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[发明专利]硅中的高浓度掺杂-CN201480042330.5有效
发明人：布雷特·杰森·哈拉姆;马修·布鲁斯·爱德华兹;斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;凯瑟琳·艾米丽·尚;张子文;吕珮玄;林·迈;宋立辉;阿德莱恩·苏吉安托;艾利森·马里·文哈姆;徐光琦 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内，由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂‑氢键，而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化，由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子
中的浓度掺杂

[发明专利]一种光催化材料非金属共掺杂的方法-CN201911112714.0在审
发明人：李伟;崔振浩 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种光催化材料非金属共掺杂的方法，包括以下步骤：S1、选择两种非金属原子作为掺杂原子，两种非金属原子能够构建共掺杂体系；其中,一种掺杂原子的最外层电子数小于所述O原子的最外层电子数，另一种掺杂原子的半径大于O原子；S2、在TiO
掺杂原子光催化材料非金属原子共掺杂最外层空穴可见光催化材料局部结构形变带隙构建减小响应引入

[发明专利]制造电子元件的方法以及电子元件-CN200610094055.9有效
发明人： H·费克;P·里斯;M·温德尔 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：在用于制造电子元件的方法中通过引入掺杂原子来对衬底进行掺杂。在掺杂衬底中借助利用掺杂原子的掺杂来构造电子元件的至少一个连接区。此外，至少在至少一个连接区的下面借助利用掺杂原子的掺杂来构造至少一个附加的掺杂区。此外，在所述衬底中借助利用掺杂原子的掺杂形成至少一个阱区，这样使得至少在至少一个附加的掺杂区的下面阻止阱区掺杂。
制造电子元件方法以及

[发明专利]掺杂多孔石墨烯和有机锂盐复合补锂材料及其制法和应用-CN202210459654.5有效
发明人：谢佳;张薇;李思吾;钟伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供一种含有掺杂多孔石墨烯和有机锂盐的复合锂离子电池正极补锂材料，其特征在于，所述掺杂多孔石墨烯用作催化剂，所述掺杂多孔石墨烯中的掺杂原子为N原子、B原子、S原子、N原子、F原子、Fe原子、Cu原子、Co原子、Ni原子及Zn原子中的一种或多种。本发明提供的复合补锂材料，由于采用掺杂多孔石墨烯作为催化剂，应用在锂离子电池体系中，能够降低补锂添加剂有机锂盐的分解电位、补锂容量更高、电池循环性能更好。
掺杂多孔石墨有机复合材料及其制法应用

[发明专利]掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法-CN201510053246.X有效
发明人：林静;禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法，其中掺杂多晶硅层的形成方法包括：向反应腔室内提供硅源气体、掺杂源气体以及中性原子源气体，形成掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂源气体提供掺杂离子，所述中性原子源气体提供中性原子，且在形成掺杂多晶硅层的过程中，掺杂多晶硅层中的中性原子适于阻止掺杂离子凝聚，掺杂离子适于对硅原子具有吸附作用。本发明提高了形成的掺杂多晶硅层表面平坦度，避免在掺杂多晶硅层表面形成鼓包缺陷。
掺杂多晶形成方法以及半导体器件

[发明专利]基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置-CN201611191190.5在审
发明人：刘胜;严晗;甘志银;彭庆;程佳瑞;郑怀 -专利权人：武汉大学;广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置，该方法包括以下步骤在半导体金刚石外延生长初期，通过MPCVD制备半导体金刚石外延薄膜；通过MPCVD制备半导体金刚石掺杂层；根据掺杂层的掺杂原子种类及其与氢原子形成的饱和化学键的键能，选择相应波长的飞秒激光，于反应腔中通过所述飞秒激光打断掺杂层中掺杂原子与氢原子形成的饱和化学键。本发明提供的这种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置，通过特定波长的飞秒激光作用在半导体金刚石薄膜中，打断掺杂原子与氢原子之间的饱和化学键，激活掺杂原子，从而提高掺杂层中有效载流子浓度。
基于激光半导体金刚石薄膜掺杂处理方法装置

