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[发明专利]具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法-CN200610172133.2无效
发明人：金元柱;金锡必;玄在雄;朴允童;具俊谟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：第一和第二存储晶体管被包括在第一和第二位线之间的串中并分别包括控制栅极和存储节点。第一旁路晶体管被包括在第一位线和第一存储晶体管之间的串中并包括第一旁路栅极。第二旁路晶体管被包括在第二存储晶体管和第二位线之间的串中并包括第二旁路栅极。第三旁路晶体管被包括在第一和第二存储晶体管之间的串中并包括第三旁路栅极。第三位线被连接到第三旁路晶体管的沟道上。以及，字线被共同连接到第一和第二存储晶体管中每一个的控制栅极上。
具有旁路晶体管非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]显示装置与显示面板-CN202010391710.7有效
发明人：赵伯颕;谢祥圆;庄锦棠 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：选择电路包含选择晶体管，而发光电路包含：旁路晶体管与发光元件。选择晶体管根据栅极控制线的电平而选择性导通。旁路晶体管电连接于分支节点、放电选择线与数据线。旁路晶体管根据放电选择线的电平而选择性导通。于发光期间，选择晶体管为导通、旁路晶体管为断开，且数据电流自供应电压流经选择晶体管、分支节点与发光元件至数据线。其中，发光元件的亮度根据数据电流而决定。
显示装置显示面板

[发明专利]低噪声放大器-CN201710026217.3在审
发明人：李旋;冯昊;李小勇 -专利权人：上海韦玏微电子有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声放大器，包括放大器基本电路和旁路电路，所述放大器基本电路包括输入端电路和输出端电路；所述旁路电路包括旁路晶体管和旁路电容；所述旁路晶体管的源极与所述输入端电路电连接，所述旁路晶体管的漏极与所述旁路电容的一端电连接，所述旁路电容的另一端与所述输出端电路电连接，所述旁路晶体管的栅极上设有旁路控制电压，所述旁路控制电压用于控制所述旁路晶体管的开启与关闭。本发明提供的低噪声放大器，增设旁路电路，在低噪声放大器具体应用过程中，如果输入信号足够大，不需要放大处理接收端就能够识别，此时低噪声放大器可以切换到旁路模式以节省耗电；从而达到降低功耗的效果。
低噪声放大器旁路晶体管旁路电路旁路电容电连接放大器输出端电路输入端电路基本电路旁路控制放大处理降低功耗旁路模式应用过程接收端耗电漏极源极增设

[实用新型]低噪声放大器-CN201720043818.0有效
发明人：李旋;冯昊;李小勇 -专利权人：上海韦玏微电子有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低噪声放大器，包括放大器基本电路和旁路电路，所述放大器基本电路包括输入端电路和输出端电路；所述旁路电路包括旁路晶体管和旁路电容；所述旁路晶体管的源极与所述输入端电路电连接，所述旁路晶体管的漏极与所述旁路电容的一端电连接，所述旁路电容的另一端与所述输出端电路电连接，所述旁路晶体管的栅极上设有旁路控制电压，所述旁路控制电压用于控制所述旁路晶体管的开启与关闭。本实用新型提供的低噪声放大器，增设旁路电路，在低噪声放大器具体应用过程中，如果输入信号足够大，不需要放大处理接收端就能够识别，此时低噪声放大器可以切换到旁路模式以节省耗电；从而达到降低功耗的效果。
低噪声放大器

[发明专利]可编程电流镜-CN201010206715.4有效
发明人：喻柏莘;张家祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;创意电子股份有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供一种可编程电流镜，包括一第一参考晶体管、一第一镜像晶体管、一第二镜像晶体管以及一第一电流旁路。第一参考晶体管的源极与栅极耦接至一参考电流节点。第一与第二镜像晶体管通过一第一节点串联连接，其中第一与第二镜像晶体管的栅极相互连接并且一同耦接至第一参考晶体管的栅极。第一电流旁路包括与第二镜像晶体管并联连接的一第一开关，其中第一电流旁路耦接至第一节点以及第二镜像晶体管的源极与漏极。
可编程电流

[实用新型]一种旁路电路板和电子设备-CN202222539076.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东舜势测控设备有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种旁路电路板和电子设备，涉及电路板设计技术领域。第一面晶体管布置在PCB板的第一面，第二面晶体管布置在PCB板的第二面，非旁路晶体管布置在PCB板的第一面或第二面。第一面晶体管的栅极和第二面晶体管通过PCB板电连接。该电路板集成多个晶体管，从而能与不同的目标器件电连接，实现了一个电路板对多个目标器件旁路或非旁路的控制。将晶体管分为两面布置，进一步节省了电路板面积和所占的空间，提高了器件的集成度，从而节省成本。
一种旁路电路板电子设备

[实用新型]一种像素结构及图像传感器-CN202122824110.8有效
发明人：许书洋;王强 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种像素结构以及图像传感器，像素结构包括：衬底、传输晶体管栅极、旁路晶体管栅极、辅助离子掺杂区、保护层、介质层以及浮动扩散区，其中，旁路晶体管栅极与传输晶体管栅极设于衬底的第一面并且相邻，辅助离子掺杂区设于传输晶体管栅极及旁路晶体管栅极之间的衬底中，保护层设于传输晶体管栅极和旁路晶体管栅极显露的表面及其周围的衬底的第一面上，介质层设于保护层上，且具有贯通的互连注入接触孔，浮动扩散区设于互连注入接触孔对应的衬底中区域
一种像素结构图像传感器

