷酸钙胶束及其制备方法、用途-CN202211671490.9在审
发明人：谢方方;谢红宇;何盛斌;严凯琦;杨婧;吴柳鲜 -专利权人：广西医科大学附属口腔医院
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08J3/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种羧基化的聚酰胺胺‑无定形磷酸钙胶束及其制备方法、用途，制备方法包括以下步骤：S1.将聚乙二醇溶解在含有羧基化的聚酰胺胺和无定形磷酸钙纳米颗粒的溶液中，得胶束前体溶液；S2.在胶束前体溶液中加入聚山梨酯，搅拌后振荡分散胶束，得胶束溶液；S3.胶束溶液离心，除去含有游离钙和磷酸根离子的上清液，得羧基化的聚酰胺胺‑无定形磷酸钙胶束。并公开了羧基化的聚酰胺胺‑无定形磷酸钙胶束在诱导胶原纤维仿生矿化方面的应用。采用本发明的羧基化的聚酰胺胺‑无定形磷酸钙胶束有助于钙、磷诱导胶原纤维内部矿化。
羧基聚酰胺无定形磷酸钙胶束及其制备方法用途

[发明专利]无定形碳层作为离子注入牺牲层的应用-CN201110366182.0无效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种无定形碳层作为离子注入牺牲层的应用，包括以下步骤：提供一硅片，所述硅片包括浅沟槽隔离和位于硅片表面浅沟槽隔离之间的衬垫氧化膜；去除硅片表面的衬垫氧化膜；在上述结构表面沉积无定形碳层；在无定形碳层上涂覆光刻胶，再进行图形化离子注入形成离子注入区；干法去除光刻胶并剥离无定形碳层；采用上述工艺，重复图形化离子注入对上述离子注入区进行多层离子注入。本发明采用无定形碳层作为离子注入时的牺牲层，在每次图形化注入工程中都重新生长无定形碳层，更好的控制了图形化注入时硅片中作为牺牲层的厚度稳定性，从而改善器件的稳定性。
无定形碳作为离子注入牺牲应用

[发明专利]固体形式的N-末端结构域雄激素受体抑制剂及其用途-CN202180028377.6在审
发明人： H-J·周;P·维希克 -专利权人：埃萨制药股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： A61K31/09 文献下载
摘要：本发明涉及结晶形式的化合物I、其盐、溶剂化物或溶剂化物盐或者无定形形式的化合物I、其盐、溶剂化物或溶剂化物盐。本发明还提供了包含结晶形式和/或无定形形式的组合物、结晶形式和/或无定形形式的治疗用途、及其组合物。
固体形式末端结构激素受体抑制剂及其用途

[发明专利]制备无定形官能化烯烃共聚物的方法-CN201880082205.5在审
发明人： M·鲍雅伊;L·甲辛斯卡-沃尔克;R·达查特奥;M·泰勒兹诺加莱斯;J·克鲁津斯基;T·爱卡特里尼 -专利权人： SABIC环球技术有限责任公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C08F210/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种无定形官能化烯烃共聚物组合物和制备无定形官能化烯烃共聚物组合物的方法。
制备无定形官能烯烃共聚物方法

[发明专利]一种含准金属态锂的无定形碳基复合负极材料的制备方法和应用-CN202111032673.1有效
发明人：李念武;于乐;苏凯;金童 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种含准金属态锂的无定形碳基复合负极材料的制备方法和应用。本发明将无定形碳、粘结剂和导电剂制成无定形碳电极，以所述无定形碳电极作为负极，对无定形碳负极进行锂化，从而获得无定形碳基复合负极材料，所述无定形碳基复合负极材料中含有准金属态锂。使用本发明的无定形碳基复合负极作为储能电池负极，有极好的导电性，其内部所具备的无序碳所组成的纳米级别的孔隙为准金属态锂的可逆存储提供了特殊的限域空间，可有效减少电解液与金属锂的反应，显著提高负极的循环稳定性
一种金属无定形碳复合负极材料制备方法应用

[发明专利]制造多晶硅的闪光灯退火方法-CN201880050286.0有效
发明人： K·D·希施曼;R·G·曼利;T·穆德高 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种制造多晶硅(p‑Si)的方法，包括：沉积无定形硅以产生无定形硅超级台面；对无定形硅进行脱氢；对超级台面进行图案化以产生图案化基材；在图案化基材上的无定形硅上沉积氧化物覆盖层；将覆盖的图案化基材加热到a‑Si的结晶温度；以及使用氙灯对图案化基材进行闪光灯退火以产生具有至少一个超级台面且所述超级台面具有超尺寸晶粒的p‑Si。
制造多晶闪光灯退火方法