[发明专利]一种非金属掺杂基底负载金属单原子催化剂的制备-CN202310152260.X在审
发明人：徐俊;肖泽鸿;许清池 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：一种非金属掺杂基底负载金属单原子催化剂的制备，包括：1)在杂原子前驱体的无水乙醇或NMP溶液中加入三聚氰胺，搅拌，干燥，焙烧，得到杂原子掺杂的石墨相氮化碳；2)将杂原子掺杂的石墨相氮化碳与氯化钾和氯化锂混合研磨，焙烧，样品清洗，干燥，得到碱金属插层的杂原子掺杂的石墨相氮化碳样品；3)将碱金属插层的杂原子掺杂的石墨相氮化碳样品分散在水中，加入离子交换前驱体，搅拌，抽滤清洗，干燥，焙烧，然后酸洗焙烧后的样品，待溶液的pH达到中性后，干燥，得到杂原子掺杂石墨相氮化碳基底负载金属单原子催化剂样品。本发明通过制备非金属原子掺杂g‑C3N4基底负载金属单原子催化剂，提高催化活性。
一种非金属掺杂基底负载金属原子催化剂制备

[发明专利]过渡金属原子与C空位共掺杂的3C-SiC复合模型及改性方法-CN202310165918.0在审
发明人：王雪文;张圆梦;高洁;彭超;姚林伟;贠江妮;张涵;赵武;翟春雪;马晓龙;齐晓斐 -专利权人：西北大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种过渡金属原子与C空位共掺杂的3C‑SiC复合模型及改性方法，该方法主要包括以下内容：构建3C‑SiC超胞；对3C‑SiC超胞进行几何优化，得到原子总内能最低的3C‑SiC超胞；进行过渡金属原子掺杂，得到过渡金属原子掺杂的3C‑SiC超胞；得到优化后的过渡金属原子掺杂的3C‑SiC超胞；去掉优化后的过渡金属原子掺杂的3C‑SiC超胞中与过渡金属原子最近邻的任一C原子形成C空位，得到C空位与过渡金属原子共掺杂的3C‑SiC复合模型，然后对得到的C空位与过渡金属原子共掺杂的3C‑SiC复合模型进行几何优化，得到优化后的C空位与过渡金属原子共掺杂的3C‑SiC复合模型；相比于传统的3C‑SiC基稀磁半导体，掺有空位的3C‑SiC基稀磁半导体的磁矩明显提高，周围原子的自旋极化加强，能够用于自旋电子器件。
过渡金属原子空位掺杂 sic 复合模型改性方法

[发明专利]硅片器件的低温掺杂方法-CN200780023661.4无效
发明人：西瓦·西沃思撒曼;迈赫迪·法鲁克-巴鲁吉 -专利权人：阿里斯技术公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在所选级别的硅衬底上沉积掺杂硅层的低温方法和系统的结构。硅衬底用作光吸收体，而掺杂硅层用作发射体。该方法包括以下操作：将硅衬底定位到适于在该硅衬底上化学气相沉积掺杂硅层的沉积室中，该硅衬底的外表面适用于促进晶体膜生长；使用多个工艺参数调节所述掺杂硅层的生长，该多个工艺参数包括，第一工艺参数，用于抑制掺杂物原子扩散进入该硅衬底外表面的工艺温度，和第二工艺参数，用于提供影响掺杂硅层原子结构的层结晶度的过量氢原子的氢稀释度；把沉积室中的硅衬底的所述外表面暴露于合适环境的化学气相沉积条件下的蒸气，该蒸气包括硅原子、掺杂物原子和过量氢原子，该原子用于生长掺杂硅层；在外表面上开始掺杂硅层的生长以形成掺杂硅层和硅衬底之间的一个界面，以使掺杂硅层包括第一原子结构区域与相邻的第二原子结构区域，该第一原子结构区域具有仅次于界面的高的层结晶度质量，该第二原子结构区域具有低的层结晶度质量，伴随晶体缺陷的密集度的增加，界面上的掺杂硅层的厚度增加。
硅片器件低温掺杂方法

[发明专利]原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料及制备方法-CN202211555439.1在审
发明人：刘立新;钟勇 -专利权人：长沙新立硅材料科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料及制备方法，原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料由多孔MXene纳米片及掺杂在所述多孔MXene纳米片中的杂原子组成。制备原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料，包括：制备杂原子掺杂的多孔MXene材料，将二茂铁和杂原子掺杂的多孔MXene材料置于研钵中，加入有机分散剂，研磨至充分混合，然后干燥得到混合料；将混合料置于刚玉坩埚中，顶部均匀铺放引燃剂，将坩埚放入微波设备中，经微波辐射后搜集产物，即得到原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料。
原位生长纳米复合原子掺杂多孔 mxene 材料制备方法

