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[发明专利]掺镧铌镁酸铅基电致伸缩陶瓷材料-CN95111717.3无效
发明人：温保松;刘吟梅;马佳华 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1995-08-04 - 公布日： 2000-12-06 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及掺镧铌镁酸铅基电致伸缩陶瓷材料，属于电致伸缩陶瓷领域。其特征在于镧元素掺杂取代铅，组成通式为$YPb1-xLaxMg1/3Nb2/3O3-(1-Y)PbTiO3$Ｘ为Ｌａ的掺杂克分子量，０〈Ｘ≤０．１，Ｙ为铌镁酸铅镧的克分子量，０．８０≤Ｙ〈１，本发明提供的二元系电致伸缩陶瓷应变明显增加
掺镧铌镁酸铅基电致伸缩陶瓷材料

[发明专利]一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法-CN201811510902.4有效
发明人：毛朝梁;马江雷;王根水;闫世光;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法，所述掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料为单一钙钛矿结构，其组成通式为Ag1‑3xLa
一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]压电功能膜、致动器以及喷墨头-CN201780071648.X有效
发明人：水原健介;张替贵圣 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含：添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
压电功能致动器以及喷墨

[发明专利]一种1.28%的大电致应变无铅铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法-CN202110146184.2在审
发明人：樊慧庆;全琪峰;王维佳 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种1.28％的大电致应变无铅铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法，使用的铌酸钾钠陶瓷具有亚微米级的晶粒、丰富的相变以及大的压电活性，而镧的掺杂可以使畴微型化并影响铌酸钾钠陶瓷的压电响应，优化制备工艺的各项参数来细化晶粒，烧结后得到的无铅压电陶瓷的性能表为：在40kV/cm电场下的最大极化强度为19μC/cm2，剩余极化强度为10μC/cm2，矫顽场为12kV/cm；在40kV/cm电场下的双极电致应变可达0.98％，逆压电系数为2363pm/V；在110kV/cm电场下的单极电致应变可达1.28％，逆压电系数为1167pm/V。烧结得到的无铅铌酸钾钠基陶瓷具有1.28％的巨电致应变，为目前研究的多晶无铅压电陶瓷的最大值，具有非常大的应用前景。
一种 1.28 大电致应变无铅铌酸钾钠基压电陶瓷制备方法

[发明专利]钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法-CN201810019438.2有效
发明人：李效民;黎冠杰;徐小科;高相东;毕志杰;陈永博 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO₂缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO₂缓冲层为金红石相、外延取向为
电薄膜钛铌缓冲层外延取向氮化镓半导体氮化镓基外延钴酸锶镧衬底制备脉冲激光沉积技术金红石相取向

[发明专利]一种具有低滞后大电致应变的铌镁酸铅基三元压电陶瓷材料及其制备方法-CN202011058341.6在审
发明人：李国荣;夏翔;曾江涛;郑嘹赢;阮学政;满振勇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有低滞后大电致应变的铌镁酸铅基三元压电陶瓷材料及其制备方法，所述铌镁酸铅基三元压电陶瓷材料的化学通式为：(1‑y)((1‑x)Pb(Mg1/3Nb
一种具有滞后大电致应变铌镁酸铅基三元压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]基于Pt衬底的外延取向铌酸锂薄膜及其生长方法-CN201810536490.5有效
发明人：郑大怀;宋晓鹏;孔勇发;李文灿;贾龙飞;王烁琳;刘宏德;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜生长方法领域，主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt，简称Pt(111)，基片为衬底，选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法，制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器；所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长，便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
铌酸锂薄膜掺铁生长外延取向衬底制备脉冲激光沉积电光调制器提拉法生长铌酸锂单晶铁电薄膜微观尺度传感器纳米级铁电畴探测器靶材波导晶向微腔薄膜调控制作应用研究

[发明专利]制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法-CN200910071931.X无效
发明人：冯明;周玉;王文;贾德昌 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法，它涉及一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有技术中制备铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构不可控和致密度低的问题。本发明的方法先将醋酸铅溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液A，再将乙酸镁和乙醇铌的混合物溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液B，再向溶液B中加入钛酸四丁酯得溶液C，最后把溶液A和C混合并加入稳定剂得到PMN-PT前躯体溶胶，然后利用匀胶机将前躯体溶胶涂覆到基片上，烘干后进行预烧，再放入快速热处理炉中焙烧，然后冷却至室温即得到织构可控的PMN-PT铁电薄膜。本发明得到的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构可控，致密度高。
制备可控铌镁酸铅铅铁薄膜方法

[发明专利]利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜-CN201010241301.5有效
发明人：李效民;何邕;高相东;冷雪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。
利用等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜

[发明专利]一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法-CN201811544365.5在审
发明人：刘国强 -专利权人：安徽升鸿电子有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法，包括以下步骤：将草酸铌、氢氧化镁加入乙二醇甲醚中，反应完成后，降至室温，得到铌镁前驱液；将醋酸铅加入铌镁前驱液中，搅拌反应，降至室温，得到铌镁铅前驱液；再将铌镁前驱液滴入铌镁铅前驱液中，不断搅拌，得到铌镁酸铅溶胶；向铌镁酸铅溶胶中滴加去离子水，搅拌后，密封静置直至形成铌镁酸湿凝胶，再密封老化，得老化后的铌镁酸铅湿凝胶；再将老化后的铌镁酸铅湿凝胶浸入有机溶剂中，每天更换一次有机溶剂，得到的铌镁酸铅湿凝胶置于超临界干燥釜内，经超临界干燥，得铌镁酸铅气凝胶，本发明制备得到的铌镁酸铅气凝胶纯度更高，粒度更小，温度稳定性、机械性能高，降低了污水的排放，节能环保。
铌镁酸铅前驱液铌镁气凝胶湿凝胶制备有机溶剂老化机械性能超临界干燥釜超临界干燥温度稳定性乙二醇甲醚搅拌反应节能环保密封静置氢氧化镁去离子水浸入草酸铌醋酸铅再密封铌镁酸滴加滴入污水排放

[发明专利]弛豫型铁电单晶原料的制备方法-CN201410851375.9在审
发明人：徐卓;车俊;李振荣;王富贵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种弛豫型铁电单晶原料的制备方法，针对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、铌锌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)、铌铟酸铅-钛酸铅(PIN-PT)、铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)及其掺杂改性的弛豫铁电单晶材料，采用含结晶水的碱式碳酸镁，金红石型二氧化钛、高纯五氧化二铌，高纯三氧化二铟，高纯氧化锌与高纯氧化铅为原料，采用分步烧结，最终合成为所需化学组成的单晶原料，并对合成好的单晶原料再采用二次球磨
弛豫型铁电单晶原料制备方法

[发明专利]一种制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷的方法-CN201010128011.X有效
发明人：方必军;丁晨露 -专利权人：江苏工业学院
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷的方法，属于功能陶瓷材料制备技术领域。本发明以氧化铅、五氧化二铌、硝酸镁、二氧化钛等为原料，通过反应烧结法、不经过煅烧、预烧等工艺，直接烧结制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷。本发明利用同质量、同组成的原料混合物作为焙烧粉提供铅源、在密封的氧化铝坩埚中采用平行叠片式陶瓷毛坯堆放方式四周覆盖焙烧粉，在880-1270℃直接烧结制备铌镁酸铅钛酸铅陶瓷。通过反应烧结法能制备纯钙钛矿结构、具有较高的致密度，电学性能与铌铁矿预合成法制备的陶瓷相当的陶瓷制品。本发明工艺简单、节约能源，通过优化工艺参数、利用反应烧结法有望制备高性能的弛豫铁电陶瓷，在电子陶瓷工业有望获得广泛的应用。
一种制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷方法

[发明专利]一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片及其制备方法-CN201210335651.7有效
发明人：张婷;曹远虎;夏宗仁;梁万国 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片，其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。本发明还公开了所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法，首先是应用提拉法生长掺镁浓度为5.2～6mol%、适量富铌的铌酸锂晶体，晶体经过退火极化处理，再切割成晶片，将切割晶片埋入掺镁浓度为5.5～6.5mol%的同成分铌酸锂粉料中，再在1000℃～1150℃温度下恒温20～40小时进行扩散热处理，即得到所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片。本发明制备的掺氧化镁铌酸锂晶片成分均匀，折射率分布均匀，掺镁浓度高，铌锂比接近同成分配比，内部缺陷少，电畴反转电压较低，适合批量化的PPLN器件技术要求。
一种氧化镁成分铌酸锂晶片及其制备方法

[发明专利]一种铁电阻变存储器及其开关比的调控方法-CN201610557208.2在审
发明人：王占杰;白宇 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器及调控其开关比的方法，该铁电阻变存储器由上电极材料金，下电极和衬底材料掺铌钛酸锶以及锆钛酸铅铁电材料所构成。该器件的制备方法是利用化学溶液沉积法在掺铌钛酸锶衬底上沉积锆钛酸铅铁电薄膜，然后利用溅射法在锆钛酸铅铁电薄膜上沉积金作为上电极。其中锆钛酸铅铁电材料的厚度为100～450nm。通过调控锆钛酸铅铁电材料的厚度，实现了金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器开关比从17到846的变化，提高了50倍。该方法可以有效地调控铁电阻变存储器开关比，简单易行，便于实际应用。
一种电阻存储器及其开关调控方法

[发明专利]一种具有高电致应变的铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法和应用-CN201310674852.4有效
发明人：刘爱云;卫琳琳;金成超;姚其荣;韩海龙;王鹏;李岩;林方婷;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高电致应变的铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷，所述的铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷的组成成分为（xPb(Al0.5Nb0.5)O3-（0.2-x）Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb采用三步烧结法制备而成，将烧结后的陶瓷片用磨片机磨至1mm左右，利用丝网印刷双面刷上银电极，在650℃空气中烧结，对烧制电极的陶瓷片测试其XRD、电滞回线和场致应变，这种新型具有高电致应变的材料应用于驱动器，本发明的效果在于，与PZN-PZT相比，本发明具有制备简单，成本低，高电致应变等优点。
一种具有高电致应变铌锌酸铅锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法应用

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