[发明专利]电应力保护电路以及包括其的电子装置-CN202110135134.4在审
发明人：洪炳日 -专利权人：安纳帕斯股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H03K17/0814 文献下载
摘要：一种电应力保护电路，包括第一晶体管和旁路晶体管的检测电路。该第一晶体管，连接到驱动电压轨并在提供电应力时被导通；以及该旁路晶体管，响应于在第一晶体管导通时的信号输出而被导通，并配置为将电应力提供到参考电压轨。
应力保护电路以及包括电子装置

[发明专利]一种旁路控制电路和电子设备-CN202210908265.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东舜势测控设备有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种旁路控制电路和电子设备，涉及控制电路技术领域。该电路包括：n个旁路单元和n+1个旁路驱动电源，n个旁路单元串联，每个旁路单元有旁路通道和串联通道，串联通道包括晶体管和目标器件，旁路通道包括晶体管。每个旁路单元的晶体管的源极设置在两端，与紧邻的旁路单元共用一个旁路驱动电源，节省了旁路驱动电源的数量，简化了电路，降低了成本。
一种旁路控制电路电子设备

[发明专利]负载旁路压摆控制技术-CN201911146961.2在审
发明人：埃里克·斯蒂芬·扬;齐昕 -专利权人：模拟设备国际无限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：在某些例子中，用于旁路晶体管的可调节的集成压摆率控制电路可以提供三十年的可调性。在例子中，压摆率控制电路可包括负载旁路晶体管、电耦合在负载旁路晶体管的导通节点和负载旁路晶体管的控制节点之间的压摆率控制电容器、和电流镜电路。电流镜电路可以包括与压摆率控制电容器和控制节点串联电耦合的感测晶体管、以及镜像晶体管，所述镜像晶体管电耦合在电源和控制节点之间，以选择性地向所述控制节点或从所述控制节点提供分流电流，该分流电流绕过压摆率控制电容器以限制导通节点处的电压的压摆率
负载旁路控制技术

[发明专利]电力转换器电路中开关电容器的软充电-CN201810635759.5有效
发明人：张劲东;黎坚 -专利权人：凌力尔特科技控股有限责任公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：开关电容器功率转换器包括：默认切换路径中的多个开关晶体管；和辅助软充电旁路电路，包括一个或多个辅助晶体管和阻抗元件，并通过辅助晶体管提供辅助电路路径以当辅助软充电旁路电路被激活并且至少有一个开关晶体管失活时对转换器电路内的多个电容器进行充电相应的控制电路将转换器电路从软充电模式切换到可操作模式，在软充电模式中辅助软充电旁路电路激活和开关晶体管失活，在可操作模式中辅助软充电旁路电路失活，和控制电路周期性切换软充电模式期间的一个或多个辅助晶体管以代替失活的开关晶体管
电力转换器电路开关电容器充电

[发明专利]半导体器件-CN202010371506.9在审
发明人： G.纳鲍尔;F.加泽 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：在实施例中，提供半导体器件，其包括具有负载路径的主晶体管、用于感测在主晶体管的负载路径中流动的主电流的感测晶体管、以及用于保护感测晶体管的至少一个旁路二极管结构。所述至少一个旁路二极管结构与感测晶体管并联电耦合。
半导体器件

[发明专利]一种自适应电流输出低压差线性稳压器-CN201811548307.X在审
发明人：戴晓龙;赵楠;郭坤;耿士华 -专利权人：山东超越数控电子股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种自适应电流输出低压差线性稳压器，包括：低压差线性稳压器、旁路晶体管和调节电路，所述旁路晶体管与低压差线性稳压器并联；所述旁路晶体管为PNP型晶体管，PNP型晶体管C端连接电源输出端；所述调节电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和二极管，第一电阻一端连接电源输入端另一端连接PNP型晶体管E端；第二电阻一端连接电源输入端另一端连接二极管输入端；二极管输出端分别连接低压差线性稳压器的输入电压VIN端和旁路晶体管的晶体管B端；第三电阻并联在二极管两端。
低压差线性稳压器电阻旁路晶体管一端连接二极管电源输入端电流输出输出电流自适应电路二极管输出连接电源输入电压输出端输入端晶体管并联输出

[发明专利]半导体器件-CN201010107742.6有效
发明人：后藤聪;三宅智之;近藤将夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：具体地，为了实现天线开关的成本降低，提供了一种技术，其可以尽可能多地降低在天线开关中产生的谐波失真，特别是在天线开关包括在硅衬底上方形成的场效应晶体管时。TX串联晶体管、RX串联晶体管和RX旁路晶体管中的每一个包括低压MISFET，而TX旁路晶体管包括高压MISFET。由此，通过减小构成TX旁路晶体管的高压MISFET的串行连接的数目，施加于各串联耦合的高压MISFET的电压幅度的不均匀性得以抑制。这样，可以抑制高阶谐波的产生。
半导体器件

[发明专利]激光检测电路-CN201110094804.9有效
发明人：栗原塁;川岛贵宏 -专利权人：安森美半导体贸易公司
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G11B7/125 文献下载
摘要：激光检测电路具备：差动放大器，其将与激光强度相应的信号放大后输出；驱动晶体管TR5，其基极被施加差动放大器的输出；第二恒流源，其与差动晶体管TR5的发射极相连接；输出晶体管TR7，其基极与驱动晶体管TR5的发射极相连接；旁路晶体管TR9，其连接在驱动晶体管TR5的发射极与接地端之间；以及控制电路。当从动作停止模式转变为动作模式时，控制电路通过导通旁路晶体管TR9来形成从第二恒流源经由旁路晶体管TR9直至接地端的旁路电流路径。
激光检测电路

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