[发明专利]一种Ni单原子-氮掺杂碳纳米催化剂及其制备方法和烟道气转化应用-CN202111470941.8在审
发明人：夏川;郑婷婷;陈胤坊;刘春晓 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ni单原子掺杂的氮掺杂碳纳米催化剂及其制备方法和应用。该Ni单原子掺杂的氮掺杂碳纳米催化剂包括碳材料以及相互独立地负载在碳表面的Ni原子。本发明以Ni单原子孤立地负载在氮掺杂碳衬底上，构建出一种Ni单原子掺杂的氮掺杂碳纳米催化剂，既克服了单原子催化剂复杂的制备过程和规模生产的高额成本问题，又能够基于单原子具有的高效原子利用率和较强的金属衬底相互作用，使所得Ni单原子掺杂的氮掺杂碳纳米催化剂在催化烟道气电还原反应制一氧化碳中具有很高的催化活性和选择性，在模拟烟道气组分的低浓度二氧化碳原料气中，也保持了较高的活性和选择性，有望于应用在烟道气中的二氧化碳气体的高效转化
一种 ni 原子掺杂纳米催化剂及其制备方法烟道转化应用

[发明专利]铸锭单晶籽晶、铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN202010673754.9有效
发明人：刘海;张华利;胡动力 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：铸锭单晶籽晶内掺杂有掺杂元素，掺杂元素的原子体积大于硅的原子体积，掺杂元素的掺杂浓度大于5×10^15个原子/立方厘米。应用本发明技术方案的铸锭单晶籽晶，由于掺杂元素的原子体积大于硅的原子体积，且掺杂元素的掺杂浓度大于5×10^15个原子/立方厘米，能够在长晶之前熔化阶段的热处理过程中明显抑制氧沉淀，以保持晶体结构在熔化阶段热处理后的完美性
铸锭籽晶铸造单晶硅及其制备方法

[发明专利]杂原子掺杂过渡金属单原子催化剂及其制备方法与应用-CN202110554720.2有效
发明人：陈维;李科;江浩松;吴毅彬;王一卜 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C25B1/23 文献下载
摘要：本发明公开了杂原子掺杂过渡金属单原子催化剂及其制备方法与应用，其中，杂原子掺杂过渡单原子催化剂包括：掺杂杂原子和过渡金属的碳催化剂，其中，杂原子包括氮、磷、硫中的一种或多种；过渡金属包括铁、钴、镍、铜、
原子掺杂过渡金属催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种杂原子原位掺杂碳基催化剂的制备方法及其在燃料电池中的应用-CN201710387692.3在审
发明人：高建;田建军;唐磊林 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明所涉及一种杂原子原位掺杂碳基催化剂的制备方法及其在燃料电池中的应用，同时也开发了一种简便利用杂原子掺杂来构筑高效的多孔结构催化剂的方法。通常氧还原催化剂的制备过程中杂原子的掺杂中以单掺杂为主，且杂原子掺杂效率不高，致使合成的催化剂其电催化活性提高不明显。本发明中对杂原子进行原位掺杂，且杂原子的掺杂种类灵活多变，同时掺杂效率高。利用杂原子间电子云密度的影响，合成了具备广泛应用和规模化生产前景的非金属阴极氧还原催化剂。本发明所述制备方法工艺简单，适于催化剂的规模生产，所述催化剂在碱性条件下，显示出较好的氧还原活性和稳定性。
一种原子原位掺杂催化剂制备方法及其燃料电池中的应用

[发明专利]一种杂原子掺杂型炭气凝胶及其制备方法-CN201710521810.5在审
发明人：刘守新;李伟;鄂雷;罗沙;马春慧 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种杂原子掺杂型炭气凝胶的制备方法，将纤维素、碱性物质、交联剂和水混合，然后冻融‑解冻得到水凝胶，依次经醇置换和冷冻干燥，得到气凝胶，气凝胶对废弃染料吸附，得到杂原子掺杂型气凝胶，再经碳化，得到杂原子掺杂型炭气凝胶。本发明以纤维素为原料，以废弃染料作为杂原子源，变废为宝；利用气凝胶的吸附性能，对废弃染料进行吸附，对废弃染料的具有较高的吸附量(350mg/g)；制备的杂原子掺杂型炭气凝胶密度为24mg/cm3、比表面积为270cm2/g、耐高温，杂原子掺杂量为10％以内，N原子掺杂量为1.73～3.14％，可通过控制气凝胶对废弃染料的吸附时间来调控杂原子掺杂量。
一种原子掺杂型炭气凝胶及其制备方法

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