[发明专利]一种胶原纤维的矿化方法-CN202210770726.8在审
发明人：蒋淑琴;宗晨曦;王云露;孙志伟 -专利权人：首都医科大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： D06M15/263 文献下载
摘要：本发明提供一种胶原纤维的矿化方法，属于组织修复技术领域。本发明提供的矿化方法包括以下步骤：将含有无定形纳米磷酸钙的矿化液与聚丙烯酸进行混合，得到混合物；将所述混合物与胶原纤维进行共孵育；所述共孵育的温度为25～37℃，时间≥24h。本发明将含有无定形纳米磷酸钙的矿化液与聚丙烯酸混合，使聚丙烯酸吸附在无定形纳米磷酸钙的表面，无定形纳米磷酸钙表面吸附的聚丙烯酸会与胶原纤维产生静电相互吸引导致大量的、密集的无定形纳米磷酸钙包裹在胶原纤维上，同时聚丙烯酸的羧基与矿化液中钙离子的络合使纤维周围富集大量钙离子，在大量钙离子存在下无定形纳米磷酸钙生成了连续的羟基磷灰石，使胶原纤维内部得到了连续、完整的矿化。
一种胶原纤维方法

[发明专利]无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法-CN201110296996.1有效
发明人：邓浩;张彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种作为硬掩膜的无定形碳的处理方法，包括：提供硬掩膜层，材质为无定形碳；图案化硬掩膜层；对图案化硬掩膜层进行硼离子注入。本发明还一种采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，其上形成有对准标记及衬底图案，且最上层为待刻蚀层；在待刻蚀层上淀积硬掩膜层，硬掩膜层材质为无定形碳；通过无定形碳探测对准标记，使得掩膜版上的图案和衬底图案对准；图案化硬掩膜层；对图案化硬掩膜层进行硼离子注入，形成新的图案化硬掩膜层；以新的图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀层。采用本发明的技术方案，可以克服现有的采用无定形碳作为硬掩膜进行刻蚀时，掺硼剂量范围有限及去除该硬掩膜层时工艺要求较高的问题。
无定形碳处理方法采用作为硬掩膜刻蚀

[发明专利]盐酸鲁拉西酮色氨酸/L-脯氨酸共无定形物及其制备方法和应用-CN202010913633.7有效
发明人：张建军;乔旗洋;王亚茹 -专利权人：中国药科大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C07D417/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种盐酸鲁拉西酮色氨酸/L‑脯氨酸共无定形物及其制备方法和应用，所述共无定型物包括盐酸鲁拉西酮色氨酸共无定形物或者盐酸鲁拉西酮L‑脯氨酸共无定形物，由盐酸鲁拉西酮分别与色氨酸和L‑脯氨酸按摩尔比本发明两种共无定形物是完全不同于盐酸鲁拉西酮原料药晶体的无定形态，与盐酸鲁拉西酮的粉末X射线衍射、DSC谱图和红外光谱均不同，使用Cu‑Kα辐射，粉末X射线衍射光谱没有尖锐的衍射峰。盐酸鲁拉西酮色氨酸共无定形物玻璃化转变温度为71.7℃，相比原盐酸鲁拉西酮，特性速率提升约10倍；盐酸鲁拉西酮脯L‑脯氨酸共无定形物玻璃化转变温度为65.0℃，相比原盐酸鲁拉西酮，特性速率提升约5倍。
盐酸鲁拉西酮色氨酸脯氨酸无定形及其制备方法应用

[发明专利]可变折射率AG玻璃镀膜液及其制备方法、以及制作超硬AG镀膜玻璃的方法-CN202010944863.X在审
发明人：侯玉柱;周本淼;叶官林 -专利权人：广东北玻电子玻璃有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：一种可变折射率AG玻璃镀膜液及其制备方法、以及制作超硬AG镀膜玻璃的方法，包括无定形硅溶胶10‑20％；无定形钛溶胶10‑20％；偶联剂1‑5％；模板剂1‑5％；真溶剂50‑80％；无定形硅溶胶、无定形钛溶胶本发明在无定形硅溶胶里引入无定形钛溶胶和模板剂喷涂到玻璃表面，通过600℃‑750℃物理钢化来转变氧化钛的晶型和除去模板剂达到折射率的改变。并且通过物理钢化的方式把氧化硅和氧化钛牢固的烧结在玻璃上并产生凹凸表面来产生AG防眩光的效果从而得到超硬AG镀膜玻璃。本发明通过玻璃镀膜液喷涂在玻璃上形成防眩光膜层，通过物理钢化方法使得膜层和玻璃烧结在一起的生产工艺，易于控制，更适应于工业化生产。
可变折射率 ag 玻璃镀膜及其制备方法以及制作

[发明专利]一种硅碳复合材料及其制备方法、锂离子电池-CN201310162831.4有效
发明人：曾绍忠;赵志刚;阴山慧;陈效华 -专利权人：奇瑞汽车股份有限公司
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：该硅碳复合材料的结构为多孔的碳层包覆无定形多孔硅，无定形多孔硅的孔壁为无定形态，硅碳复合材料的比表面积为10～200m2/g。当该硅碳复合材料用于锂离子电池时，在嵌锂过程中，该无定形多孔硅各向同性地膨胀，有利于缓解体积变化导致的无定形多孔硅颗粒从电极上粉化脱落的问题，由于无定形多孔硅的孔壁为无定形态，因此可以避免多孔结构的塌陷，可以缓解嵌锂过程的体积变化，有效地延长无定形多孔硅的脱嵌锂循环寿命。该硅碳复合材料的无定形多孔硅比表面积大，增大了其作为负极材料时与电解液的接触面，有利于锂离子在接触面处的快速交换。
一种复合材料及其制备方法锂离子电池

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