专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构-CN202110642529.3在审
  • 陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-06-09 - 2022-05-06 - H01L29/78
  • 本发明是关于半导体结构,其包含:基板、磊晶层、埋置层、源极区及汲极区、漂移区、闸极结构、第一隔离结构以及高压井区;基板具有第一导电型态;磊晶层具有不同于第一导电型态的第二导电型态且设置于基板上。埋置层具有第二导电型态且设置于基板;源极区及汲极区分别具有第一导电型态且分别设置于磊晶层中;漂移区具有第一导电型态且设置于磊晶层中,位于源极区及汲极区之间,且与汲极区电性连接。第一隔离结构设置于漂移区与汲极区之间;高压井区具有第一导电型态,设置于磊晶层中,且与埋置层及第一隔离结构接触。本发明能避免半导体结构中的基板漏电流的产生,从而获得具有更优良的电性特征。
  • 半导体结构
  • [发明专利]高频切换晶体管-CN200410100303.7有效
  • R·洛塞汉德 - 因芬尼昂技术股份公司
  • 2004-12-09 - 2006-01-04 - H01L29/73
  • 一种高频切换晶体管,包括集极区域,其具有第一传导型态,于该集极区域上形成边界的第一阻障区域,其具有不同于该第一导电型态的第二导电型态,以及于该第一阻障区域上形成边界的半导体区域,其具有较该第一阻障区域之一掺质浓度为低的掺质浓度再者,该高频切换晶体管具有于该半导体区域上形成边界的第二阻障区域,其具有第一传导型态,以及于该第二阻障区域上形成边界的基极区域,其具有第二导电型态。此外,该高频切换晶体管包括于该半导体区域上形成边界的第三阻障区域,其具有该第二导电型态,以及较该半导体区域为高的掺质浓度。更进一步该高频切换晶体管具有于该第三阻障区域上形成边界的射极区域,而其则是具有该第一导电型态
  • 高频切换晶体管
  • [发明专利]光盘型态判断方法及可判断光盘型态的光盘装置-CN200710086051.0无效
  • 王良彦 - 扬智科技股份有限公司
  • 2007-03-08 - 2008-09-10 - G11B19/12
  • 本发明提供一种光盘型态判断方法及可判断光盘型态的光盘装置。应用于一光盘装置判断一光盘的型态时,光盘装置包括一主轴马达、一光学读写头、一射频信号处理器、及一系统控制器;该方法的步骤包括:根据一起始转矩,驱动主轴马达;接收来自于光盘的起始射频信号;取样起始射频信号的一第一频率;根据一扰动转矩,驱动主轴马达,用以改变主轴马达的转速;接收来自光盘的扰动射频信号;取样扰动射频信号的一第二频率;以及利用第一频率及第二频率,以判断光盘的型态。通过本发明,利用改变主轴马达的转矩,并通过所侦测的光盘射频信号频率的变化,用以判断光盘型态,无需增加额外的成本,于开机过程中,快速且准确地判断光盘的型态
  • 光盘判断方法装置
  • [发明专利]静电放电保护装置-CN201010594425.1有效
  • 蔡铭宪;叶子祯;周淳朴;薛福隆 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-12-14 - 2011-09-28 - H02H9/04
  • 本发明提供一种静电放电保护装置,其包括:第一半导体型态的第一阱,形成在第二半导体型态的基板之中以形成第一二极管。第二半导体型态的第二阱,形成在基板以形成具有第一阱的第二二极管。第一半导体型态的第一多个参杂区域,形成于第一阱的上表面。第二半导体型态的第二多个参杂区域,形成于第一阱的上表面以形成具有第一阱的第三二极管。多个浅沟渠隔离STI区域,设置于第一阱的上表面,每个STI区域设置于第一半导体型态以及第二半导体型态的参杂区域之间。当在第一或第二多参杂区域的一个接收到ESD电压突波时,则第三二极管提供电流旁路。
  • 静电放电保护装置

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